首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   15141篇
  免费   4176篇
  国内免费   3392篇
化学   4388篇
晶体学   2151篇
力学   646篇
综合类   179篇
数学   730篇
物理学   6590篇
无线电   8025篇
  2024年   99篇
  2023年   372篇
  2022年   407篇
  2021年   467篇
  2020年   333篇
  2019年   443篇
  2018年   277篇
  2017年   413篇
  2016年   486篇
  2015年   603篇
  2014年   1190篇
  2013年   870篇
  2012年   1050篇
  2011年   1025篇
  2010年   1009篇
  2009年   1235篇
  2008年   1291篇
  2007年   1130篇
  2006年   1121篇
  2005年   1097篇
  2004年   1058篇
  2003年   864篇
  2002年   757篇
  2001年   660篇
  2000年   460篇
  1999年   445篇
  1998年   367篇
  1997年   529篇
  1996年   385篇
  1995年   350篇
  1994年   323篇
  1993年   312篇
  1992年   300篇
  1991年   281篇
  1990年   291篇
  1989年   278篇
  1988年   38篇
  1987年   24篇
  1986年   16篇
  1985年   12篇
  1984年   11篇
  1983年   9篇
  1982年   7篇
  1981年   6篇
  1980年   4篇
  1979年   1篇
  1975年   3篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 281 毫秒
91.
横向放大率法确定复合光学系统的基点   总被引:2,自引:0,他引:2  
曹国荣 《物理实验》2002,22(3):13-14,20
介绍了应用测量横向放大率确定两薄透镜组成的复合光学系统基点的方法。由于采用线阵光电耦合器件(CCD)测量物经光学系统成像的横向放大率,提高了测量精度。  相似文献   
92.
在太阳核心的条件下,7Be原子被完全电离.所以,重新计算的7Be和8B太阳中微子流强分别约为4.00×109cm-2·s-1和6.18×106cm-2·s-1,而标准太阳模型预言的7Be和8B太阳中微子流强则分别是4.80×109cm-2·s-1和5.15×106cm-2·s-1.这将进一步增大在Super Kamiokande太阳中微子实验上中微子流强的实验测量值与理论预计值之间的差异.  相似文献   
93.
与(PbS)-{1.12}VS-2,Ba-xFe-2S-4等三元金属硫化物一样[1,2],Sr-{1.145}TiS-3的晶体结构也很复杂[3].在四维超空间群的基础上使用粉末X射线数据和Rietveld分析方法确定了无公度复合晶体硫化物Sr-{1.145}TiS-3的晶体结构[4].它的基本结构是由空间群分别为R3m和P31c的TiS-3亚点阵和Sr亚点阵沿着晶体的c轴相互穿插形成的.以六角晶系来标定,其晶格常数为a-1=a-2=1.15108nm,c-1(TiS-3)=0.29909nm和c-2(Sr)=0.5226nm.用透射电子显微术研究其结构特性的报导还未见到.本文首次报导用透射电子显微术在原子尺度研究复合晶体硫化物Sr-{1.145}TiS-3晶体中Sr原子和S原子相互调制的结果.  相似文献   
94.
布里奇曼法生长碲镉汞晶体的固液界面形态研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
文中综述了布里奇曼法及加速坩埚旋转技术的布里奇曼法生工碲镉汞晶体过程中固液界面形态的研究结果,简单讨论了固液界面形态对组分分布的影响,并将两种技术所得的组分分布结果进行了比较,在分析影响固液界面形态因素的基础上,认为加速坩埚旋转技术是目前改善固液界面形态的有效方法。  相似文献   
95.
96.
水热条件下纳米晶的形成机理   总被引:3,自引:1,他引:2  
  相似文献   
97.
高发射率节能涂料及其应用   总被引:19,自引:0,他引:19  
讨论了高发射率涂料节能的条件,了一种在1000℃仍保持高发射率的优质涂料,并解决了涂料与金属基体的粘结工艺,用此涂料制成增强辐射电阻带和复合炉衬,得到的新炉比旧炉节能20-40%。  相似文献   
98.
99.
100.
引上法Nd:YAG晶体形貌和晶体生长机理   总被引:3,自引:3,他引:0  
  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号