2.5Gb/s 0.18μm CMOS时钟数据恢复电路

采用TSMC公司标准的0.18μm CMOS工艺,设计并实现了一个全集成的2.5Gb/s时钟数据恢复电路.时钟恢复由一个锁相环实现.通过使用一个动态的鉴频鉴相器,优化了相位噪声性能.恢复出2.5GHz时钟信号的均方抖动为2.4ps,单边带相位噪声在10kHz频偏处为-111dBc/Hz.恢复出2.5Gb/s数据的均方抖动为3.3ps.芯片的功耗仅为120mW.     

基于二值化图像叠加的CMOS相机动态范围扩展方法

受动态范围的限制,传统的CMOS相机需要通过曝光时间控制和自动增益控制方式减小像素饱和与溢出的影响,以获得目标场景的清晰信息.若要同时获取目标场景的暗场和亮场图像,必须扩展CMOS图像传感器的动态范围.提出一种基于二值化图像叠加的CMOS相机动态范围扩展方法.该方法利用曝光时间按对数变化的一系列二值化图像进行叠加,拓宽...     

指数形压电声笔的设计和应用

压电声笔是各种声坐标录取装置的重要组成部分,高性能的声笔对于该装置的接收机和其它信号处理部分的研制会带来很大的方便,对装置的有效工作面积有直接的影响,对整机的精度有重要的作用。本文主要介绍从波动方程入手,根据变幅杆原理进行超声笔设计的方法。并根据实用要求测试了声笔的性能:工作频率为200kHz,垂直于工作面的水平指向性为360°,可以在与工作面的夹角为30°—90°的任何正常书写角度上使用,它发出的声信号强度比普通声笔(非变幅杆型)大6倍以上,并测定了几个典型点的振幅值,振幅放大系数大于6。符合设计要求,已在某些声坐标录取装置上获得了满意的应用。如按半波长振子的原理并配以简单的结构,能够很方便地获得当笔尖发射超声的同时,还能在传输介质的表面上留下笔迹,使用方便自由,外形和尺寸与普通钢笔相似。     

智能网中的SCP过载控制研究

本文首先对Ｃａｌｌａｇｐ、Ｐｅｒｃｅｎｔ和漏梭算法进行了比较,得出了漏桶算法健壮性强适用于ＳＳＰ限制呼叫的结论。通过对过载控制框架的描述,提出了一种基于动态调整的控制算法用于ＳＣＰ过载控制。最后将算法进行扩展,使其满足不同的公平性条件,并适合在多业务环境各执行。模拟结果表明此算法具有较好的有效好性和公平性。     

数字化短波三信道接收机

介绍了数字化短波同频三信道接收机,该接收机采用大动态混频、数字直接频率合成、数字滤波和数字信号处理（ＤＳＰ）技术。文中分析了该接收机的工作原理,提出了具体实施方案。     

软开关高功率密度DC／DC变换器发展动态

本文介绍了世界开关电源市场中DC/DC变换器向高功率密度化发展的主要趋势及世界市场对高功率密度DC/DC产品的需求现况。软开关DC/DC产品的问世标志着第一代PWM高功率密度DC/DC变换器将完成其历史使命;被称为第二代高功率密度DC/DC变换器的软开关DC/DC将成为未来的主流产品。本文还介绍了软开关DC/DC的代表性产品,美国Vicor开关电源公司的VI-300系列DC/DC变换器的主要特点。     

100 kHz~6 GHz宽带接收机设计

为解决射频信号接收系统前端因强电磁干扰而发生的互调干扰、阻塞和饱和等问题,设计基于宽带匹配网络优化了一款高效率宽带接收机。该接收机模块工作频率覆盖整个S波段,其采用4线制SPI接口,根据上位机的指令完成链路控制。除此之外,采用7阶巴特沃斯低通滤波器设计,严格保证带内最佳平坦度和端口驻波比。实测结果表明,该接收机模块实现了100 kHz~6 GHz的信号放大和下变频,并以140 MHz和100 kHz~19.999 MHz的中频输出,具备内外部10 MHz参考时基自动切换功能。可见射频接收前端优化设计可实现对目标侦测频段内信号的高选择性跟踪预选,使接收系统对强干扰信号进行有效抑制。     

基于异构数据的电力短期负荷大数据预测方案

随着多种可再生能源电力的接入,电力系统正在向更智能、更灵活、交互性更高的系统过渡。负荷预测,特别是针对单个电力客户的短期负荷预测在未来电网规划和运行中发挥着越来越重要的作用。提出了一个基于异构数据的电力短期负荷大数据预测方案,该方案收集来自智能电表和天气预报的数据,预处理后将其加载到非关系型数据库中进行存储并做进一步的异构数据处理;设计并实现了一个长短期记忆递归神经网络模型,用于确定负荷分布并预测未来24 h的住宅小区用电量;最后利用一个住宅小区的智能电表数据集对提出的短期负荷预测框架进行了测试,并使用均方根误差和平均绝对百分比误差两个指标,对比了预测模型与两种经典算法的性能,验证了所提模型的有效性。     

用于射频滤波器的LN单晶薄膜XBAR的性能研究

基于铌酸锂(LN)薄膜的横向激发体声波谐振器(XBAR)能够兼具大机电耦合系数(K²)和高谐振频率(f)特性,有望满足5G应用的频段要求。然而,常规LN薄膜单层XBAR结构的温度稳定性较差,频率温度系数(TCF)较低。该文提出一种具有SiO₂温度补偿层的SiO₂/LN双层结构XBAR,并建立了精确分析层状结构XBAR的有限元模型。理论分析表明,该双层结构XBAR上激励的主模式是一阶反对称(A1)兰姆波。通过合理优化结构参数配置,能够获得高谐振频率(f～4.75 GHz)和大机电耦合系数(K²～8%),同时其温度稳定性也得到显著改善(TCF～-36.1×10^-6/℃),相较于单层XBAR结构提高了近70×10^-6/℃,这为研制温补型高频、大带宽声学滤波器提供了理论基础。     

基于SOI衬底的宽带低损耗声表面波滤波器研究

使用结构为42°Y-X LiTaO₃(600 nm)/SiO₂(500 nm)/Si的SOI衬底,通过抑制横向模式等优化设计,研制了单端谐振器和声表面波滤波器。经测试,谐振器的谐振频率为1.5 GHz,品质因数(Q)值高达4 000;滤波器的中心频率为1 370 MHz,插入损耗为-1.2 dB,1 dB带宽为74 MHz,相对带宽达到5.4%,阻带抑制大于40 dB,且温度系数在-55～+85℃时优于-9×10^-6/℃。该产品具有高频、宽带、低损耗、低温漂、高阻带抑制的特点,其性能指标优异,具有很好的实用性。