解理面预处理方法对二次外延的影响

利用超晶格解理面方法制备定位生长的InAs量子线.首先以分子束外延技术在OaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs超晶格,然后将样品取出外延系统进行解理,对解理面进行预处理之后在(110)解理面上进行二次外延.实验结果显示超晶格解理面的预处理方法对二次外延有重大影响,其中择优腐蚀比自然氧化更有利于量子线的定位生长,过高温度的脱氧除气会导致解理面的GaAs部分出现坑状结构,表明(110)面上的Ga原子容易脱附.同时,Ga原子在(110)面上的迁移长度比较大,原子的择优扩散方向为[001]方向.     

全球通GSM数字移动通信网容量增加解决方案

首先从理论方面分析了GSM网络容量的计算方法 ;接着又理论联系实际 ,根据GSM网络运行的情况 ,叙述了增加GSM网络容量的几种实用技术 ;最后提出了增加GSM网络容量的具体步骤与建议。     

超薄氧化层的电击穿特性

本文在测试分析N 理层—隧道氧化层一多晶硅电容（N OP电容）、P衬底一隧道氧化层一多晶硅电容（POP电容）和EEPROM单元隧道氧化层电容（TOP电容）的I－V特性、I－t特性、V－t特性的基础上,对隧道氧化层的击穿特性进行了理论分析,并提出了提高隧道氧化层可靠性的具体措施。     

WLAN标准IEEE802.11ac/ad及其关键技术

阐述了WLAN技术的发展现状,并详述IEEE802.11ac/ad标准中新增关键技术。MU-MIMO及MAC层增强技术是IEEE802.11ac标准中的两大新增技术,而多频段互操作快速会话迁移（FST）技术以及自适应波束赋形技术是IEEE802.11ad标准中的关键技术改进,同时进一步阐述了802.11ad标准中支持的不同物理层类型及其应用场景。     

530～650MHz 20W CW Si-VDMOS场效应晶体管

报道了530~650MHz 20W连续波Si-VDMOS场效应晶体管的研制结果。该器件采用polySi/WN/Au的多层复合栅技术降低栅串联电阻,采用栅下场氧化垫高技术降低反馈电容,采用穿通型硅外延材料优化导通电阻提高器件工作效率,全离子注入自对准工艺等技术,在上述频带内,连续波,28V工作电压下,静态电流50mA,该器件输出功率达20W,效率达49%,增益大于7.5dB。     

基于跨层设计的无线网络QoS技术

随着多媒体业务的不断发展,如何保证无线网络上的QoS成为一个很重要的问题.基于传统的分层设计方法很难适应快速变化的无线通信环境.主要研究无线网络QoS的跨层设计技术,分析了无线网络的特点及其QoS需求,在此基础上阐述跨层设计的思想和方法,讨论了QoS跨层设计目前存在的问题,对QoS跨层设计技术进行了展望.     

VDMOS均匀掺杂外延区优化设计的简单理论

在高压ＶＤＭＯＳ器件中,保证足够高的漏源击穿电压ＢＶＰＴ和尽可能低的比导通电阻Ｒｏｎ是设计中必须同时考虑的两个相互矛盾的主极方面。对于耐压高的ＶＤＭＯＳ,Ｒｏｎ主要由外延区决定。本文通过外延区为均匀掺杂的ＶＤＭＯＳ穿通击穿条件和外延区比导通电阻Ｒｏｎ的理论分析,首次得到了Ｒｏｎ随外延区参数,击穿电压变化的简捷普适关系。     

物联网信息安全的探讨

随着信息技术的发展,物联网已经逐步深入人心,成为今日主要的科技研究方向之一。本文从物联网信息安全问题出发,在分析物联网自身特点基础上,提出了物联网信息安全防范措施。     

波导电铸工艺实践

介绍了电铸技术在波导制作中的应用。详述了电铸波导的工艺流程与操作要点。研究电铸各工序对电铸层的影响,制定适合我公司波导生产的电铸工艺。