用实验室常用电表测量电感线圈和直流电阻箱的交流损耗电阻

1引言在RIAf串联iff振实验中，由于电感线圈和直流电阻箱（因高频电阻箱价格高、取材困难，众多教科书上往往以直流电阻箱取代）所引起的交流损耗电阻的影响，使Q的计算值总是大于它的测量值，如何克服交流损耗电阻所带来的不可忽略的影响，已有许多文献介绍了他们的尝试．以厂是我们对这些问题的看法和探讨；其一，“替代法””‘是在电路谐振时，用一个直流电阻箱替代原谐振电路，选择某一阻值，使电阻箱端电压恢复到原电路谐振状态时的数值，则电阻箱示值即为电路总损耗电阻．实验中我们发现，受电表灵敏度的限制，在替代过程中有数欧…     

电位器的检测方法

检查电位器时，首先要转动旋柄，看看旋柄转动是否平滑，开关是否灵活，开关通、断时“喀哒”声是否清脆，并听一听电位器内部接触点和电阻体摩擦的声音，如有“沙沙”声，说明质量不好。用万用表测试时，先根据被测电位器阻值的大小，选择好万用表的合适电阻挡位，然后可按下述方法进行检测。     

气密性碳涂覆光纤筛选强度与电阻关系研究

通过实验分析确立了把光纤电阻作为衡量气密性碳涂覆光纤通过２％应变筛选的过渡标准。要拉制２％应变筛选的碳涂覆光纤，其电阻值应小于３０ｋΩ／ｃｍ。     

“ГОИ”全俄科学中心光学镀膜工作概况

在“С．И．瓦维洛夫国家光学研究所(ГОИ)”光学镀层工作是30年代在И．В．Гребевшиков院士领导下开始的。到目前为止形成一个高度熟练的专家集体。它完成同光学镀膜工艺有关的一整套的工作。在镀制中采用所有现代的光学镀层的真空方法：电阻法和在高真空中的电子束蒸发法，阴极法，离子等离子体法，磁溅射法。镀层工艺中成功地采用离子加工方法，其中包括基板的离子净化，离子辅助(ассистрование)，离子涂抹(платирование)。     

炭黑填充聚乙烯材料电阻—温度特性研究

研究了炭黑／聚乙烯导电复合材料的ＰＴＣ特性及在不同条件下的电阻变化。发现ＰＴＣ特性与体积膨胀及聚乙烯晶相的熔融有许多一致性。认为材料的体积膨胀及聚乙烯晶相熔融时炭黑颗粒均匀化扩散导致了电阻随温度上升。在较高温度下，炭黑颗粒在分子链段热运动的推动下会发生相对聚集使电阻不断减小，这是材料出现ＮＴＣ现象的原因。材料总的电阻温度特性是体积膨胀、炭黑向聚乙烯熔融区扩散及相互聚集三个因素共同作用的结果。     

铈对铁基合金热腐蚀性能的影响

采用电化学极化电阻技术研究了铈对３１６不锈钢和表面涂覆ＣｅＯ２预氧化处理对ＨＫ４０合金耐热腐蚀性能的影响。结果表明，在合金中添加少量铈可以改善３１６不锈钢的耐蚀性能，特别是抑制沿晶界的内硫化；表面涂覆ＣｅＯ２可以明显ＨＫ４０合金的耐蚀性能，促进Ｃｒ２Ｏ３氧化膜的形成。     

硅太阳电池N型银浆用银粉的研究

通过在几种不同的银粉中加入含磷掺杂剂配制成N型银浆, 考察了不同银粉对其电池片的转换效率和接触电阻的影响.实验表明, 银粉的粒度和立体形状对转换效率的影响很大.     

稀土锰氧化物La0.7Ca0.3Mn1-xCuxO3低场磁电阻及电传输特性研究

采用溶胶-凝胶法制备了系列多晶CMR材料La0.7Ca0.3Mn1-xCuxO3（x=0%,1%,5%,10%,15%,20%）。在77-350 K温度范围内测量了样品的电阻率及磁电阻大小。实验结果发现：系列样品TC随掺杂量增加而递减;系列样品的电阻率峰及磁电阻峰在整个测温范围内随掺杂量的增加均依次被展宽直至消失,当掺杂量为x≥10%时,电阻率随温度的变化在整个测温范围内呈现绝缘相行为;同时还发现,掺杂量为x≥10%时,样品的磁电阻在整个测温区内基本表现为隧穿磁电阻。基于我们采用蒙特卡罗模拟方法提出的逾渗模型及隧穿磁电阻模型,对样品的磁电阻行为进行了很好的解释。对系列样品的ρ-T曲线进行lnρ-T^-（1/4）系拟合,发现掺杂量为x=10%样品在整个温区内的lnρ-T^-（1/4）系基本呈线性。     

Dependence of Performance of Organic Light-emitting Devices on Sheet Resistance of Indium-tin-oxide Anodes

IntroductionIndium-tin-oxide(ITO) has been widely used asthe anode material in organic light-emitting devices(OLEDs) because of its high transmittance in the visi-ble region and low electrical resistivity. In the pastyears, many investigations focused on …