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81.
利用微扰展开技术推导出变参数波振器的小信号增益两个近似求积表达式并将其计算结果与数值模拟结果进行了比较,二者吻合很好。利用近似解析式对小信号增益进行了初步探讨,得到了电子入射能量可低于初始谐振能,能散度允许范围受波振器设计影响以及降低锥度改变率可提高小信号增益等新结论。 相似文献
82.
83.
美国ADI公司推出的24位∑-△模数转换器AD1555/AD1556内含可编程增益放大器,可用于低频、大动态范围的测量,并可实现模拟输入线性输出,AD1555/AD1556有五种不同的增益设定。将AD1555和AD1556数字滤波器/抽样器结合使用可组成高性能的模数转换器,因而可广泛应用于地震数据探测系统和自动测试装置。 相似文献
84.
The electric and magnetic energy distributions in photonic crystals (PC) are calculated by using the plane wave expansion (PWE) method. Even though the total electric and magnetic energy in each unit cell of photonic crystals are equal to each other, the ratio of electric and magnetic energy densities varies depending on the local position. Based on Fermi's golden rule, the optical gain is analysed in the full quantum framework that takes the nonuniform energy density ratio into account. This nonuniform energy density ratio in photonic crystals, defined in an equal form as gain modification factor, leads to spatially inhomogeneous modification of optical gain. Results reported in the paper provide a new perspective for analysing gain characteristics, as well as the lasing properties, in photonic crystals. 相似文献
85.
微通道板增益疲劳机理研究 总被引:2,自引:0,他引:2
微通道板的增益疲劳是微通道板的主要问题之一,本文分析了微通道板的表面结构模型,同通道板活性表面上碱金属的逸出和碳的增加是导致微通道板的增益疲劳的主要原因,另外,探讨碱金属逸出的机理和碳污染的来源,介绍延长微通道板工作寿命的有效方法。 相似文献
86.
叶禹康 《固体电子学研究与进展》1994,14(3):272-276
叙述了外内向功率波复数比的测量方法,给出了散射参数测量的交互换位双信号测量线方法。用此方法测量了双栅GaAsMESFET适用散射参数,并用它设计S波段混合集成双栅GaAsMESFET可控增益放大器。测试结果与设计吻合。 相似文献
87.
基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种线性驱动电路。该电路具有高速和大摆幅的优势,能线性驱动行波马赫-曾德尔调制器(TW-MZM),可满足光通信系统100 Gbit/s单通道的应用需求。驱动电路包括连续时间线性均衡(CTLE)电路、可变增益放大(VGA)电路和基于Cascode结构改进优化的输出级电路,实现了增益可调,且避免发生由较大输出摆幅导致的晶体管击穿。仿真结果表明,电路的-3 dB带宽为43 GHz,其增益在15~25 dB内可调。在56 Gbaud NRZ/PAM4的输入信号下,测得的眼图形状良好,差分输出摆幅峰-峰值达4 V,电路整体功耗为1.02 W,面积为0.33 mm2。 相似文献
88.
89.
江扬杰汪敏桂迪王泽琦吴文 《微波学报》2023,(1):26-29
本文提出一种具有带内低RCS的高增益宽带Fabry-Perot(F-P)谐振腔天线。利用类球形地的开放谐振腔,在谐振基础上激发高次模谐振来扩展F-P天线的宽带。利用尺寸可灵活独立调节的多层PRS单元,针对主极化辐射对天线高次模下辐射的表面电场相位进行调整,以降低方向图旁瓣电平;针对交叉极化散射,能实现约180°的反射相差,然后通过棋盘式布阵来实现带内交叉极化的单站RCS缩减。最终,设计并仿真了整体天线,得到3dB实际增益带宽为33.66-38.69GHz(13.9%),最大增益为24dBi,在33.66-37GHz(9.4%)内的旁瓣电平低于-8dB。在33.6-39.2GHz带宽内,主极化入射时天线具有较低的单站RCS;而对于交叉极化入射,天线单站RCS相较于地板降低了8dB以上。 相似文献
90.
针对硅基毫米波功率放大器存在的饱和输出功率较低、增益不足和效率不高的问题,基于TSMC 40nm CMOS工艺,设计了一款工作在28GHz的高效率和高增益连续F类功率放大器。提出的功率放大器由驱动级和功率级组成。针对功率级设计了一款基于变压器的谐波控制网络来实现功率合成和谐波控制,有效地提高了功率放大器的饱和输出功率和功率附加效率。采用PMOS管电容抵消功率级的栅源电容,进一步提高线性度和增益。电路后仿真结果表明,设计的功率放大器在饱和输出功率为20.5dBm处的峰值功率附加效率54%,1dB压缩点为19dBm,功率增益为27dB,在24GHz~32GHz频率处的功率附加效率大于40%。 相似文献