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141.
超级电容器均压方法的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
超级电容器组单体电压不均衡会造成单体使用寿命的缩短、储能密度的降低以及系统可靠性的下降。针对超级电容器组单体电压不均衡的缺陷,介绍了一种新颖的电压均衡电路,该电路电荷的转移不通过超级电容,同时也不需要对超级电容两端的电压进行测量,从而明显降低了系统的复杂性。详细分析了均衡电路的工作原理,并对均衡电路进行了实验测试,实验结果证明该电压均衡电路结构简单、均压速度快且易于实现。  相似文献   
142.
TSM-LC100可控硅整流器模块是为400V电压时高达100kvar的电容性负载而设计。由于采用微处理器控制,模块无须使用电抗器即可自动适应电容器支路,亦可处理高达14%的失谐,并且还可处理440V应用时高达7%的失谐。免维护和无声工作的半导体开关允许低至5ms的开关时间。带风扇的主动温控冷却能够保证充分散热。  相似文献   
143.
振镜结构对精度和速度的影响   总被引:2,自引:0,他引:2  
从振镜的本体结构,使用材料和电容位置传感器三方面来讨论了对其精度和速度的影响  相似文献   
144.
给出了改进的电容式开关等效电路模型以及基于该电路模型的一种新型的多频段工作的电容式RFM EM S开关的设计和制作研究。分析表明,当开关的上电极为多支撑梁结构时,需要对传统的开关等效电路加以改进。利用新型等效电路模型进行模拟发现,通过适当的参数选择,可以获得多谐振点开关,不仅可以在多个频段适用,并且可以适用于较低频段。设计了一种可工作在X波段下的三谐振点电容式RF MEMS开关,并在高阻硅衬底上采用表面微加工工艺制备了开关样品。三谐振点开关的在片测试结果为:驱动电压为7 V,“开”态的插入损耗为0.69 dB@10.4 GHz,“关”态的隔离度为30.8 dB@10.4 GHz,其微波性能在0~13.5 GH z频段下优于类似结构的传统单谐振点开关。  相似文献   
145.
在国内外湿度传感器研究的基础上,基于Si CMOS工艺研制出了以聚酰亚胺(PI)为感湿介质的电容型相对湿度传感器.并对其结构进行了理论分析,仔细确定了湿度传感器的工艺步骤和版图设计.对其测量范围、湿滞和响应时间等特性参数进行了详细的测试.通过实验结果与模拟结果的对比分析,给出了该实验中存在的问题和改进意见,以便在今后的研究中加强这方面的工作.  相似文献   
146.
基于双二阶CMOS开关电容滤波器和隔离串联技术,应用抗混叠滤波技术和平滑滤波技术,采用UMC 0.5μm CMOS工艺实现了CAS解调电路的设计,并保证了解调的灵敏度。仿真和设计结果表明,该解调电路具有良好的稳定性和灵敏度,能应用于各种通信模拟解调集成电路设计。  相似文献   
147.
超级电容不同于一般的储能电池,由于其自身的优点在储能中占据越来越重要的角色。对超级电容原理、优势以及应用场合做了简要的描述,给出了超级电容在理论计算下电路的等效模型,针对超级电容的充电效率、放电效率和储能效率给出了明确的定义。通过对恒流、恒压和恒功率3种充电方式的分析,得出恒压充电效率低不适合超级电容充电,恒流充电具有快速高效的特点,恒功率充电仅适用于特殊场合。  相似文献   
148.
利用自组织生长和选择化学刻蚀方法在超薄SiO2隧穿氧化层上制备了渐变锗硅异质纳米晶,并通过电容.电压特性和电容-时间特性研究了该纳米结构浮栅存储器的存储特性.测试结果表明,该异质纳米晶非易失浮栅存储器具有良好的空穴存储特性,这是由于渐变锗硅异质纳米晶中Ge的价带高于Si的价带形成了复合势垒,空穴有效地存储在复合势垒的Ge的一侧.  相似文献   
149.
沈承舒  古训  陈红 《电子器件》2021,44(4):837-843
在对超级电容组进行直接充电时,存在功率损耗,随着时间增加,充电功率逐渐降低。采用无线恒功率充电,能恒定充电功率,拓宽应用范围。针对超级电容组进行恒功率无线充电的研究,设计了无线充电系统的硬件,并采用经典PID控制算法实现了恒功率充电。硬件设计中给出了无线电能传输环节的硬件设计、充电环节的硬件设计和超级电容组的硬件设计。软件设计中给出了PID控制算法的设计。对系统的硬件设计、无线电能传输原理、恒功率充电PID控制算法做了详细分析。实验中对硬件电路、PID控制算法进行了单独测试,得出了实际测试结果,对直接充电方式、恒压充电方式、恒流充电方式和恒功率充电方式进行了对比测试,得出实验结果曲线,并对结果做以分析,得出恒功率充电方式的优越性。  相似文献   
150.
随着流水线ADC精度的不断提高,其转换器性能受到各种电路非线性的严重影响.电容失配是引起非线性的一种主要因素.实践表明,电容误差平均技术是消除失配误差的一种有效途径.介绍几种重要的电容误差平均方法的原理和工作方式,并指出各自存在的优缺点.最后对误差校准技术的发展趋势进行分析与展望.  相似文献   
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