板级立体组装侧板垂直互联技术

通过对板级立体组装的侧板垂直互联技术进行研究,找到了板级垂直互联的一种可靠的理论途径,很好地解决了板间垂直互联的问题,实现了板级立体组装的侧板垂直互联工艺技术.     

VCSEL的偏振特性随注入电流变化的实验研究

注入电流是影响VCSEL偏振特性的重要因素。谊论文通过实验，测量了VCSEL的出射光偏振特性随着注入电流的变化。观察到了两次偏振转换的过程，即随着注入电流的升高出射偏振光由椭圆偏振光——圆偏振光——椭圆偏振光——圆偏振光——椭圆偏振光的过程，并且在变化的过程中电流的变化范围很小。     

超薄反射镜缩小激光器尺寸

美国科学家利用AlGaAs和空气间的巨大折射率差，设计了一种新型超薄反射镜，反射率高达99．5％，有望代替分布式布拉格镜（DBR），并将对垂直腔表面发射激光器（VCSELs）产生重大影响。     

微波毫米波多芯片模块三维互联与封装技术

微波毫米波固态有源相控阵天线在通信、雷达和导航等电子装备中得到广泛应用,三维互联与封装技术是研制小型化、高集成和高可靠有源相控阵天线的微波毫米波多芯片模块(MMCM)的关键技术。通过开展三维多层多芯片热布局优化设计,使MMCM 温度分布均匀,保证三维MMCM 可靠工作。通过研发含有双面高精度腔体的低温共烧陶瓷(LTCC)多层电路基板,并采用球栅阵列(Ball Grid Array, BGA)和毛纽扣微波毫米波垂直互联工艺、激光密封焊接工艺,研制出小型化、高性能和高可靠性的三维微波毫米波多芯片模块,满足新一代微波毫米波相控阵天线技术要求。     

不同连接方案下垂直场线圈的性能研究

基于热-结构耦合分析了欧姆热和等离子体辐照引起的垂直场线圈的温度变化,对垂直场线圈在不同连接方式下的电气参数进行了研究,提出了一种优化的线圈连接方案.计算结果表明,该优化方案有助于改善垂直场线圈的响应性能,并提高其对等离子体的控制能力.     

新的V-BLAST系统次优天线选择

该文提出新的基于ZF SIC检测的V-BLAST系统次优天线选择准则:最小化信道矩阵伪逆的最大行范数。基于贪婪选择思想,发射天线选择采用使得该范数增加最小的递增选择策略,接收天线选择采用使得该范数减少最大的递减选择策略。仿真表明所提出的新准则明显优于已有的最大第1检测层后处理信噪比准则,且相应的快速选择算法可以获得最优的基于最大最小准则的全搜索选择的大部分分集增益,而复杂度很低。     

高斜效率高功率850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器

报道了MOCVD生长的高性能850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器．研制出的氧化直径为9μm的激光器25℃时的斜效率和阈值电流分别为0．82mW／mA和2．59mA，激光器在23mA时输出16mW最大光功率．氧化直径为5μm的激光器25℃时的最小阈值电流为570μA，其最大饱和光功率为5．5mW．     

微机械可调谐垂直腔面发射激光器调谐范围分析与设计

介绍了可调谐激光器的意义和它的基本调谐方法及调谐原理.对影响微机械可调谐垂直腔面发射激光器调谐范围的因素做了重点分析,计算了空气隙的最大变化范围和由此引起的激射波长的调谐范围.     

Si02光子晶体的制备及其自组装带隙特性研究

首先运用Stober溶胶凝胶法制备单分散Si02球形颗粒,通过扫描电镜研究各种反应条件如氨水浓度、无水乙醇的量、TEOS的浓度、温度等对二氧化硅的颗粒大小和形貌的影响,并通过SEM对样品的表面形貌进行了表征。通过研究改变垂直沉积法的各种条件对组装成的Si02光子晶体的带隙特性的影响。分析微球粒径、悬浮液中微球的体积分数、基片与液面之间所成的角度对光子晶体带隙性能的影响,并总结了较佳的垂直沉积法条件。     

一种亚微米垂直硅墙的刻蚀方法

亚微米垂直硅墙的制备是垂直硅薄膜耦合约瑟夫逊结的关键工艺.本文作者在普通光刻设备基础上,开发了一种在〈100〉硅片上制备亚微米硅墙的刻蚀方法:首先用普通光刻手段刻出较宽的墙区;其次,对非墙区进行迭加注入掺杂;第三,杂质高温横向扩散,第四,掺杂选择性刻蚀;第五,高温氧化减薄.实验结果表明,这种方法可以获得墙宽为0.29μm,墙高为1μm左右的硅墙,而且还有一定的改进潜力.