文献与摘要（150）

印制电路板埋置元件技术的未来机遇 埋置元件互连技术发展已有30年历史,其中有多种技术出现,早期有西门子的“SIMOVE”技术是比较成功的。由于半导体技术的驱动,如发展SiP（系统封装）引入发展SiPCB（系统于PCB中）,对PCB提出新要求。在欧洲的发展为PCB更小、成本更低,使得PCB制造与SMT结合成为埋置元件,并结合导热基材应用,有机PCB与陶瓷、硅材料技术应用。PCB埋置元件技术将来会有很大需要。     

埋置电容板板边分层探究和改良

针对埋容板板边分层问题,通过分析并跟进埋容板生产各关键制程,确认了埋容板板边分层的原因。受机械应力作用时铜层与埋容材料层之间出现微小裂纹,随着机械应力作用次数的增加,裂纹扩展导致分层。通过试验验证,更改了埋容层芯板的制作照相底片,彻底解决了埋容板板边分层的问题。     

具有特殊功能的覆铜板

这里所指的特殊功能的覆铜板，主要是指：金属基（芯）覆铜板、陶瓷基覆铜板、高介电常数板、埋置无源元件型多层板用覆铜板（或基板材料）、光一电线路基板用覆铜板等。开发、生产这一类覆铜板，不但是电子信息产品新技术发展的需要，而且还是发展我国宇航、军工的需要。     

文献与摘要(126)

制造埋置无源元件基板Manufacturing Substrates with Embedded Passives现在的数字化电子设备需要安装许多电阻电容等无源元件,把无源元件直接埋置于基板(PCB)内,是减小PCB尺寸、减少安装成本、提高产品性能和可靠牲的有效途径。文章叙述了埋置电容多层板的设计、制造、性能和可靠性测试整个过程,重点是构成电容介质的纳米复合材料结构对电容值和基板电性能影响,采用RC3     

埋置元件印制电路板的实用化开发

所开发的埋置元件印制电路板技术SIMPACT^TM（System In Module using Passive and Active Component Sembedding Technology）课题之一是以降低成本,在热压工序开发出提高生产效率的工艺技术。具体的就是缩短热压时间及采用分多段压合的工艺,以增加处理量。对抽取的必要参数进行评价,确定标准化的生产工艺。结果是每单位时间内,一台热压机所处理的基板数量,比原来常规工艺处理量能提高18倍。 应用这一技术可以实现SIMPACT的低成本化,同时也在HD-PLC^TM（High Definition Power Line Communication）模块方面的应用进行了开发。     

埋置无源及有源元件的B2it印制电路板

文章介绍了在埋入凸块互连技术印制电路板内,埋置无源元件及有源元件的B2it印制电路板。     

基于Maxwell模型的树脂系基板中埋置电容研究

采用Maxwell模型描述树脂系基板中埋置电容的黏弹性变形行为,获得了埋置电容及阻焊膜的Maxwell模型本构方程。对埋置式基板进行了有限元仿真,重点分析了其中的埋置电容在加速温度循环条件下的热机械变形,得出埋置电容变形分布是从其两侧边角位置向内变形量逐渐增大,中间两侧边缘处变形最大,研究了热机械变形对埋置电容的电容量的影响,在此基础上针对典型滤波电路分析了电容量变化对电路可靠性的影响。结果表明,Maxwell模型可以合理描述埋置电容的变形行为并可用于分析系统封装中黏弹性材料可靠性及为埋置无源器件电性能分析提供了参考。     

以BCB为介质层的圆片级三维多芯片封装结构研究

研究了一种新型的圆片级三维多芯片封装结构,该结构以BCB为介质层,体硅工艺加工的硅片为基板,适合于毫米波射频元器件的封装与应用。结构中包含多层BCB介质层和金属布线,同时可以集成射频芯片,薄膜电阻,可变电容等有源和无源元件。封装过程中,射频芯片埋置在接地金属化的硅腔体中,利用热压焊凸点技术和化学机械抛光（CMP）实现多成金属布线间的层间互连。BCB介质层的涂覆、固化和抛磨对封装结构的性能影响较大,为了在进行CMP工艺和多层布线工艺之前得到高质量的BCB介质层,对BCB的固化曲线进行了优化,改进后的BCB介质层在经过CMP工艺后,能够得到光滑可靠的抛磨表面,不易产生质量缺陷,表粗糙度能够控制在10nm以内,利于BCB表面的金属布线工艺。同时,对加工完成的封装结构的力学、热学和射频传输性能进行了测试,结果显示：互连金凸点的剪切力达到70 N/mm2,优化后封装结构的热阻可以控制在2℃/W以内,在工作频段内,测试用低噪放大器的S参数变化很小,插入损耗的变化小于1db,回波损耗在10~15GHz的范围内,低于-8db,满足设计要求。     

次表面微裂纹对偏折主裂纹扩展行为的分布位错理论研究

为研究在拉伸载荷作用下包含一条埋置偏折裂纹和一条任意位置微裂纹的半无限大平面问题.论文基于连续分布位错法,建立相应的位错密度积分方程,并采用GAUESS-CHEBSHEV数值积分法得到其力学参量.通过有限元法对理论结果进行了验证.埋置深度、微裂纹中心到主裂纹尖端的距离将对主裂纹尖端的应力强度因子产生影响;结果表明相比于无微裂纹的情况,在某些方位处微裂纹对主裂纹尖端的扩展起到促进作用,而在其他方位的微裂纹对主裂纹尖端的扩展起到抑制作用;主裂纹尖端的扩展方向和等效应力强度因子相比于倾斜微裂纹而言受水平微裂纹的影响更大.