成层地基中变模量埋置框架的波动响应研究

基于埋置框架的回传射线矩阵法,研究土体刚度对埋置框架速度波的影响,探讨接收点对成层地基中的有缺陷埋置框架轴向速度波的影响规律,比较有缺陷埋置框架与有缺陷单桩基础的轴向速度波.结果表明:土体刚度对成层地基中的埋置框架横向速度波影响较大,有缺陷埋置框架与有缺陷单桩基础的轴向速度波有较好的一致性.     

蚀刻金属薄膜法制作埋置电阻印制板的影响因素研究

通过对不同埋阻材料的分析对比和试验测试,选择了一款与现有PCB生产工艺流程匹配度较好,且无需增加其他专用设备和其他特殊工艺流程便可加工的埋阻材料.文章介绍了制作高频高速埋置电阻印制板的工艺流程选择和过程加工难点管控.     

微波LTCC内埋置电感设计与参数提取

采用单π拓扑结构建立LTCC内埋置电感等效电路模型,并利用此模型来提取有效参数及各种寄生参数;采用相对介电常数为7.8、介质损耗为0.0015的微波陶瓷材料,以及银作为内电极,设计出400 MHz频率下大小为6.6 nH的LTCC内埋置螺旋电感,自谐振频率达2.2 GHz,最大Q值为50.2.     

一种基于LTCC技术的螺旋电感带通滤波器

本文提出一种新型的基于低温共烧陶瓷技术(LTCC)的螺旋电感带通滤波器.滤波器的设计是利用螺旋电感的自谐振和谐振单元间的电磁耦合来实现.通过HFSS仿真和等效电路分析,对滤波器结构进行了优化分析.这种滤波器具有体积小.结构布局灵活的优点,可以很好的满足器件埋置的要求.     

LTCC埋置电阻器制造工艺研究

本文介绍了用于X波段T/R组件中的LTCC埋置电阻器的制造工艺。讨论了LTCC工艺参数对电阻性能的影响。     

从基板到功能板-埋入元件基板的趋向

概述了树脂基板从顺序积层向一次性积层多层、埋入元件基板和从基板到功能板的技术趋向。     

世界电源系统大会集两大盛事于一堂

2002年10月27～31日在美国伊利诺伊州RonaldE.Stephens会议中心举行的电源电子技术和电源质量会议是世界电源系统界的一件大事，展览与会议令电源界人士齐聚一堂，带来了最新的电源器件和技术。在参加世界电源系统大会（PowerSystemWorld）的众多公司中，EmcoHighVoltage公司展示了其Q系列绝缘高压变换器。产品外壳的最小尺寸可达0.125立方英寸，50多种型号的产品能提供高达10000V的电压，且具有低脉动和低EMI特性。国际整流器（IR）公司推出的IRIS4009集成开关电源将控制IC和低损耗HEXFET功率MOSFET集成在一个5引脚的封装中…     

LTCC埋置衰减器的实验研究

本文根据LTCC埋置衰减器的实验，阐明了LTCC工艺制作的埋置衰减器在射频/微波领域应用的突出优点，并从便于推广的角度介绍了简便的推算设计方法。     

埋置元件PCB的发展和无源元件结构的变化

概述了新的安装结构的变化，埋置元件PBC的发展，无源元件结构的变化和今后的方向。     

基于LTCC技术的S波段低噪声放大器的小型化设计

分析了低温共烧陶瓷（LTCC）的技术优势和低噪声放大器的工作原理,介绍了该放大器的小型化设计与内埋置方法,提出了一种合理的电路拓扑结构,从而减少了电路的面积与元器件数量。为电路与系统的小型化与低成本设计提供一个参考。