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81.
硅基红外信平面阵列技术的新进展(Ⅱ) 总被引:2,自引:0,他引:2
主要介绍以硅为衬底的PbS,PbSe,PbTe,PbSnSe,HgCdTe,InSb等红外探测器焦平面阵列的新进展。 相似文献
83.
激光淀积YBa2Cu3O7外延超导薄膜 总被引:4,自引:2,他引:2
利用准分子脉冲激光成功地在(100)SrTiO_3与(100)Y-ZrO_2衬底上淀积了 YBa_2Cu_3O_7超导薄膜,T_c(R=0)>90K,J_c(T<82K)>1×10~6A/cm~2.研究了衬底温度对外延YBa_2Cu_3O_7薄膜超导性能及结构的影响. 相似文献
84.
85.
本文介绍了APON的系统结构和网络分层,并根据AAL5 CPCS子层实现的功能及DSP的优良特性,给出了APON系统ONT中AAL5公共会聚子层的一种实现方案,即应用DSP实现CPCS子层的各项功能。 相似文献
86.
采用多层光刻工艺结合氩离子铣的混合刻蚀方法,刻蚀高Tc超导YBaCuO/ZrO2(100)薄膜图形,取得了较好的结果。在进行氩离子镜的工艺步骤中,使用普通氩离子铣设备(离子束斑极不均匀),但采取了一定的措施─-使被刻样品在刻蚀台座上可移动,模糊地实现了薄膜的相对"大面积"(直径φ≥20mm)均匀刻蚀─-可同时刻蚀2~3片6mm×10mm薄膜,并且被刻蚀部分表面起伏约在10nm左右。图形样品的最小线条达2μm,其Tc、Jc人与刻蚀前薄膜的Tc、Jc相当,即:TC为85~90K,Jc~106A/cm2(在77K下)。 相似文献
87.
采用固源Si分子束外延,在较高的生长温度于Si(100)衬底上制备出Si1-xGex/Si量子阱发光材料。发光样品的质量和特性通过卢瑟福背散射、X射线双晶衍射及光致发光评估。背散射实验中观察到应变超晶格的反常沟道效应;X射线分析表明材料的生长是共度的、无应力释放的,结晶完整性好。低温光致发光主要是外延合金量子阱中带边激子的无声发射和横光学声子参与的激子复合。并讨论了生长温度对量于阱发光的影响。 相似文献
88.
89.
90.
利用SIMS和变温霍尔测量手段对P型Hg0.77Gd0.23Te液相外延材料的Ag掺杂技术、机理及掺杂碲镉汞材料的性能进行了研究。结果表明采用AgNO3溶液直接浸泡方式对该材料进行掺Ag是成功的,掺杂浓度与被掺杂材料中的汞空位浓度是一致的,掺杂后,P型碲镉汞材料的受主能级比掺杂前有明显的减小,从实验结果可看到掺Ag碲镉汞材料的电学性能在室温下保持稳定。 相似文献