网络入侵后的波动控制系统设计与实现

网络入侵具有较强的破坏以及不可控性,受到入侵攻击后的网络流量存在冲突、约束数据带宽等随机因素,使得网络流量产生波动,稳定性降低。以往网络波动控制方法,在网络波动性高于设置的阈值后,控制方法不能对网络波动进行有效控制。因此,基于自抗扰控制器,设计并实现网络波动控制系统,该系统包括流量采集模块、流量汇总模块、流量异常检测和控制模块以及警示模块,并且具备网络探析部件、主机探析部件、策略管理中心、控制台四大功能。系统采用自抗扰处理器对入侵攻击产生的流量波动进行控制,确保网络流量的均衡性。实验结果表明,所提方法下的网络入侵行为显著降低,具有较低的网络入侵性能。     

晶体取向对定向凝固平界面失稳行为的影响

采用丁二腈-丙酮透明模型合金研究了不同晶体取向的晶粒在定向凝固条件下的平界面失稳过程.实验选择了三个界面失稳后具有不同生长形态的典型晶粒作为研究对象, 分别为择优生长枝晶、倾斜枝晶和海藻晶.结果表明可发展为择优生长枝晶的晶粒的平界面失稳孕育时间和初始扰动波长最小,海藻晶次之, 倾斜枝晶最大,这与以往的解析结果和相场模拟结果一致. 同时,实验观察发现可发展为择优生长枝晶和倾斜枝晶的晶粒的界面非稳态演化过程与海藻晶显著不同,这表明平界面失稳的非稳态演化过程与晶体取向相关.     

90 nm pMOSFET脱耦等离子体制备氮氧化硅的负偏压温度失稳性

MOSFET器件继续微缩则闸极氧化层厚度将持续减小,在0.13μm的技术闸极二氧化硅的厚度必须小于2 nm,然而如此薄的氧化层直接穿透电流造成了明显的漏电流.为了降低漏电流,二氧化硅导入高浓度的氮如脱耦等离子体氮化制备氮氧化硅受到高度重视.然而,脱耦等离子体氮化制备氮氧化硅的一项顾虑是pMOSFET负偏压温度的失稳性.在此研究里测量了脱耦等离子体氮化制备氮氧化硅pMOSFET负偏压温度失稳性,并且和传统的二氧化硅闸电极比较,厚度1.5 nm的脱耦等离子体氮化制备氮氧化硅pMOSFET和厚度1.3 nm的二氧化硅pMOSFET经过125℃和10.7MV/cm的电场1 h的应力下比较阈值电压,结果显示脱耦等离子体氮化制备氮氧化硅pMOSFET在负偏压温度应力下性能较差.在15%阈值电压改变的标准下,延长10年的寿命,其最大工作电压是1.16 V,可以符合90 nm工艺1 V特操作电压的安全范围内.     

Nd:YAG调Q激光器失稳现象的理论及实验研究

报道了一种Nd:YAG调Q短脉冲激光器失稳现象的理论分析及实验研究。短脉冲调Q激光器运行过程中,会有多种因素导致其不能稳定输出符合目标值的脉冲激光,即出现失稳现象。实验过程中发现,输出镜处的干扰光会导致短脉冲激光器出现失稳现象。在理论基础上,对外界干扰光对短脉冲调Q激光器输出光特性的影响进行了模拟计算,并进行了实验验证,分别从能量和脉宽两个特性进行讨论。结果表明:干扰能量越大,造成失稳现象越严重,干扰脉冲能量为60 mJ时,短脉冲调Q激光器输出能量损失达15%以上,脉宽展宽至1.15倍以上;干扰脉冲注入时间节点越靠后,失稳现象越严重,在短脉冲调Q激光器的泵浦末端,即调Q开关打开前注入能量为60 mJ、脉宽为10 ns的干扰脉冲时,短脉冲调Q激光器可输出能量损失达到80%。     

预估在非比例加载下薄金属板成型极限的损伤基力学模型

探讨了用损伤基力学模型研究应变路径对薄金属板塑性失稳的影响,这种力学模型考虑了材料损伤作用．基于这种模型,在等效应变空问建立了考虑损伤的塑性失稳判据,并用以预估在比例或非比例加载下薄金属板成型极限曲线(FLC)．借助这种理论模型和方法,预估薄金属板的理论成型极限曲线与Graf和Hosford的实验结果一致。     

非线性转子——轴承系统油膜失稳新机理研究

本言语以采用短轴承模型的具有不平衡质量单圆盘刚性转子－－轴承系统类 直角座标系中建立了该系统的非线性振动方程对油膜失稳机理进行了研究。在其临界点处利用中心流形定理对系统进行简化处理后，求得了中心流形上流的方程对于１２亚谐共振情况通过平均法得到其平均方程根据奇异性理论对之进行了普适开折，并得到了１０种分岔模式。该理论表明，如果系统的参数位于图４的（４）和（５）内，则可得到减低油膜振动的良好效果。这是     

弹性拱静力屈曲的突变行为

应用数学突变理论研究弹性两铰拱的静力屈曲，分析中考虑了拱的挠度变化、轴向压缩变形的影响，得到拱面内失稳的尖点突变模型和临界条件。     

磁场对不同温度场中输流悬臂碳纳米管动态特性的影响

本文在采用经典欧拉-伯努利梁模型的基础上,引入考虑小尺度效应的非局部弹性理论,着重研究不同温度场中输流悬臂单层碳纳米管系统（SWCNT）在外加纵向磁场作用下的颤振失稳问题。基于哈密顿原理获得了该流固耦合系统的振动控制方程及相应的边界条件,应用微分变换法（DTM法）求解此高阶偏微分方程,通过数值计算研究了不同温度场中施加纵向磁场对系统动力学特性的影响。结果表明：施加纵向磁场在不同温度场中都将增强输流悬臂碳纳米管的动态稳定性。然而,这种增强程度却与温度场的变化量有关,在不同温度变化量下,磁场对系统稳定性的增强程度有一个峰值,这意味着,实际应用中,为了提高这类流固耦合系统的动态稳定性,一味提高纵向磁场强度并不可取。     

几何非线性软铁磁导电梁式板在磁场中的动力响应

本文提出一套描述静磁场中软铁磁导电梁式板大挠度自由振动的基本方程,在这组方程中,磁化、涡电流和几何非线性梁式板的力学行为之间的相互耦合被考虑。对两端铰支（不可移）的梁式板,详细讨论了电导率、磁导率、外加磁场的大小和倾角以及板的几何非线性对其自由振动的周期（或频率）和振幅的影响,数值结果显示,板的几何非线性引起的面内张力使板的固有频率上升,导电性和磁化则使频率下降。在磁弱性失稳临界磁场值两侧,板的频率随磁场变化的规律明显不同。另外,随着磁场倾角的增加或者磁导率的增大,电磁阻尼效应明显增强,振动被显著抑制。     

激波诱导火焰界面失稳的并行化学加速计算

在带有详细化学反应机理的可压缩反应流数值模拟中,化学反应源项的计算会极大增加计算时间,基于建表技术的化学加速算法可以通过查找数据表中的数据来替代化学反应计算,从而有效提高计算效率,但数据表尺寸的过度增长会导致计算的中断.文章提出了基于两种数据表容量控制策略的并行动态存储/删除算法,并在激波诱导火焰界面失稳的数值模拟中进行了应用,以考察算法的性能.两种数据表容量控制策略分别为单表容量（M_sin）控制和总表容量（M_tot）控制,当单个数据表尺寸达到M_sin或总数据表尺寸达到M_tot时,对数据表进行节点删除,以保证计算的正常进行.计算结果表明,文章提出的基于表容量控制的并行加速算法,其计算准确度和计算效率之间存在关联,具有较好计算准确度算例显示了较高的计算效率.在不同的M_sin和M_tot条件下,计算的化学加速比在2.73~3.93之间.两种表控策略的组合影响了数据表删除的频率和删除之间的同步性,当数据表删除频率小、删除同步性强时,化学加速比要更高.