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171.
172.
本文介绍了根据信号码的相互独立性,利用噪声情况下盲信号分离的原理,实现非最小相位通道特性的盲均衡。 相似文献
173.
测量了GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器在零偏压、小偏流和大偏压等条件下的光电流谱,并结合理论计算的光跃迁能量讨论了光电流谱的多峰结构和异常增强特性。 相似文献
174.
175.
本文提出一种新的局部频率细化快速算法.它可以对信号频谱中任意感兴趣的局部窄带作高分辨率细化分析,所需的乘法次数少于通用的复调制等其它频率细化算法,且分析精度高,方法简明,尤其适合长序列信号的频谱分析. 相似文献
176.
简述了利用微波频谱分析仪作为电磁干扰测试接收机的特点,分析研究了测试系统噪声对测量的干扰信号电平的影响,运用正弦信号加高斯噪声的包概率密度函数,导出了频谱仪工作于对数模式时的误差修正因子的计算公式,并给出了数值修正曲线。实验结果验证了理论分析与计算的正确性。 相似文献
177.
厄米-双曲余弦-高斯光束的瞄准稳定性 总被引:1,自引:0,他引:1
用失调叠加积分的方法 ,对厄米双曲余弦高斯光束的瞄准稳定性作了研究 ,得到了厄米双曲余弦高斯光束失调因子 ηm2 的精确解析公式和近似解析公式 ,并用数值计算了相对横向偏移和相对角向偏移对失调因子ηm2 的影响以及对精确解析公式和近似解析公式的适用范围作了分析和说明。 相似文献
178.
报道了一种采用UHV/CVD锗硅工艺和CMOS工艺流程在SOI衬底上制作的横向叉指状Si0.7Ge0.3/Si p-i-n光电探测器.测试结果表明:其工作波长范围为0.7~1.1μm,在峰值响应波长为0.93μm,响应度为0.38A/W.在3.0V的偏压下,其暗电流小于1nA,寄生电容小于1.0pF,上升时间为2.5ns.其良好的光电特性以及与CMOS工艺的兼容性,为研制能有效工作于近红外光的高速、低工作电压硅基光电集成器件提供了一种新的尝试,在高速光信号探测等应用中有一定的价值. 相似文献
179.
180.
采用保角变换方法推导出扇形霍尔板的几何修正因子,并根据几何修正因子得到扇形分裂漏场效应晶体管相对灵敏度的解析表达式.通过计算机模拟和实验测试结果的验证,进一步完善了扇形磁敏分裂漏场效应管相对灵敏度的数学模型.相比矩形结构磁敏场效应晶体管,扇形磁敏场效应晶体管具有更高的相对灵敏度.测试所获最大灵敏度为3.77%T-1,根据本文模型,最大相对灵敏度应为3.81%T-1. 相似文献