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111.
轨道交通经过多年的建设,已经实现了比较完善的业务网络,可提供各种话音、数据和部分多媒体业务。目前,业务网络主要由多个相互独立的垂直系统组成,每增加一个新的业务,都需要增加新的专用系统。随着需求不断细化以及业务不断地增加,这种通信网络已无法满足新业务的快速部署和竞争需求。这些问题只能从综合通信网架构规划上得以根本解决。基于NGN网络的轨道交通综合通信网由图1可以看出,车站通信系统和控制通信系统采用相同的结构,控制与承载分离,业务与呼叫分离,所有业务的控制由软交换机完成。因此能够简化系统设计,减少系统的复杂度。… 相似文献
112.
介绍了放射性同位素63Ni同位素微电池(radioisotope micro battery)的工作原理、结构和性能指标,建立了电池电流的计算公式。针对传统同位素微电池的倒三角直槽型或倒金字塔型能量转换结构表面积较小的缺陷,设计了一种垂直侧壁方孔阵列型的能量转换结构,增大了其表面积,得到最佳结深范围2μm~3μm,最佳掺杂浓度NA=1020/cm3,ND=1017/cm3。在此基础上加工出63Ni同位素微电池,并对其进行测试性能,得到开路电压Voc=127 mV,电流密度JSC=4 nA/mm2,功率密度Pm=0.41 nW/mm2,与设计结果相符。 相似文献
113.
采用气态源分子束外延技术在InP(100)衬底上分别生长了δ掺杂的p -AlIn-As-n -InP和p -InP-n -InP两种隧道结结构,用电化学C-V和I-V特性曲线表征了载流子浓度和电学特性,发现p -AlInAs-n -InP隧道结性能优于p -InP-n -InP隧道结.在InP(100)衬底上生长了包含p -AlInAs-n -InP掩埋隧道结和多量子阱有源层的1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构,测试得出其开启电压比普通的pin结VCSEL小,室温下其电致发光谱波长为1.29μm. 相似文献
114.
通过数值分析研究了含线性渐变层的Al0.9Ga0.1As/AlyGa1-yAs/GaAs/AlxGa1-xAS DBR的光学特性及其对VCSEL谐振腔光学特性的影响,建立了渐变型DBR渐变层厚度与折射率的关系,通过特征矩阵法计算了突变GaAs/Al0.9Ga0.1AS DBR和渐变型DBR的反射谱和反射相移,分析了渐变层对DBR反射率和反射相移的影响.对渐变型DBR,要使VCSEL谐振腔满足中心波长相位匹配条件,还需要在DBR靠近谐振腔一侧的最前面增加一定厚度的渐变层,称为相位匹配层.通过计算,我们得到了使VCSEL谐振腔满足相位匹配条件时均匀层和相位匹配层的厚度. 相似文献
115.
采用不加偏压的磁控溅射方法,制备了具有垂直磁晶各向异性的TbCo/Cr非晶垂直磁化膜,并且就Cr底层对TbCo膜磁性能的影响进行了研究。研究发现TbCo磁性层的厚度以及Cr底层的存在都会影响TbCo薄膜磁晶各向异性能的大小。对于厚度为120 nm,并且带有180 nm厚度Cr底层的Tb31C69薄膜而言,其磁晶各向异性能高达4.57×106 erg·cm-3,而对于同样厚度的Tb31C69薄膜,当它没有带Cr底层时,其磁晶各向异性能只有3.24×106 erg·cm-3。扫描电镜的观测结果表明,带有Cr底层的TbCo薄膜具有柱状结构。正是TbCo薄膜内的柱状结构导致了其磁晶各向异性的增强。 相似文献
116.
用密度泛函理论(DFT)的B3lyp方法在6-311++g(d,p)水平上对Al2O3Hx(x=1—3)分子的几何构型, 电子结构, 振动频率等性质进行了系统研究. 并给出了它们可能基态结构的总能量(ET), 零点能(Ez), 摩尔热容(Cv), 标准熵(S), 原子化能(ΔEm), 垂直电离能(IP)及垂直电子亲和能(EA). Al2O3H和Al2O3H2分子可能的基态的几何构型都为平面结构. Al2O3H3的两个可能为基态的几何构型都是在立体Al2O3(D3h)的几何结构基础上加三个氢原子构成. 这三个分子的能量最低结构为Al2O3H(2A′)Cs, Al2O3H2(1A′) Cs, Al2O3H3 (2A) C1. 相似文献
117.
118.
测地线束与共轭点
在雷查德利方程中,如果所考虑的测地线束局部正比于某个梯度场,或者说垂直于某个超曲面,则称该线束是超曲面垂直的。可以证明,对于这样的测地线束来说, 相似文献
119.
面向专题领域的垂直信息服务模式研究 总被引:1,自引:0,他引:1
刘文艳 《信息技术与信息化》2007,(1):93-95
为了向特定行业、特定用户提供更好的信息服务,本文首先阐述了面向专题领域的垂直信息服务的重要性,然后阐述了符合专业用户需求的两种服务模式,即专业化搜索引擎服务和信息推送服务,并利用信息自动获取技术、Web数据挖掘技术和全文检索技术等先进的计算机技术构建了面向专题领域的垂直服务模式。 相似文献
120.
在消费电子为主要驱动力的今天,为确保IC设计产品投片一次成功,以往半导体产业IC设计、EDA、工艺制造等垂直分工的模式已经改变,彼此间正在平行整合以缩短TAT(Turn Around Time)与NR(ENon-Recurring Engineering)来降低成本,包括IC设计业者向Foundry直接购买EDA、寻求第三方IP资源、Foundry垂直整合IC设计、EDA厂商涉足IP业务等。 相似文献