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31.
32.
<正> 开关电源厚膜块(以下简称为膜块)作为一种通用电子部件,广泛应用于家用电器、通信广播器材、电脑显示器以及医疗设备之中。为了适应各种设备不同电源电路之需,膜块的功能有别、型号繁多、且大多是舶来品,许多怪僻型号的膜块一旦损坏,短时很难购到同型号膜块。由于缺件,机器修复难问题十分突出。本文就膜块的全方位检修作必要探讨阐述,和盘托出修理技能,并示出故障检修实例,以飨读者。 相似文献
33.
总结了CSTN空盒及实盒对应干涉环的一些情况,用劈尖原理推算了空盒干涉环明、暗环对应盒厚差值等,推算值与实测值基本相符;提出用实盒干涉环规整程度分析CSTN-LCD 盒厚均匀性或颜色均匀性,由此可以相应深入分析产生盒厚不匀的相关原因. 相似文献
34.
35.
本文简述了红外热成像技术用于厚膜混合集成电路热设计中的理论与实验方法,并讨论了结果。 相似文献
36.
37.
金属迁移能导致混合微电路发生灾难性失效。本文介绍一种简单易行的测试方法-水滴试验法,来测量厚膜电路的实际金属迁移率。用引方法测量时,发现Pd-Ag导体的迁移率最大,Pt-Au导体的金属迁移率最小。 相似文献
38.
HL—1M托卡马克中的硼化 总被引:2,自引:2,他引:0
用碳硼烷加氢直流辉光放电,在HL-1M托卡马克内壁上原位涂覆了含碳硼膜,平均厚度50-70nm硼碳比约为1:6。硼化后器壁条件有了本质的改善,对器壁上氧源的抑制特别显著,也增强了石墨表面抗氢离子和氢原子化学蚀刻能力。硼化显著了改善了等主子体性能和提高了等离子体参数。扰动显著减小,放电稳定性和重复性提高。硼化为低混杂波电流驱动实验创造了良好的壁条件。 相似文献
39.
RIG超高阻片式厚膜电阻器用96%Al_2O_3基片,高阻浆料以钌酸盐作导电相,烧成温度850℃,烧成周期60min,阻值在1GΩ以上。开发产品主要用于传感器及以场效应管为输入级的高内阻放大器中。 相似文献
40.
椭偏法测膜厚的直接计算方法 总被引:15,自引:1,他引:14
改进了椭偏法测薄膜折射率和膜厚的迭代计算方法,由测量得到的起偏角A和检偏角P直接算出薄膜折射率和膜厚. 相似文献