埋置型多层布线技术中的光刻工艺研究

埋置型薄膜多层布线与其它多层布线技术相比有更高的集成度。本文讨论了埋置型薄膜多层布线基板的制备在光刻工艺中的技术问题及解决措施。并成功地在埋置型双层混合电路中进行了应用。     

文献与摘要（153）

在PCB中埋置元器件是演变或革命 Device Embedding in PCBs：Evolution or Revolution？ 在电子互连结构组件中埋置元件早就有之,因技术发展未能持续而搁置。现在的PCB是买方市场,小型轻量高性能要求的同时是低价格,制造商需配合用户设计进行PCB的创新。本文叙述了欧洲PCB制造业的衰退,而开发埋置元件PCB是产业发展出路,提高了PCB的功能与价值。     

基于LTCC匹配的宽带低噪声放大器研究

小体积、低功耗、宽频带是低噪声放大器发展的重要方向.本文设计了一个基于LTCC技术的宽带低噪声放大器,运用LTCC的高集成特性对匹配电路进行内埋置,并对电源杂波进行抑制,在保障性能的条件下最大限度缩小了体积.该放大器在工作频率0.2GHz～4.1GHz范围内体现了小体积,低功耗,低噪声,宽频带的特性,适用于该频段各种接...     

低温共烧陶瓷埋置电感和电容的研究

讨论了低温共烧陶瓷(LTCC)埋置电感、电容的几何结构,并进行仿真,分析了结构变化对电感性能的影响,并进行实验制作,通过测试样品以验证仿真结果。仿真结果中找到的规律有效的节省了器件设计的时间,为等效模型的提取和元件库的建立奠定了一定的基础。     

低温共烧陶瓷LTCC埋置电感的研究

文章讨论了低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-Fired Ceramic——LTCC)埋置电感的几何结构,并进行了仿真。分析了结构变化对电感各参数的影响,并通过LTCC工艺流程实现样品的制作。经Agilent4285A及4291B等仪器测试,仿真结果与实测结果完全一致,为等效模型的提取和元件库的建立奠定了基础。     

地面和埋置爆炸土中地冲击作用分区数值模拟及试验研究

为研究爆炸条件下土中应力波的时空分布,基于黄土中接触爆炸和半埋爆炸试验,验证了ANSYS/AUTODYN软件建立的计算模型,并在此基础上开展了土中爆炸地冲击效应研究。结果表明:随着土介质深度的增加,感生地冲击峰值减小,而直接地冲击峰值增大,最终,压力和竖向应力时程曲线中的2个峰值减少为1个峰值,据此特征可将土中应力波场分为3个区域,即地表区、近地表区和中心区;当装药比例埋深为-0.05～0.075 m/kg^1/3时,随着装药比例埋深的增大,中心区迅速扩大,地表区迅速缩小,近地表区逐渐扩大;当装药比例埋深为0.1～0.4 m/kg^1/3时,地冲击作用区的分布趋于稳定;爆炸耦合进入空气和土介质中的动能受炸药类型影响,但在一定范围内,地冲击作用区角度与地面空气冲击波超压冲量和直接地冲击应力冲量之比呈线性相关关系。     

埋置空气隙柔性凸点结构随机振动应力应变分析

机械振动疲劳失效是影响柔性晶圆级封装芯片互连结构可靠性的关键因素之一.应用埋置空气隙的柔性凸点结构进行随机振动条件下的有限元仿真分析,建立了三维有限元仿真模型,加载随机振动载荷后分析了X、Y、Z三个方向振动作用下各模态对应互连结构应力应变分布.研究结果表明,随机振动载荷条件下柔性凸点结构最大应力、应变分布位置出现在距离...     

高密度封装进展之一元件全部埋入基板内部的系统集成封装（上）

将无源元件及IC等全部埋入基板内部的三维封装,不仅能提高电子设备的整体性能,有利于轻薄短小化,而且 由于钎焊连接部位减少,可提高可靠性并能有效降低封装的总价格。     

使用在有机基板中埋置无源元件的方法设计集成低噪声放大器

低噪声放大器(LNA)的噪声指数是由电感器的品质因数Q决定的。由于S中高Q电感器的缺乏，在例如GSM和W-CDMA等高灵敏度应用中，完全集成的CMOS LNA的发展已受到很大限制。目前，高Q电感器设计(埋置于低成本的IC封装中)的发展使得射频(RF)前端的单管封装集成成为可能。这些埋置无源元件提供了一个使分立元件或芯片上的低Q无源元件灵活变化、以达到完全集成的方法。与芯片上的低Q电感器和具有固定Qs的分立元件比较而言，这些埋置无源元件的使用同样会引起无源Q作为一个新的变量在电路设计中的应用。然而，高Q同样会引起新的调整，特别是在器件尺寸方面。本文为使用埋置无源元件来设计完全集成的CMOS LNA提供了新的优化战略。为较高Q值所做的电感器尺寸调整已经能够适应LNA的设计方案。文章还介绍了在封装基板中多个埋置元件应用的设计，特别涉及到了无源元件和基准接地布线之间的相互耦合。     

文献与摘要（24）

有机互连载板的密度与频率影响The Impact Of Density and Frequency On Organic Intercon-nect Substrates本文引用美国国家电子制造协会(NEMI)的信息和数据,叙述电子设备高密度化要求,在单位面积上所达到的最多零件数和I/O数。按照:BGA、CSP阵列节距尺寸缩小,列出了现行载板产品的线宽/线距(L/S)和微通孔高密度技术水平,阐述了高速微处理器发展,对基板材料的介电常数,介质损耗有更小要求,以及元器件升温与载板的关系。(By Jack Fisher PC Fab 2003/3共3页)