类氖锗X光激光双程放大实验研究

本文在神光装置上,进行了类氖锗X光激光双程放大实验研究.实验中使用了硅/钼多层膜X光平面反射镜.用平场光栅谱仪测量了X光激光的时间积分和时间分辨信号.实验证实了X光激光的双程放大.时间积分结果表明,双程放大为单程放大信号的5倍多;时间分辨结果表明,对多层镜的作用时间作修正后,双程放大信号的增强倍数还要大.在本实验条件下,多层镜的寿命约为400—700ps.     

外延工艺在集成电路制造产业中的应用

外延（Epitaxy，简称Epi）工艺是指在单晶衬底上生长一层跟衬底具有相同晶格排列的单晶材料，外延层可以是同质外延层（Si／Si），也可以是异质外延层（SiGe／Si或SiC／Si等）；同样实现外延生长也有很多方法，包括分子束外延（MBE），超高真空化学气相沉积（UHV／CVD），常压及减压外延（ATM＆RP Epi）等等。     

MOCVD技术

金属有机物化学气相淀积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, 简称 MOCVD)自 20 世纪 60 年代首次提出以来,经过 70 年代至 80 年代的发展,90 年代已经成为砷化镓、磷化铟等光电子材料外延片制备的核心生长技术,特别是制备氮化镓发光二极管和激光器外延片的主流方法。到目前为止,从生长的氮化镓外延片和器件的性能以及生产成本等主要指标来看还没有其它方法能与之相比。MOCVD技术     

IGBT无损吸收网络的设计

提出一种模块化IGBT无损吸收网络，介绍了其缓冲吸收原理、元件参数计算及一些注意事项。     

TEL面向45nm工艺推出新款介电层刻蚀设备

日本东京电子公司TEL（Toky Electron Ltd．）将在2007年4月开始接受300mm介电层刻蚀设备Tactms Vigus的订单。这套系统应用于45nm半间距节点及32nm逻辑技术。     

三层干扰下的最优无线电信道问题的研究

研究了 2 0 0 0年 MCM— B题 ,将问题推广到有三层干扰的复杂情况 ,给出并严格证明了 ( k,1,1)问题的最优解     

Structure of Callisto and Ice Holes on Its Surface

The discovery of the induced magnetic field of Callisto that is a satellite of Jupiter has been interpreted as evidence for a subsurface salty liquid-water ocean,so we consider a layered structure of callisto,i.e.,a rock-metal core,an outer layer of ice and a middle layer of ocean.For the rock-metal core we try to indicate how the temperature,pressure and mass density depend on the depth.Due to motionn across the magnetic field of Jupiter in a plasma environment,the ice shell of Callisto must be broken down by electric current.     

掺铝氧化锌(AZO)导电薄膜的研究进展

综述透明导电薄膜的性能、种类、制备工艺、研究及应用状况,重点讨论掺铝氧化锌(AZO)薄膜的结构、导电机理、光电性能和当前的研究焦点。并指出,为了进一步提高透明导电薄膜的性能,应从以材料选择、制备工艺、多层膜光学设计等方面深入研发,以满足尖端技术的需要。