单片集成电路高台面联线

介绍了ＧａＡｓ ＭＭＩＣ高台面刻蚀制备工艺方法，解决了高低台面联线问题，提高了单片集成电路性能，保证了可靠性。     

三维多芯片组件—实现系统集成的有效技术途径

三维多芯片组件是实现电子装备系统集成极为有效的一条技术途径。本文阐述了三维多芯片组件发展驱动力，技术概念，结构类型以及实用例，旨在促进我国的多芯片组件技术从二维向三维技术发展，使之在系统集成中发挥重要作用。     

多区集群移动通信系统的话务量模拟和分析

本文介绍了多区集群移动通信系统及其话务特性，在此基础上提出了一种对多区集群移动通信系统进行计算机话务模拟的方法，并给出了模拟和分析的结果。     

介绍一种多操作系统控制管理器

本文介绍了应用一种多操作系统控制管理器－ＳＣ对硬盘进行分区和管理的方法。     

非晶调制多层膜Nb/Si中的互扩散研究

利用原位Ｘ射线衍射技术得到非晶调制多层膜Ｎｂ／Ｓｉ中的互扩散系数与退火温度的关系，调制周期Ｌ＝３.２ｎｍ的非晶调制多层膜是用粒子溅射方法制备的．温度范围为４２３—５２３Ｋ的有效互扩散系数通过原位测量多层膜的一级调制峰强度与退火温度之间的关系而得到．利用缺陷陷阱延迟扩散机制解释了所得到的扩散系数与退火温度的关系．建立了可以解释较小前置系数的模型 关键词：     

国外MCM及其主要制造技术的发展现状

MCM具有胜过PCB、LSI和一般HIC的诸多优点,正在逢勃发展,可望成为九十年代的代表性技术。本文从市场和技术两个方面评述MCM的发展潜力,重点介绍近年来国外MCM主要制造技术的现状及发展态势,试图引起人们对它的关注。     

采用区内C／I平衡的多区峰窝CDMA系统下行链路的性能

本文对采用区内Ｃ／Ｉ平衡的多区蜂窝ＣＤＭＡ系统下行链路的性能进行分析，给出两种区内Ｃ／Ｉ平衡算法并比较它们的性能，考虑呈对数正态分布的阴影和Ｒ＾－４规律的路径损失的综合影响，采用与传统不同的小区平均中断概率来评价系统的性能。     

应力对M-Z型InP/InGaAsP-EAM偏振

采用Agilent 81910A光子全参量测试仪,首次实验研究了InP/In1－xGaxAs1－yPy-MQW（Multiple-Quantum-Well,MQW）材料与衬底间因应力而产生的M-Z型光调制器的PDL影响以及由此引起的由差分群时延(Differential Group Delay,DGD)表征的偏振模色散(Polarization Mode Dispersion,PMD).研究结果表明,半导体MQW光调制器的PDL与DGD是一致的.因此在半导体光器件的制作过程中,应尽可能地减小衬底与波导芯层之间的因残存应力的存在造成对光器件的高速性能的不利影响.