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991.
992.
S波段脉冲大功率SiC MESFET 总被引:3,自引:3,他引:0
采用自主开发的3英寸(75mm)SiC外延技术和SiC MESFET的设计及工艺加工技术,成功地实现了S波段中长脉宽条件下(脉宽300μs,占空比10%),输出功率大于200W,功率增益大于11dB,功率附加效率大于30%的性能样管,脉冲顶降小于0.5dB,实现了大功率输出条件下的较高功率增益和功率附加效率及较小的脉冲顶降,初步显示了SiC功率器件的优势。器件设计采用多胞合成技术,为减小引线电感对功率增益的影响,采用了源引线双边接地技术;为提高器件的工作频率,采用了电子束写栅技术;为提高栅的可靠性,采用了加厚栅金属和国家授权的栅平坦化发明专利技术;同时采用了以金为主体的多层难熔金属化系统,提高了器件的抗电迁徙能力。 相似文献
993.
994.
995.
996.
白光LED应用在照明领域对其技术参数的要求很高,尤其是室内白光大功率灯具产品对发光效率、色温及显色指数有更高的要求。文章探讨了一种前沿的色温及显色指数可调的技术,通过红光补偿提升显色指数,并通过黄光补偿降低色温,该技术的优势在于显色指数及色温可调的同时,发光效率也有提升。 相似文献
997.
998.
从频率合成器的构成和噪声模型入手,分析了主要单元电路对噪声的贡献,进而研究了各频率合成器模块中的噪声影响因子,建立了不同模块的噪声模型,并在模型基础上改进了压控振荡器的电流源结构及鉴相器的延时单元电路,从而提高了频率合成器的噪声性能。根据上述方法,采用0.18μm射频CMOS工艺设计实现了一款低功耗、低噪声的频率合成器,经测试,核心电压1.8 V,功耗54 m W,带内噪声达到了-98 d Bc/Hz。测试结果表明噪声指标达到了国外同类产品水平,为设计和研发高集成度的射频收发系统芯片提供了很好的参考。 相似文献
999.
本文从安全生产的角度,对于大功率广播发射电台的危险源的辨识方法、类型进行了分析,并列举了一些实例,提出了危险源整改的思路,以期为类似单位进行危险源的辨识管理提供参考。 相似文献