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采用射频-等离子体辅助化学气相沉积(RF-PECVD)法在硅片、玻璃上生长类金刚石薄膜.通过Raman光谱、AFM等测试手段,研究不同的生长工艺条件下类金刚石薄膜的性质的变化.实验表明,RF-PECVD生长DLC膜,在上方电极处以及较低功率下可获得较高sp3含量的薄膜. 相似文献
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针对商业用户以及工业制造等行业用户对精准定位的需求,从蜂窝网络定位和非蜂窝网络定位的技术演进以及算法融合等方面进行分析和对比,提出将5G增强技术及其演进定位技术与非蜂窝技术相结合的融合精准定位方案,认为能够提高室内外典型场景的定位的便利性和精准度,并可随网络的通感一体化同步平滑演进。 相似文献
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用磁场增强大气压等离子体射流(APPJ)限域改性镍钴合金泡沫(NCF),并在纯水中原位生长镍钴氢氧化物(NiCo(OH)2),探讨等离子体射流对氢氧化物纳米材料电催化性能的影响。结果表明:磁场可有效提高APPJ改性位置的放电强度和活性粒子浓度,提升镍钴氢氧化物纳米晶核的形成密度,加速后续纯水中氢氧化物生长速度。此外,氧化物纳米六方体镶嵌在纳米片边缘,有利于增强电催化稳定性。制备的MOx-M(OH)2/PMNCF电极材料在碱性溶液中(1 mol·L-1 KOH)传递析氢(HER)析氧(OER)电流密度为100 mA·cm-2时,过电位分别为248和385 mV,优于其他化学法制备的同类材料。本文为过渡金属化合物电催化材料的绿色构建提供了一种新方法。 相似文献
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各种电信新技术不断出现,使得网络变革不断进行,从而使得电信运营企业的运营支撑系统面临架构调整和新系统的建设问题。在这种情况下,电信界对新一代的运营支撑系统标准的需求显得更加迫切。一些国际化标准研究组织,如国际电信联盟(ITU)在下一代网络(NGN)管理方面的研究、电信管理论坛(TMF)新一代运营系统和软件(NGOSS)方面的标准、中国通信标准协会(CCSA)在网络管理标准方面的研究等,均取得了实质性的进展。但现有的运营支撑系统仍面临着体系结构改进、支撑重心转移、客户需求导向、技术演进等方面的挑战。 相似文献
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研究了弱硼掺杂补偿对甚高频等离子体增强化学气相沉积方法生长氢化微晶硅薄膜(μc-Si:H)及材料特性的影响.实验发现,随着弱硼补偿剂量的增大,μc-Si:H薄膜的沉积速率先减小后增加,变化范围约为0.7~0.8nm/s.相比较而言,材料的结晶度以及晶粒的平均颗粒尺寸则呈现出先增后减的变化,且变化的幅度较大,当弱硼补偿剂量大于2.5ppm时,过度的弱硼补偿将导致μc-Si:H薄膜的结晶状况恶化.此外,光敏性、暗电导及电导激活能的测量结果进一步表明,弱硼补偿显著影响μc-Si:H薄膜的光电特性,弱硼补偿剂量为2.5ppm左右时,材料的光电特性最为理想.因此,优化弱硼补偿剂量是获得器件级质量μc-Si:H材料的有效途径. 相似文献