WLAN标准IEEE802.11ac/ad及其关键技术

阐述了WLAN技术的发展现状,并详述IEEE802.11ac/ad标准中新增关键技术。MU-MIMO及MAC层增强技术是IEEE802.11ac标准中的两大新增技术,而多频段互操作快速会话迁移（FST）技术以及自适应波束赋形技术是IEEE802.11ad标准中的关键技术改进,同时进一步阐述了802.11ad标准中支持的不同物理层类型及其应用场景。     

530～650MHz 20W CW Si-VDMOS场效应晶体管

报道了530~650MHz 20W连续波Si-VDMOS场效应晶体管的研制结果。该器件采用polySi/WN/Au的多层复合栅技术降低栅串联电阻,采用栅下场氧化垫高技术降低反馈电容,采用穿通型硅外延材料优化导通电阻提高器件工作效率,全离子注入自对准工艺等技术,在上述频带内,连续波,28V工作电压下,静态电流50mA,该器件输出功率达20W,效率达49%,增益大于7.5dB。     

软X射线多层膜光栅

详细介绍了软X射线多层膜光栅的国内外发展概况和广阔的应用领域，全面分析了它的制作工艺，并指出制作多层膜光栅的关键技术及解决方案。     

基于跨层设计的无线网络QoS技术

随着多媒体业务的不断发展,如何保证无线网络上的QoS成为一个很重要的问题.基于传统的分层设计方法很难适应快速变化的无线通信环境.主要研究无线网络QoS的跨层设计技术,分析了无线网络的特点及其QoS需求,在此基础上阐述跨层设计的思想和方法,讨论了QoS跨层设计目前存在的问题,对QoS跨层设计技术进行了展望.     

VDMOS均匀掺杂外延区优化设计的简单理论

在高压ＶＤＭＯＳ器件中,保证足够高的漏源击穿电压ＢＶＰＴ和尽可能低的比导通电阻Ｒｏｎ是设计中必须同时考虑的两个相互矛盾的主极方面。对于耐压高的ＶＤＭＯＳ,Ｒｏｎ主要由外延区决定。本文通过外延区为均匀掺杂的ＶＤＭＯＳ穿通击穿条件和外延区比导通电阻Ｒｏｎ的理论分析,首次得到了Ｒｏｎ随外延区参数,击穿电压变化的简捷普适关系。     

物联网信息安全的探讨

随着信息技术的发展,物联网已经逐步深入人心,成为今日主要的科技研究方向之一。本文从物联网信息安全问题出发,在分析物联网自身特点基础上,提出了物联网信息安全防范措施。     

量子信令分层模型及纠缠分发层功能的实现策略

提出了量子信令的分层模型,分析了各层的功能。针对量子移动通信网与量子固定通信网之间量子信令传递与交换的各种情况,研究了纠缠分发层功能的实现策略。结果表明,所提出的量子信令分层模型,各层功能完善,不仅可以满足未来多用户量子通信的需要,而且分发层功能的实现策略能够适应不同网络之间量子通信的情况,具有很好的通用性。本研究对于未来量子信令标准的制定具有很好的技术支撑作用。     

波导电铸工艺实践

介绍了电铸技术在波导制作中的应用。详述了电铸波导的工艺流程与操作要点。研究电铸各工序对电铸层的影响,制定适合我公司波导生产的电铸工艺。     

粒子群算法优化神经网络结构的研究

针对BP神经网络初始权阈值确定的随机性和隐含层节点数的不确定性,通过利用十进制粒子群优化算法（DePSO）和二进制粒子群优化算法（BiPSO）,同时优化神经网络的初始权阈值和结构。通过粒子群优化算法首先确定一个较好的搜索空间,然后在这个解空间里利用BP算法对网络进行训练和学习,搜索出最优解。通过函数拟合数值实验对该模型来进行训练和测试,相比其他算法,该模型可以获得较高的预测精度,结果表明该方法是可行的。