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181.
设计了一款应用于多模多频无线接收机中的新型有源电阻电容信道选择滤波器,截止频率可在0.3~10MHz之间切换,满足UHF RFID、TD-SCDMA、WLAN a/b/g等不同标准的要求。运算放大器设计采用无电容前馈补偿技术,增益带宽积提升至4.8GHz。滤波器采用5阶Leapfrog滤波器级联2阶Tow-Thomas滤波器结构,使截止频率不易受器件变化的影响,同时兼顾稳定性和可调性。电路采用IBM 0.13μm CMOS工艺流片。测试结果表明,在2.5V电源电压下选择10MHz带宽时,滤波器消耗13.56mA电流,在两倍截止频率处实现64dB的衰减,带内噪声系数为28dB,带内纹波小于0.2dB,带内输入3阶交调为11.5dBm。 相似文献
182.
Different processes are used on the back surface of silicon wafers to form cells falling into three groups:textured, planar, and sawed-off pyramid back surface.The characteristic parameters of the cells, ISC, VOC, FF, Pm, and Eff, are measured.All these parameters of the planar back surface cells are the best.The FF, Pm, and Eff of sawed-off pyramid back surface cells are superior to textured back surface cells, although ISC and VOC are lower.The parasitic resistance is analyzed to explain the higher FF of the sawed-off pyramid back surface cells.The cross-section scanning electron microscopy(SEM) pictures show the uniformity of the aluminum-silicon alloy, which has an important effect on the back surface recombination velocity and the ohmic contact.The measured value of the aluminum back surface field thickness in the SEM picture is in good agreement with the theoretical value deduced from the Al-Si phase diagram.It is shown in an external quantum efficiency(EQE) diagram that the planar back surface has the best response to a wavelength between 440 and 1000 nm and the sawed-off back surface has a better long wavelength response. 相似文献
183.
184.
讨论了电子对双势垒共振隧穿的现象和特性,较为详细地论述了近年来发展起来的具有多峰I—V特性的共振隧穿量子器件的原理、结构和电路应用,最后展望了这类器件的发展前景。 相似文献
185.
6H-SiC单极功率器件性能的温度关系 总被引:1,自引:0,他引:1
基于碳化硅材料电离系数和迁移率的温度依赖性 ,利用有效电离系数的 Fulop近似 ,推出了 6 H- Si C单极性功率器件击穿电压和比导通电阻的温度依赖性解析表达式 .理论预言的击穿电压和临界电场与先前的实验结果基本一致 (误差小于 10 % ) ,验证了理论模型的适用性 相似文献
186.
187.
188.
研究电感分断放电电弧电阻模型是建立电感电路非爆炸本安性能评价的基础.运用IEC安全火花试验装置对电感分断电弧放电特性进行试验研究,深入分析电弧电阻随放电时间的变化规律,并采用非线性回归的方法得出分断电弧放电时间与电感和初始电流之间的函数关系式.考虑安全火花试验装置钨丝和镉盘电极结构特点,建立了一种极间电弧放电区域的物理模型,并推断出二维泊松方程的边界条件.基于此,利用分离变量法求解泊松方程,推导出电弧电阻的数学表达式,得出了电感分断电弧放电电压和电流的关系表达式.仿真分析及实验结果证明了理论分析及所提出电弧电阻数学模型的准确性和可行性. 相似文献
189.
少数载流子寿命是长波红外HgCdTe材料的重要性能参数。从大量实际数据统计中发现长波红外n型HgCdTe材料的液氮温度电阻和室温电阻的比值与材料载流子寿命有定关系,电阻比值在2 ̄6之间有较大的载流子寿命值,而电阻比值大于10的寿命值较小。 相似文献
190.