信息领域中的主要新型元器件(上)

在信息领域中所用的元器件是电子工业的基础,可以说没有元器件的发展就没有电子工业的发展。它的应用非常广泛,并且可能有多种分类方法。本文将粗略地介绍一下无源元件,有源元件,同信息相关的ＭＥＭＳ器件及微传感器。 一．无源元件 无源器件包括小型继电器、片状元件、用于通信设备的陶瓷多层片状元件、声表面波（ＳＡＷ）器件以及以质结二端无源器件。其中,为了发展小型继电器,引进关键技术,有重点进行技术改造,重点发展固体继电器及智能化继电器技术。片状元件主要发展方向是进一步减小尺寸、提高精度、扩大生产。这里重点介绍一…     

LTCC组件技术及未来发展趋势

低温共烧陶瓷具有可实现高密度电路互连，内埋置无源元件，IC封装基板，以及优良的高频特性与可靠性，使之成为目前宇航、军事，汽车，微波与射频发刊词领域多芯片组件（MCM）最常用的技术之一。本文介绍了LTCC技术的现状及发展趋势。     

埋置框架质量检测的探讨

提出了埋置框架的回传射线矩阵法,研究了方波脉冲轴向作用、水平作用和斜向作用下有缺陷埋置框架和无缺陷埋置框架的速度波．结果表明;横向速度波不能识别埋置框架的基桩缺陷,轴向速度波可以识别,而且基桩缺陷信号很强烈;脉冲水平作用不能识别基桩缺陷,轴向或斜向作用可以识别．     

基于埋置式基板的三维多芯片组件的翘曲研究

 采用粘塑性有限元焊球模型以及大形变理论研究了三维多芯片组件(3D-MCM)的翘曲形态特征及其成因,结果表明基板腔室的存在使埋置式基板形成了双弓形翘曲形态,焊球的粘塑性使组件在温度循环中出现了翘曲回滞现象.基板中心空腔能改变基板翘曲形态,有利于减小基板翘曲,并有利于提高倒扣焊器件的热机械可靠性.底充胶能够增强3D-MCM的互连强度,并且能够有效降低3D-MCM温度循环后的残留翘曲度.底充胶的热膨胀系数(CTE)过高可能引发3D-MCM新的失效模式.3D-MCM的云纹干涉实验结果与数值分析结果相符较好.     

文献与摘要（41）

线路上镀铜层的低电阻率化铜めつき膜配线层の低比抵抗化 本文是针对半导体加工为降低线路电阻,采取线路上电镀铜层。但实际上铜电镀层的电阻率比纯铜固有电阻率高,这与受电镀液中添加剂污染有关。本文作者通过实验证实了添加剂对镀层的影响。实验过程有单一添加剂的效果和多种添加剂的效果,并通过优化添加剂含量来得到低电阻值的镀铜层。(By　原澈等 电子材料 　Vol.43 No.6 2004/6)代替焊锡的导电性粘合剂技术与市场动向はんだ代替としての导电性接著剂の技术·市场动向 导电性粘合剂(导电膏)有环境适应性好,可低温接合,适合高温使用等…     

硅埋置型毫米波系统级封装中光敏BCB工艺改进

硅埋置型毫米波系统级封装中,传统光敏BCB工艺常在沟槽处引入气泡及凹陷,导致上层金属线不连续。为减少气泡与凹陷的产生,提出一种新型涂覆工艺——“双型三次涂覆工艺”,即在使用大厚度BCB的基础上,引入低粘滞性BCB,并三次涂覆BCB。采用此工艺对Ka波段低噪声放大器进行封装,发现气泡数量及凹陷程度大大减小,证明了此工艺的可行性及有效性。在25~37GHz频段内,封装后比封装前增益减少1dB,满足高性能封装要求。     

浅议集成电路布图设计之法律保护

集成电路布图设计，简称布图设计，在国务院颁布的《集成电路布图设计保护条例》中对其定义为：是指集成电路中至少有一个是有源元件的两个以上元件和部分或者全部互连线路的三维配置，或者为制造集成电路而准备的上述三维配置。相对其他知识产权来说，布图设计专用权还是比较新鲜的事物，大多数人对其还不甚了解。     

埋嵌元件印制板技术的最新动向

概述了元件埋嵌印制板技术的开发必要性、背景、类型及其特征,最新的开发动向和今后的技术课题。     

内埋置元件基板技术的发展趋势（日本相关专利分析）

本文主要是依据日本近有关电子元件内埋置基板专利,进一步分析剖析日本在内埋置基本板技术方面的发展趋势,让读者对日本在元件内埋置基板的市场与技术趋势有进一步的了解,期望能对国内元件内埋置技术的建立与开发方向有所帮助。分析专利年代范围为1992～2002年。     

中芯国际应用安捷伦EDA软件提供0．18μm工艺全新设计工具集

中芯国际集成电路制造有限公司近日宣布其一套全新的ADS(高级设计系统)设计工具集投入使用，该工具集可帮助实现0．18μm技术工艺上的微波、射频、混合信号／射频、模拟及数字等集成电路的设计。该工具集包含了无源和有源元件，可应用安捷伦科技最新版本的ADS进行仿真。中芯国际此前与安捷伦科技密切协作，共同提高这套工具集在准确性与可应用性方面的性能，以提高设计精确性、高效性，以及缩短产品的设汁开发时间。