大功率半导体激光器腔面氮钝化的研究

针对980 nm大功率半导体激光器腔面离子铣氮钝化处理工艺进行了研究,发现腔面离子铣氮钝化可以提高激光器的输出特性及COD功率,器件输出功率提高了32.14%;老化实验后,经过氮钝化的半导体激光器没有明显退化,而未经氮钝化处理的激光器退化严重;使用俄歇谱测试仪(AES)对钝化处理后的半导体激光器试验片进行测试,发现有部分的氮离子遗留在腔面处;氮元素含量由原有的0%上升到20%,与此同时,氧元素的含量由原来的61%降至30%。结果表明,该技术能够改善半导体激光器的腔面特性,器件的可靠性和使用寿命可望得到提高。     

一种新的雷达大功率合成器网络及其组成

介绍运用微波网络的原理设计的一系列用于全固态发射机的大功率合成器。概述了大功率合成技术演变的几个关键技术因素。给出了一些合成器的实验数据，较好地解决了大功率合成中的几个关键问题。     

GaAs基大功率激光器静电失效现象的研究

为了判别大功率半导体激光器是否为静电损毁失效,对大功率半导体激光器进行了静电损毁机制的研究。通过测量和表征大功率半导体激光器静电损毁现象,为判别其失效提供有效判据。首先,对GaAs基980 nm大功率半导体激光器(HPLD)分别施加了-200 V,-600 V,-800 V,-1200 V以及+5000 V的静电打击(ESD),每次打击后,测量样品电学参数和光学参数。其次,对打击后的器件进行腐蚀并显微观察其打击后损伤现象。反相ESD后,半导体激光器I-V曲线有明显的软击穿现象,在反向4 V电压下反向1200 V静电打击后漏电为打击的5883854.92倍。正向5000 V静电打击后器件没有明显的软击穿现象,且功率下降很小。在反向ESD后器件腐蚀金电极后表面有明显熔毁现象,正向静电打击后则没有此现象。通过正向静电打击和反向静电打击下器件反应的不同I-V特性和损伤表征,推测正向瞬时大电压大电流下,器件的I-V特性无明显变化,而反向大电压大电流打击会导致I-V曲线出现明显软击穿,功率下降和表面熔毁现象,为判别静电损毁提出了有效判据。     

用于大功率LED冷却的热管散热器的实验研究

提出了一种将大功率发光二极管(LED)散热和热管传热相结合的用于大功率LED冷却的热管散热器新概念,并对设计出的热管散热器的传热性能和整体的均温性进行了试验研究.试验结果表明,热管散热器的热阻在0.21～2.6 K/W,且整个散热器具有均匀的温度分布.与当前的LED散热器相比,这种结构的热管散热器具有散热效率高、结构紧凑、热阻小、重量轻、成本低等特点,可以满足未来大功率LED散热的要求.     

大功率双路交错并联APFC模块的设计与实现

采用双路交错并联有源功率因数校正技术(interleaved active power factor correction,Interleaved APFC),设计并实现了一款高功率因数、小体积、高效率、低谐波的“绿色”功率因数校正模块。3500 W样机实验结果表明:该功率因数校正模块在单相165~275 VAC电压范围内,得到稳定的直流电压输出,输入交流电流能很好地跟踪输入交流电压,峰值功率因数达到0.998,峰值效率达到96.9%。其工作可靠,成本较低,已成功用于多种中大功率激光器供电系统。     

充电器大功率变压器的设计

介绍开关电源高频大功率变压器设计的材料选择、计算方法和过程,并给出了一个充电器大功率变压器的设计实例,实验证明该变压器符合实际要求。     

适用于大功率光电芯片散热的一体化平板热管

为解决大功率光电芯片散热问题,构造了一种新结构一体化平板热管。利用超轻多孔泡沫金属作为毛细吸液芯,以水、丙酮和乙醇为工质,在不同充液比、加热功率和倾角条件下对新结构热管的热性能进行了研究,结果表明,这种新结构平板热管不仅消除了热管与散热片间的接触热阻,而且使整个散热翅片也处于均温状态,当功率达到380W、热流密度超过445 W/cm2时,热管仍具有较好的均温特性,且热阻较小,可达0.04℃/W。在3种工质中,水是最佳工质选择,且当充液比为30%时具有较好的效果。实验表明,以泡沫金属为吸液芯的新结构一体化平板热管具有很好的传热性能,并扩展了承载大热流密度的能力。     

X频段高频谱纯度频率合成器设计

针对高灵敏度接收机对频率合成器的高技术指标要求,构建了一种融合了直接模拟、直接数字以及间接数字的频率合成技术方案,根据该方案,成功实现了频率合成器的工程研制。通过测试,频率合成器相位噪声达-112 dBc/Hz@5 kHz,杂散抑制优于-75 dBc,频率分辨率小于1 kHz,10 MHz跳频时间约为13 μs,满足了高灵敏度接收机对频率合成器的高技术指标要求,为高纯度频率合成器的实现提供了一条新途径。     

808 nm波长光纤耦合高功率半导体激光器

采用柱透镜对半导体激光器（ＬＤ）的输出光束进行了有效收集、预准直及多模光纤之间的耦合实验。采用８０８ｎｍ波长,１５０μｍ条宽结构的激光器件,与２００μｍ芯径平端光纤的耦合效率高达９０％以上,光纤输出功率为１．０Ｗ。分析了影响耦合效率的主要因素     

一种Ka波段三路波导功率分配/合成器的设计

提出了一种波导三路功分器结构,该功分器采用E面T型缝隙耦合结构来实现功分比的调节。通过调节耦合缝隙以及感性膜片,使输入阻抗匹配并且实现等功率同相位的三路功分输出。为了实现功率合成,采用对称的两个三路功分器进行背靠背级联实现功率合成网络,仿真结果显示出良好的驻波效果和极低的插损。最终对加工出的实物进行测量,在32.5~36 GHz频段内实现了输出功率幅度不平衡度小于0.5 dB的良好效果。通过背靠背连接两个功分器实现了在33.3~35.3 GHz带宽内插损小于0.3 dB的功率分配/合成网络。