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991.
992.
一类多氟负介电液晶单体的合成及性能研究 总被引:1,自引:1,他引:0
为了满足液晶母体在各种情况下的参数要求,合成了6种新型的具有2个或2个以上的2,3-二氟苯基的有较大负介电各向异性的化合物。以2,3-二氟丙基苯或2,3-二氟苯乙醚为原料,通过一系列反应合成了目标液晶单体。经过核磁共振、元素分析和质谱等方法确定了分子结构;利用示差扫描量热仪、阿贝折射仪和电容电抗测试仪等测试手段对其进行测定。实验表明,这类多氟化合物有着较大的光学各向异性(Δn=0.22~0.33)和较大负值的介电各向异性(Δε=-7.63~-12.02)。该类型的多氟化合物可以用于液晶母体的调配并且改善其部分性能。这类多氟化合物原料易得、收率较高(总收率50%),极易实现工业量产。 相似文献
993.
本文针对本科编程类课程综合性、系统性较强,知识点连贯的特点,结合"EDA技术与PLD设计"课程开展项目研究式教学法和多因子加权考核法的教学改革研究,其结果能实现全方位、多角度、全过程的考核学生的学习状况,可提高学生学习的主动性和授课效果。 相似文献
994.
995.
996.
997.
在图像融合领域,基于多尺度变换的图像融合方法是研究的热点,文中提出了一种基于多尺度变换和粒子群优化的图像融合方法,对基于多尺度变换得到的融合图像,利用粒子群优化进行进一步处理,并讨论了优化算法中初始图像质量对最终结果的影响。实验结果表明,该算法具有较好的融合结果,且优化时选取偏差大的初始图像粒子,能够获得更好的融合结果。 相似文献
998.
基于磁性合金的等离子体刻蚀工艺,在中国科学院微电子研究所自主研发的刻蚀设备中,使用Ar,CO和NH3的混合气体对用于形成磁随机存储器(MRAM)的多种磁性金属叠层进行刻蚀.采用两步刻蚀的方法刻蚀了多层磁性金属叠层,每一步的刻蚀气体组分不同,研究了Ar气在混合气体中的体积分数对材料刻蚀速率和侧壁形貌的影响.结果表明,刻蚀速率随着Ar气体积分数的增加而增加,而侧壁倾角则随着Ar气体积分数的增加而减小.两步刻蚀的方法可以根据材料的结构特点来控制Ar离子轰击的作用,可以得到大于21.4 nm/min的刻蚀速率和约90°的侧壁倾角. 相似文献
999.
基于0.18 μm CMOS工艺,实现了一种6阶有源RC模拟滤波器,截止频率可以配置为1.25 MHz/2.5 MHz/5 MHz/10 MHz,增益可以配置为0 dB/6 dB/12 dB/18 dB,能够应用于WiMAX/WLAN接收机。采用一种新型的自动频率校准电路,使滤波器的截止频率不受工艺变化的影响。测试结果表明,在1.8 V电源电压下,消耗电流16 mA,输入3阶交调为23.4 dBm。正交两路模拟滤波器与频率校准电路所占面积为0.38 mm2。 相似文献
1000.
Voronoi图栅格生成算法GPU并行实现 总被引:1,自引:0,他引:1
针对矢量法生成Voronoi图计算与存储复杂的缺点,重点分析研究了Voronoi图的栅格生成方法。对不同的栅格生成算法的复杂性和效率进行了比较分析,并针对以往方法速度较慢的问题,提出一种CUDA平台下GPU并行栅格扫描的方法。该方法利用GPU的多线程特性,将各个栅格的计算分散到不同的线程中并行处理。相比其他栅格生成方法,该方法不需要考虑栅格的规模,能够以几乎线性的时间完成Voronoi图的生成,极大地提高了生成速度。 相似文献