我国表面安装器件发展状况

概括介绍我国表面安装器件十年来的生产发展状况，提供至今生产线的引进分布、品种生产能力、原材料国产化、外形和引线框架标准、市场、国内表面安装技术设备研制动向，说明存在的问题和国外技术上的差距，从而就社会主义市场经济下，如何发展表面安装产业，提出一些建议以供参考。     

微波宽频带功率负载的研究

介绍了５００Ｗ宽频带功率负载的设计及实验结果，并将研究成果扩展到１０～１０００Ｗ范围。负载主要技术指标：输入阻抗５０Ω，频带宽度０～１０００ＭＨｚ，电压驻波比≤１．１．表面最高温升△ｔ≤１００℃。     

纳米硅量子线的发现与研究

一维纳米材料是当今介观物理学研究的前沿领域．文章报道了一种利用脉冲激光成功地制备纯度高、直径分布均匀的纳米硅量子线（ＳｉＮＷｓ）的方法，介绍了纳米量子线的形貌、显微结构、生长机理和物理性能研究的最新结果．纳米硅量子线的发现具有重要的科学意义和潜在的应用前景．     

阶跃电压法确定产生寿命的计算公式

采用一个最近发展起来的产生区宽度模型，导出了描述阶跃电压作用下ＭＯＳ电容器的电容－时间瞬态特性方程，给出了阶跃电压法确定产生寿命的一个计算公式。     

高扭曲向列液晶显示器件的特性研究

本文研究了高扭曲向列液晶显示器件（ＨＴＮＬＣＤ）（扭曲角９０～１８０°），此器件与扭曲向列液晶显示器件（ＴＮＬＣＤ）相比较，能够增加液晶显示器件扫描行数并改善视角特性，其制造技术与ＴＮ器件相似，具有很大的应用价值。     

GaN MESFET的微波性能

用ＭＯＣＶＤ法制备了在高电阻率ＧａＮ层上生长沟道厚度为０．２５μｍ的ＧａＮＭＥＳＦＥＴ，这些器件的跨导为２０ｍＳ／ｍｍ，其中一个栅长为０．７μｍ的器件，测得其ｆＴ和ｆｍａｘ分别为８和１７ＧＨｚ。     

复合栅控二极管新技术提取热载流子诱生的NMOS/SOI器件界面陷阱的横向分布

提出了用复合栅控二极管新技术提取MOS/SOI器件界面陷阱沿沟道横向分布的原理,给出了具体的测试步骤和方法.在此基础上,对具有体接触的NMOS/SOI器件进行了具体的测试和分析,给出了不同的累积应力时间下的界面陷阱沿沟道方向的横向分布.结果表明:随累积应力时间的增加,不仅漏端边界的界面陷阱峰值上升,而且沿沟道方向,界面陷阱从漏端不断向源端增生.     

利用单片机和CPLD实现直接数字频率合成(DDS)

与传统的频率合成方法相比，DDS合成信号具有频率切换时间短，频率分辨率高，相位变化连续等诸多优点，使用单片机灵活的控制能力以及良好的人机对话功能与CPLD器件的高性能，高集成度相结合，可以克服传统DDS设计中的很多不足，从而设计开发出性能优良的DDS系统。