一种新的HOG特征人脸图像识别算法研究

针对人脸在非均匀光照下识别率的降低,提出了拉普拉斯滤波和离散余弦变换(DCT)融合梯度方向直方图(HOG)人脸识别算法。首先通过拉普拉斯滤波对人脸图像进行处理,突出其纹理特征,其次进行离散余弦变换(DCT),有效滤除高频分量,然后利用离散余弦逆变换(IDCT)重建人脸图像,降低其维数,最后通过梯度方向直方图(HOG)算子提取人脸图像固有特征,并利用最近邻方法进行分类识别。实验结果表明,该算法在不同特征维数下的Yale B人脸数据库中识别率高达95％以及课题组自建的维吾尔族人脸数据库中其识别率高达98.5％,优于其他传统算法?具有很强的鲁棒性和实时性。     

基于非均匀采样的高分辨曲面投影计算全息方法

曲面投影在显示与光刻领域有着重要的应用价值,为实现高分辨的曲面投影成像,提出了以瑞利-索末菲衍射为基础的非均匀采样相位恢复算法,在设计时准确考虑高空间频率的大角度衍射频谱信息,使得投影图像分辨率获得有效提升;建立了衍射面与成像曲面的离散采样方法,并给出了成像分辨率极限的理论表达式。以田字形目标图样在圆柱面成像为例,对建立的相位恢复算法和理论进行了验证,结果表明重现的投影像与目标图形符合良好,分辨率与理论预测一致。     

衬底去边宽度对高阻厚层硅外延片参数的影响

硅外延片的参数受衬底以及外延层两方面影响,研究了衬底背面SiO2层边缘去除宽度(简称去边宽度)对高阻厚层硅外延片参数的影响.对比0、0.3和0.5 mm三种去边宽度硅外延片的参数发现,去边宽度对外延层厚度不均匀性没有影响,对外延层电阻率不均匀性影响巨大,外延层电阻率不均匀性与衬底去边宽度呈正比.衬底去边宽度也会影响外延片的外观、表面颗粒以及滑移线.进一步研究了去边宽度对后续制备MOS管在晶圆片内击穿电压分布的影响,发现去边宽度越宽,晶圆片内MOS管击穿电压差越大.综合考虑外延片及其制备器件参数,选择0.3 mm为制备高阻厚层硅外延片的最佳去边宽度,可以获得优良的外延片参数及器件特性.     

基于多元优化算法和DS证据理论的电力缺陷等级确定方法

当前由运维人员评判的电力缺陷等级,判别准确性和一致性无法保障,影响电网维护工作的开展及缺陷的及时消除。故此,本文提出了一种基于多元优化算法(Multi-variant Optimization Algorithm,MOA)及DS证据理论的电力缺陷等级确定方法。此方法首先基于训练集建立的词向量表加权得到各缺陷描述的向量表达,同时根据灯色缺陷等级辨识对应权值表将实验数据中的红绿灯信息向量化;然后使用MOA算法寻找向量化训练集数据的最优搜索半径区间;最后使用DS证据理论决策融合测试集在最优搜索半径区间内的50次MOA判别结果。实验结果表明,本文所提方法的判别准确率、召回率和F值均优于传统的k-means模型,验证了本方法在电力缺陷等级确定中的有效性和可行性。     

基于改进的同态滤波与SMQT相结合的磁瓦表面缺陷图像增强算法研究

针对磁瓦表面缺陷图像整体光照不均匀、对比度 较低、纹理细节信息不清晰等问题, 提出了一种改进的同态滤波与连续均值量化变换(successive mean quantization transform,SMQT)相结合的磁瓦表面缺陷图像增强算法。首先,使用改进的巴特沃斯传递 函数替换传统同态滤波中的传递函数,使其将图像分解成高频图像和低频图像;然后,使用 SMQT算法非线性拉伸高频图像的灰度范围使其扩展到整个灰度级区域,从而达到对高频图 像进行增强的目的;最后,将低频图像与处理后的高频图像进行融合得到增强图像。实验结 果证明,所提算法有效改善了磁瓦表面缺陷图像的光照不均匀、提高了图像的对比度、增强 了图像的纹理细节信息,使得图像的缺陷部分和细节部分更加清晰可见。     

一种用于高斯光束远场整形的小型双透镜系统设计

为了实现高斯光束的远场均匀投射,利用Zemax 优化设计了一种由双凹、平凸双透镜组成的小型匀 光组件。基于理想均匀光斑在其径向上的照度积分与半径呈线性关系的原理,首先利用双凹 透镜缩短光路, 然后对平凸透镜进行约束优化。该组件长度为24mm,可对波长1064nm、腰斑直径400μm 的激光束实现 发散角为6.6°的远场均匀投射。经过设计模型在10m、30m 和40m投射距离处的模拟仿真,结果 显示在4个投射距离处的光斑均匀度都大于93.9%,能量利用率均高于 90%。该匀光组件仅由2个球面和 1个二次曲面构成,结构简单,间隔和厚度公差可达±0.03mm,拥 有良好的可加工性和实用性,在激光通信、激光干涉照明等领域中具有潜在的使用 价值。     

快速恢复外延二极管用150mm高均匀性硅外延材料的制备

利用PE3061D型平板式外延炉,在150mm的重掺As的硅单晶衬底上采用化学气相沉积(CVD)方法制备参数可控且高均匀性的外延层,通过聚光灯、原子力显微镜(AFM)、傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)、汞探针电容-电压测试仪(Hg CV)等测试设备分别研究了外延层的表面形貌、微粗糙度、厚度、电阻率以及均匀性参数。采用了基座浅层包硅技术、周期性滞留层杂质稀释技术、高温快速二次本征生长技术、温场流场调控技术等新型工艺技术,使外延层厚度满足(15±2%)μm,电阻率满足(15±2%)Ω·cm的设计要求,片内厚度和电阻率不均匀性达到<2%的水平。制备的硅外延材料应用于FRED的试产,击穿电压高于125V,晶圆的成品率达到90%以上,满足了120VFRED器件使用要求,实现了自主可控。     

基于FPGA的TIADC并行采样系统设计

介绍一种基于多片ADC的时间交替并行采样设计方法以及在FPGA平台上的实现.着重阐述TIADC并行采样的增益误差、时间误差校正算法及实现.实验结果表明,TIADC并行数据采集系统的结构设计和预处理算法,能较好抑制因相位偏移、时钟抖动等造成的非均匀误差.