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191.
Thermal-annealing has been widely used in modulating the oxygen content of manganites. In this work, we have studied the effect of annealing on the transport properties and magnetoresistance of junctions composed of a La0.9Ca0.1MnO3+6 film and a Nb-doped SrTiO3 substrate. We have demonstrated that the magnetoresistance of junctions is strongly dependent on the annealing conditions: Prom the junction annealed-in-air to the junction annealedin-vacuum, the magnetoresistance near 0-V bias can vary from ~-60% to N~0. A possible mechanism accounting for this phenomenon is discussed. 相似文献
192.
Sn-doped Ge2Sb2Te5 thin films deposited on Si(100)/SiO2 substrates by rf magnetron sputtering are investigated by a differential scanning calorimeter, x-ray diffraction and sheet resistance measurement. The crystallization temperatures of the 3.58 at.%, 6.92 at.% and 10.04 at.% Sn-doped Ge2Sb2Te5 thin films have decreases of 5.3, 6.1 and 0.9℃, respectively, which is beneficial to reduce the switching current for the amorphous-to-crystalline phase transition. Due to Sn-doping, the sheet resistance of crystalline Ge2Sb2Te5 thin films increases about 2-10 times, which may be useful to reduce the switching current for the amorphous-to-crystalline phase change. In addition, an obvious decreasing dispersibility for the sheet resistance of Sn-doped Ge2Sb2Te5 thin films in the crystalline state has been observed, which can play an important role in minimizing resistance difference for the phase-change memory cell element arrays. 相似文献
193.
阐述敏感元件的基本概念及其在有线电视网络器件中的几种典型应用,首先介绍敏感材料的基本类型和今后的发展趋势,然后详细介绍目前比较典型的几种敏感元件在开关稳压电源、Cable Modem、双向放大器、彩电消磁、程控交换机、光工作站中的应用。 相似文献
194.
195.
对Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT模型本征集电极和发射极电流方程进行了改进,加强了模型的拟合能力.给出了HBT在零偏和冷偏下的等效电路模型,为精确提取基-射、基-集结本征和外围结电容,开发出一种新的、从零偏条件下测量所得S参数中直接提取本征、外部结电容的方法,该方法同时允许本征集电极电阻(Rci)的解析提取.运用该方法精确提取了一发射结面积为180μm2的GaAs HBT器件参数,验证结果表明,算法精度可达40GHz. 相似文献
196.
介绍了4线电阻式触摸屏的结构和工作原理,简单介绍了一款触摸屏专用接口芯片ADS7843的特点和原理,并具体给出了4点定位法来实现触摸屏到LCD的校准,最后探讨了嵌入式图形系统μC/GUI及其触摸屏功能的实现,文中所述相关方法已经使μC/GU在ARM平台上成功运行。 相似文献
197.
198.
射频功率HBT自加热效应及补偿方法 总被引:1,自引:0,他引:1
从器件I-V特性的角度,表征了射频功率异质结双极晶体管(HBT)的自加热效应。研究了器件热阻、工作电压、电流增益、发射结价带不连续性(ΔEV)等诸多因素对器件I-V特性的影响。进而研究了为补偿自加热效应所加镇流电阻对热稳定性的改善情况,给出了器件热稳定所需最小镇流电阻(REmin)与这些因素的关系。结果表明,HBT的REmin要小于同质结双极晶体管(BJT)的REmin,因此,射频功率HBT将有更大的输出功率、功率增益和功率附加效率(PAE)。 相似文献
199.
采用由传感器AD590组成的水浴恒温箱测得不同温度下金属氧化膜电阻的阻值,通过大量的实验数据分析各种金属氧化膜电阻阻值与温度的关系,分析表明,阻值与温度之间呈线性关系,通过直线拟舍,得到电阻阻值与温度的关系式,通过关系式求得金属氧化膜电阻器的温度系数,建立阻值与温度的数学模型,这样就能得到不同温度下各种金属氧化膜电阻的理论预测值。 相似文献
200.