埋置电容PCB工艺的开发和量产

根据客户埋置电容PCB量产需求,开发了A与B两种埋容材料的埋置电容工艺,分别为A单面蚀刻工艺与B双面蚀刻工艺。针对客户特殊设计的特殊要求,成功开发了0.1 mm激光通孔埋容板工艺。根据两种埋容材料的不同工艺,进行了理论研究和批量生产,重点研究了翘曲、板损、埋容精度控制、误差控制等问题,设计了埋容板插板架来解决阻焊油墨制作问题并推广。进行上述研究的同时,总结出适合我司的埋容工艺,形成埋容板生产控制文件,实现公司埋容板从试板向量产的飞跃,为公司提供了新的利润增长点。     

国半推出SIMPLE SWITCHER中文版:易电源

美国国家半导体公司日前宣布针对中国市场推出SIMPLE SWITCHER^?中文版——易电源,该工具提供多达12,000款中国国内供应商的无源元件以供选择。此外,美国国家半导体也在全国设立了多个本地销售及技术支持网络,为国内的电源系统设计工程师提     

一种高密度系统封装的设计与制作

介绍了硅基内埋置有源芯片多层布线工艺、低温共烧陶瓷(LTCC)基板工艺、芯片叠层装配等高密度系统级封装技术,重点介绍了系统级封装技术的总体结构设计、主要工艺流程、三维层叠互连的关键工艺技术,以及系统测试和检测评价等技术.     

基于忆阻器的自动增益控制电路设计

忆阻器被认为是除了电阻、电容、电感之外的第四个基本电路元件,它是一种非线性二端无源器件,具有“记忆”功能.忆阻器在众多领域中具有巨大的应用潜力,有望推动整个电路理论的变革.介绍了一种改进的忆阻器SPICE模型,在此基础上,设计了一种基于忆阻器的自动增益控制电路.通过SPICE对电路进行仿真,证明该设计是可行的,完全实现了增益的自动控制.     

埋入无源元件的印制板

随着印制板(PWB)不动产价值的日益提高,工程师们正在寻求没有组合板(Cluttering the board)可以增加功能的新途径,这就是在PWB里埋入无源元件.     

信息领域中的主要新型元器件(上)

在信息领域中所用的元器件是电子工业的基础,可以说没有元器件的发展就没有电子工业的发展。它的应用非常广泛,并且可能有多种分类方法。本文将粗略地介绍一下无源元件,有源元件,同信息相关的ＭＥＭＳ器件及微传感器。 一．无源元件 无源器件包括小型继电器、片状元件、用于通信设备的陶瓷多层片状元件、声表面波（ＳＡＷ）器件以及以质结二端无源器件。其中,为了发展小型继电器,引进关键技术,有重点进行技术改造,重点发展固体继电器及智能化继电器技术。片状元件主要发展方向是进一步减小尺寸、提高精度、扩大生产。这里重点介绍一…     

用模式匹配法分析波导阶梯

在分析微波无源元件时，若所涉及的结构具有固定的横截面边界且不连续性在传播方向，就可用模式匹配法进行分析。模式匹配法的基础是用傅立叶级数对未知电磁场分量加以近似，一旦求得傅立叶级数，场的分布便可以得出，因此也有人称为傅立叶分析法。本文用模式匹配法分析了E面波导阶梯、H面波导阶梯。     

埋置框架质量检测的探讨

提出了埋置框架的回传射线矩阵法,研究了方波脉冲轴向作用、水平作用和斜向作用下有缺陷埋置框架和无缺陷埋置框架的速度波．结果表明;横向速度波不能识别埋置框架的基桩缺陷,轴向速度波可以识别,而且基桩缺陷信号很强烈;脉冲水平作用不能识别基桩缺陷,轴向或斜向作用可以识别．     

电子百科

钽电解电容固体钽电容器是1956年由美国贝乐试验室首先研制成功的,它的性能优异,是所有电容器中体积小而又能达到较大电容量的产品。钽电容器外形多种多样,并容易制成适于表面贴装的小型和片型元件。适应了目前电子技术自动化和小型化发展的需要。虽然钽原料稀缺,钽电容价格较昂贵,但由于大量采用高比容钽粉(30KuF.g-100KuF.V/g),并对电容器制造工艺进行了改进和完善,钽电解电容器得到迅速发展,使用范围日益广泛。     

基于GaAs IPD的X波段200W GaN宽带功率放大器

基于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)研制了一款X波段宽带内匹配大功率放大器。输入匹配电路采用高集成的GaAs集成无源元件(IPD)技术,在有限空间内实现宽带匹配。输出匹配电路采用L-C-L匹配网络及三节阻抗变换线,实现四胞匹配合成。该放大器封装在采用铜-钼铜-铜热沉的金属陶瓷管壳内,尺寸仅为24 mm×17.4 mm×5 mm。测试结果显示,在36 V漏极电压下,8.5～10.5 GHz频带内饱和输出功率大于200 W,功率附加效率≥38%,功率增益平坦度小于0.8 dB。该功率放大器具有广阔的工程应用前景。