基于定向充电模型的最大化网络累计充电增益

在保证无线可充电传感器网络持续运行的前提下,基于移动定向充电模型,文中研究了最大化网络中传感器节点累计充电增益的充电小车优化调度问题.针对提出的问题,系统化地设计了停靠点选择和路径规划的近似算法.停靠点选择算法在最大化充电覆盖效用方向的基础上,为充电小车选择最佳充电方向,采用最大化覆盖效用总和为充电小车选择停靠点.基于...     

零价铝/铁饱和凹凸棒复合材料活化氧化剂降解4-氯酚的研究

零价铝是高级氧化技术中极具潜力的一种非均相催化剂,然而其表面固有的致密氧化膜影响其电子传递而限制其应用.本文将一种铁饱和的商品化粘土凹凸棒(FeATP)与微米零价铝(mZVAl)球磨复合制得mZVAlFeATP复合材料,并探究其对H₂O₂、过硫酸盐及过一硫酸盐(PMS)活化降解4-氯酚(4-CP)效果. mZVAl-FeATP对PMS具有最佳活化性能,因此系统探究了mZVAl-FeATP/PMS体系的氧化性能与相关机理.结果表明,该体系在p H 3.00～9.00间均能快速降解4-CP,主要活性物质为SO₄^·-,·OH和¹O₂也参与反应. mZVAl作为电子供体,不仅还原mZVAl-FeATP表面吸附态Fe(Ⅲ)生成Fe(Ⅱ)用于活化PMS,还可促进Fe(Ⅲ)/Fe(Ⅱ)循环.除了4-CP,该体系对不同有机污染物在不同水质条件下均有着良好的氧化降解性能,具有较好的应用普适性; mZVAl-FeATP还可通过二次球磨再生恢复其催化活性.综上,该工作不仅克服了...     

ACTIVE CONTROL OF A FLEXIBLE CANTILEVER PLATE WITH MULTIPLE TIME DELAYS

Active control of a flexible cantilever plate with multiple time delays is investigated using the discrete optimal control method. A controller with multiple time delays is presented. In this controller, time delay effect is incorporated in the mathematical model of the dynamic system throughout the control design and no approximations and assumptions are made in the controller derivation, so the system stability is easily guaranteed. Furthermore, this controller is available for both small time delays and large time delays. The feasibility and efficiency of the proposed controller are verified through numerical simulations in the end of this paper.     

SiC功率器件辐照效应研究进展

SiC功率器件是许多航天器用电子设备的重要组成部分,是保障深空探测任务顺利进行的前提和基础。在梳理SiC功率器件发展概况的同时,针对不同SiC功率器件（SiC SBD、 SiC JBS、 SiC MOSFET）在空间辐射环境下的性能退化规律进行了概述,重点分析了辐射环境下SiC功率器件的损伤机理,为SiC功率器件抗辐射技术的长远发展提供了参考。     

基于亿门级UltraScale+架构FPGA的单粒子效应测试方法

UltraScale+ 架构 FPGA 采用 16 nm Fin FET 工艺,功耗低且性能高,但存在粒子翻转阈值下降及多位翻转增多等风险。基于线性能量传输 (LET) 等效机理,选取⁷Li³⁺、¹⁹F⁹、³⁵Cl^11,14+、⁴⁸Ti^10,15+、⁷⁴Ge^11,20+、¹²⁷I^15,25+、¹⁸¹Ta、²⁰⁹Bi 8 种重离子进行直接电离单粒子试验,建立单粒子闩锁 (SEL)、翻转阈值、翻转截面及多位翻转的测定方法。结合 LET 通量及 Fin FET 结构下的注射倾角,搭建甄别单位翻转及多位翻转的识别算法,能够实时处理并实现粒子翻转状态及多位翻转数据的可视化监控。所涉及的单粒子效应 (SEE) 分析方法能够较为全面地评估该电路的抗辐照特性。     

纳米器件单粒子瞬态仿真研究

利用计算机辅助设计软件,研究了不同条件下28 nm体硅器件的单粒子瞬态（SET）效应,分析了不同器件间距、线性能量转移值和粒子入射角度对器件SET效应的影响。随着器件漏极间距的减小,SET脉冲幅度和脉冲宽度随之减小。与垂直入射的情况相比,倾角入射下SET脉冲幅度和宽度的减小程度更加明显,电荷共享效应更加显著。仿真结果表明,合理调节反相器相异节点的器件间距,利用器件间的电荷共享可以有效减弱重离子产生的SET脉冲,减少单粒子效应的反应截面。     

基于双极型晶体管的温度传感器

提出了一种基于双极型晶体管（BJT）宽温度范围的温度传感器。该温度传感器电路通过两个温度特性互补的电流产生一个高斜率的电压,采用电流增益补偿技术和斩波稳定技术来提高传感器输出电压的线性度,同时可通过合理调节电阻值和电流镜比例获得不同的输出电压。在0.18μm HVCMOS工艺下对传感器进行仿真,结果表明,在-55～125℃的温度范围内,温度传感器的温度系数为11.2 m V/℃,误差在-0.8～0.8℃。     

国际股市间动态相依性及高阶矩风险溢出效应研究

基于DECO-FIAPARCH和cADCC-FIAPARCH模型从全局视角及两两股市层面刻画国际股市间的相依结构,并首次将GARCHSK高阶矩波动模型与Connectedness方法相结合,量化国际股市间的高阶矩风险溢出效应.实证结果表明:国际股市间的动态等相关性具备显著的时变性,且易受到重大危机事件的冲击而增强.总体...     

4H-SiC肖特基微型同位素电池(英文)

半导体同位素电池由于其寿命长、集成性优良、环境适应性强等特点成为解决MEMS能源问题的理想手段。利用4H-SiC材料的宽禁带特性,制造了4H-SiC肖特基同位素电池。对电池的耗尽层厚度以及掺杂浓度进行了优化设计,对肖特基金属进行了选择。使用4mCi/cm2的63Ni作为同位素电池的放射源对制造的同位素电池进行了测试。测试结果表明,该同位素电池可以获得31.3nW/cm2的功率密度、0.5V的开路电压、3.13×10-8A/cm2的短路电流密度和1.3%的转换效率。将电池的输出特性和硅基的平板型、3D结构电池输出特性进行了比较,证明4H-SiC肖特基同位素电池能够获得较高的功率密度。电池的性能可通过提升势垒高度、提高工艺质量、更换同位素等方式得到提高。     

复合型砷化镓在10．6μm波长的非线性光学相位共轭特性

用简并四波混频的方法观察了复合型硒化镓的相位共轭效应。测得在10.6μm波长处它的最大共轭反射率Rc=5％,饱和光强Is=16×10~6W/cm~2,三阶极化率X~(3)=3.7×10~(-9)esu。三阶极化率和饱和光强的数值与James等人的价带跃迁理论计算结果相符。