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981.
辐照对硅光电二极管可靠性影响的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
本文介绍了辐照对硅光电二极管的辐射效应和损伤机制。比较了γ射线、电子、质子、中子以及重离子辐照后,光电二极管各项特性参数的变化。根据辐照对半导体的作用原理,解释不同辐照引起的变化规律。寻求抗辐射加固方法,改善光电二极管的抗辐射性能。 相似文献
982.
二极管阵列侧面泵浦固体激光介质的光场分布 总被引:10,自引:0,他引:10
研究LD阵列侧面泵浦Nd:YAG激光器泵浦光场的分布特点。首先,在已建立的二极管单bar单侧面泵浦YAG晶体泵浦光场分布数值模型的基础上,进一步建立了适用于激光二极管阵列多侧面泵浦YAG晶体的泵浦光场分布数值模型。然后,根据所建模型,采用光线追迹的方法,借助Matlab编程模拟了单侧面、二侧面、三侧面、五侧面泵浦方式的泵浦光分布特点.分析了系统参数:介质半径、介质吸收系数、光束光腰半径、泵浦距离、二极管bar间距、介质表面粗糙程度对泵浦光分布特性的影响,总结出了一般规律。可为二极管泵浦固体激光器的结构设计和实验研究提供理论参考。在理论分析的基础上,进行了单侧面、二侧面泵浦方式的二极管阵列直接侧面泵浦固体激光器的实验研究。实验结果与理论分析结果基本相符,验证了所建数值模型的正确性。该数值模型的特点是:采用光线追迹方法;适用于漫反射表面工作物质:适用于多种侧面直接泵浦方式,具有可扩充性。 相似文献
983.
984.
985.
报道了用新的正向栅控二极管技术分离热载流子应力诱生的SOI-MOSFET界面陷阱和界面电荷的理论和实验研究.理论分析表明:由于正向栅控二极管界面态R-G电流峰的特征,该峰的幅度正比于热载流子应力诱生的界面陷阱的大小,而该峰的位置的移动正比于热载流子应力诱生的界面电荷密度. 实验结果表明:前沟道的热载流子应力在前栅界面不仅诱生相当数量的界面陷阱,同样产生出很大的界面电荷.对于逐渐上升的累积应力时间,抽取出来的诱生界面陷阱和界面电荷密度呈相近似的幂指数方式增加,指数分别为为0.7 和0.85. 相似文献
986.
研究了PtSi-SBD的结构和光产额.由光产额模型可知,采用薄PtSi光腔结构和降低肖特基势垒可提高量子效率.利用光的共振吸收模型,通过计算机模拟计算表明,引入抗反射层,优化光腔结构可以大大提高光的吸收率.同时,PtSi膜厚在1~2 nm时,PtSi-SBD的量子效率系数最大. 相似文献
987.
988.
989.
二极管的基本特性是单向导电,在导通与截止的过程中其表现的阻值随外加电压的变化而变化;同时二极管也呈现出一定的电容特性,其表现的容量大小亦是随外加电压的变化而变化。因而他是一种非线性器件,这种特性在现代通信工具——手机的保护、接收、发射等电路中得到充分的利用。 相似文献
990.
报道了共振隧穿二极管(RTD)在压力下的弛豫振荡特性.采用Pspice 8.0软件仿真并设计了振荡电路,测得其振荡频率达200kHz.在(100)半绝缘(SI)GaAs衬底上利用分子束外延(MBE)技术生长了AlAs/InxGa1-xAs/GaAs双势垒共振隧穿结构(DBRTS),并采用Au/Ge/Ni/Au金属化和空气桥结构成功加工出了RTD.由于RTD的压阻效应,采用显微喇曼光谱仪标定所加应力大小,对RTD在加压条件下的振荡特性进行了研究,结果表明其弛豫振荡频率大致有-17.9kHz/MPa的改变量. 相似文献