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61.
We study the two samples of AlInGaN,i.e.,1-μm Gan grown at 1030℃ on the buffer and followed by a 0.6μm-thick epilayer of AlInGaN under the low pressure of 76 Torr and the AlInGaN layer deposited diectly on the buffer layer without the high-temperature GaN layer,by temperature-dependent photoluminescence(PL) spectroscopy and picosecond time-resolved photoluminescence(TRPL) spectroscopy.The TRPL signals of both the samples were fitted well as a stretched exponential decay at all temperatures,indicating significant disorder in the material.We attribute the disorder to nanoscale quantum dots or discs of high indium concentration.Temperature dependence of dispersive exponent β shows that the stretched exponential decay of the two samples comes from dfferent mechanisms.The different depths of the localization potential account for the difference,which is illustrated by the results of temperature dependence of radiative recombination lifetime and PL peak energy. 相似文献
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63.
在分析正五形的几何特征和正五边形的周期与准周期排列的基础上,讨论了具有五边形单元的二维周期点阵与准财期点阵的异同以及它们之间的转变。在Al-Co二元系中,除了已知的单斜Al13Co4及正交Al3Co的五角层状结构,还发现有五边形的边长及单胸参数a,c均为τ^2和τ^3倍的合金相,如此无膨胀,就会得到单胸参数为无穷大的十次准晶。另一方面,Al60Mn11Ni4的两种已知正交结构的点阵参数a,c均可用 相似文献
64.
65.
利用X射线衍射研究了CoNiZ(Z=Si,Sb,Sn,Ga等)合金在不同热处理条件下的相组成.当Z元素为Sn,Sb时,材料是完全的B2结构;但Z为Si时,材料变成面心立方的γ相.形成B2还是γ相由电子浓度和原子尺寸效应两种因素共同决定.而CoNiGa的研究结果表明,在合金中除了形成B2结构的同时还容易形成γ相,常表现出两相共存的特性.对材料进行不同方式的热处理可以使合金中两相的含量有所消长,γ相含量的多少对CoNiGa合金的马氏体相变有很大的影响.分析指出,两相共存及其所带来的物性变化是CoNiGa铁磁性形状记忆合金非常有利用价值的物理性质. 相似文献
66.
67.
68.
本文介绍了一种实用的液态合金离子源结构,我们利用本结构研制成功了Au-Si和Au-Si-Be液态合金离子源,测出了它们的发射特性。 相似文献
69.
加热到1173K的Cu-25at;%Al合金块状试样经723K60S等温淬火后其组织由片状的“羽毛状贝氏体(9R结构)和β_1'马氏体(18R结构)组成。当试样被离子束轰去进一步薄化后,在足够薄的区域内生成了许多2H结构的薄片马氏体。初步分析认为该薄片马氏体形成的原因是由于贝氏体生成时在试样内留下了高的应力场,当试样薄化到一临界厚度以下时,试样区的三维约束条件松弛使试样内的应力场触发了薄片马氏体的生成。这些薄片马氏体是通过位于贝氏体界面上位错的重新启动而长大的。 相似文献
70.