多层空气隙Cu互连结构耦合电容的优化

随着超大规模集成电路特征尺寸不断缩小,多层cu互连之间的RC延迟成为一个越来越严重的问题.由于低介电常数(low-k)材料配合空气隙(air gap)结构可用于降低Cu互连导线间的耦合电容从而改善RC延迟特性,建立了单层和多层空气隙Cu互连结构的有限元分析模型,以研究空气隙结构尺寸与互连介质等效介电常数的关系.结果表明,在单层空气隙Cu互连结构中,通过增加互连导线间空气隙的结构尺寸可以减小Cu互连结构中的耦合电容,进而改善RC延迟特性;在多层空气隙Cu互连结构中,通过改变IMD和ILD中空气隙的尺寸结构可以得到RC延迟性能优化的多层空气隙Cu互连结构.     

用于相变存储器的超低输出纹波2X/1.5X电荷泵

本文针对相变存储器编程驱动电路,提出了一种超低输出电压纹波的开关电容型电荷泵。该电荷泵可根据输入电压的不同,自适应工作在2X/1.5X升压模式之间,以获得更高的电源转换效率。相比于传统开关电容型电荷泵,在充电阶段泵电容被充电至预先设定的电压值Vo-VDD(Vo为预期的输出电压);放电阶段,泵电容串联在输入电压VDD与输出端,通过此方法将电荷泵输出端电压稳定在Vo,并有效的降低了由于电荷分享所造成的输出纹波。在中芯国际40nm标准CMOS工艺模型下,对电路进行了仿真验证,结果表明在输入电压为1.6-2.1V,输出2.5V电压,最大负载电流为10mA,输出电压纹波低于4mV,电源效率最高可达91%。     

一种高性能的∑-ΔA/D转换器的设计

提出了一种高速高分辨率的过采样率可配置的四阶基于2-1-1级联拓扑结构的Sigma Delta A/D转换器的设计方法.设计采用的是0.18μm CMOS混合工艺,模拟电路和数字电路的供电电压分别为3.3V和1.8V.该转换器的采样时钟速率最高可以达到64MHz,过采样率可以配置为32、16两种方式,当过采样率为32时,可达到115dB的无杂散动态范围和95dB的信噪比,总功耗约为200mW.     

电化学电容-电压法表征等离子体掺杂超浅结

采用电化学电容-电压(ECV)法对等离子体掺杂制备的Si超浅p n结进行了电学表征.通过对超浅p n结样品ECV测试和二次离子质谱(SIMS)测试及比较,发现用ECV测试获得的p 层杂质浓度分布及结深与SIMS测试结果具有良好的一致性,但ECV测试下层轻掺杂n型衬底杂质浓度受上层高浓度掺杂影响很大.ECV测试具有良好的可控性与重复性.对不同退火方法等离子体掺杂形成的超浅结样品的ECV系列测试结果表明,ECV能可靠地表征结深达10nm,杂质浓度达1021cm-3量级的Si超浅结样品,其深度分辨率可达纳米量级,它有望在亚65nm节点CMOS器件的超浅结表征中获得应用.     

减小SoC系统测试功耗的方法

系统功耗主要取决于系统电源电压、负载电容及节点电平的翻转概率。前两种方法对减少SoC测试功耗的作用非常有限,而通过改变扫描寄存器的结构．即采用扫描阵列结构可以极大的降低SoC测试功耗。     

0．18μm CMOS工艺10Gb／s VCSEL电压驱动器设计

采用SMIC0．18μm1P6M混合信号CMOS工艺设计了10Gb／sVCSEL电压驱动器,可以用于驱动共阴结构的VCSEL。电路采用了RC负反馈技术和C3A（电容耦合电流放大器）结构,仿真结果表明,电路在10Gb／s速率下工作性能良好,最高可工作至12．5Gb／s。电路采用1．8V和3．5V电压供电,直流总功耗为164mw。     

Fe掺杂CaCu3Ti4O12陶瓷的介电性能与弛豫特性研究

采用固相反应法制备了CaCu3Ti4-xFexO12(0≤x≤0.2)陶瓷,通过x射线衍射、扫描电子显微镜、介电频谱和阻抗谱等手段研究了Fe对CaCu3Ti4O12陶瓷的结构和介电性能的影响.研究发现:CaCu3Ti4-xFexO12陶瓷在x取值范围内形成了连续固溶体.随着Fe含量x的增加,晶粒半导性逐渐消失,介电常数减小.当x≤0.04时,在106-108和103-104 Hz频率范围存在介电弛豫行为I和介电弛豫行为Ⅱ,高频介电弛豫行为I与陶瓷内的晶界阻挡层有关,而低频介电弛豫行为Ⅱ与陶瓷表面层发生的界面极化有关.在CaCu3Ti3.99Fe0.01O12陶瓷的高温频谱中,观察到了第三个介电弛豫行为Ⅲ,它与局域电荷的跃迁有关,利用阿列纽斯关系式得到此过程的热激活能0.78 eV.     

Band gap control of phononic beam with negative capacitance piezoelectric shunt

Periodic arrays of negative capacitance shunted piezoelectric patches are employed to control the band gaps of phononic beams. The location and the extent of induced band gap depend on the mismatch in impedance generated by each patch. The total impedance mismatch is determined by the added mass and stiffness of each patch as well as the shunting electrical impedance. Therefore, the band gap of the shunted phononic beam can be actively tuned by appropriately selecting the value of negative capacitance. The control of the band gap of phononic beam with negative capacitive shunt is demonstrated numerically by employing transfer matrix method. The result reveals that using negative capacitive shunt to tune the band gap is effective.     

混沌信号发生器

本给出一种用普通的电阻、电容和运算放大器实现的非自治混沌信号发生器电路。适用于进行混沌理论的演示实验教学。     

(Na1/2Bi1/2)Cu3Ti4O12陶瓷的微观结构和电学性质

利用固相反应法在不同烧结温度条件下制备了一系列(Na_1/2Bi_1/2)Cu₃Ti₄O₁₂(NBCTO)陶瓷样品,研究了它们的晶体结构、微观组织结构、介电性质和复阻抗及其随温度的变化. 实验发现NBCTO陶瓷所呈现出的电学性质与CaCu₃Ti₄O₁₂陶瓷相应的电学性质非常类似. 烧结温度为990℃至1060℃范围的NBCTO陶瓷样品室 关键词： 高介电材料 介电性质 复阻抗 内阻挡层电容