K-非常凸空间

本文引入了一种新的K凸空间K-非常凸空间,及其对偶空间K-非常光滑空间,它们分别是非常凸空间和非常光滑空间的推广但又严格弱于非常凸空间和非常光滑空间,因此它们又有许多独特的性质.本文讨论了它们的一些特性及与其它K凸性和K光滑性的关系,推广了[3]、[6]、[7]、[8]中的一些结果.     

磁共振法研究(Fe1-xCox)84Zr3.5Nb3.5B8Cu1纳米晶薄带的磁各向异性

铁磁共振(FMR)实验研究(Fe1-xCox)84Zr3.5 Nb3.5B8Cu1(x=0.0,0.2,0.4,0.6, 0.8)合金薄带的各向异性,易轴在薄带的横向方向,同等宽度样品的各向异性常数K′随Co掺杂量的增加而减小, K′值在4.67×10-5 J/m(x=0.0)到2.54×10-5 J/m4(x=0.8)之间.由于磁化率的虚部χ″(H)随磁场强度H非线性变化,在低场(0-12 mT)有一个与FMR信号强度相当的低场非共振信号.特别是对Fe84Zr3.5 Nb3.5B8Cu1合金薄带的磁化,在可逆磁化(0-2.0 mT)和趋近饱和磁化(9.0-12 mT)区域, dχ″/dH=0;不可逆畴壁移动过程中,交流磁化率虚部χ″(H)与磁场强度的n次方即Hn(n≥3)有关;在磁畴转动过程中χ″(H)正比于H2(瑞利区),(dχ″)/(dH)为常数;而且发现,有不可逆畴壁移动-磁畴转动三段交替变化的过程,此过程对应三种磁畴的消失过程.     

平面交叉玻璃波导型微透镜阵列光学性能研究

介绍了平面交叉玻璃光波导型半球形微透镜阵列的制作方法.利用积分形式的光线方程式讨论了半球形微透镜的光学特性,得到了半球形微透镜的光线轨迹方程式和焦距表示式,理论结果与实验数据是一致的.     

高斯光束计算平板波导自由传输区远场分布及其修正

对近轴近似条件下求解亥姆霍兹方程得到的高斯光束显式传播公式做了分析，同时，基于基尔霍夫衍射理论，在菲涅耳近似的条件下给出了相应的高斯光束在远场的传播公式，在此基础上，对近轴近似条件做出了定量分析，给出了这个近似条件引入的误差，提出了一种计算高斯光束远场分布的修正方法，并采用有限差分-光束传播方法(FD-BPM)来检验各种方法的准确性。把这种修正方法应用到平面光集成波导器件，如阵列波导光栅(AWG)、蚀刻衍射光栅(EDG)等器件的设计和模拟中，可以大大降低工作的复杂性，同时可以得到精确的结果。     

100μm远红外FEL系统单一微波源实验

自由电子激光性能主要取决于电子束的品质，而电子束的品质主要依赖于微波加速场的稳定。特别是对自由电子激光用户装置，对微波源的稳定性要求更高。中物院FEL必须解决的问题其中之一有必须提高FEL自发辐射的稳定性。设计的系统中因采用了两个速调管放大器分别给注入器和加速器提供微波功率，两个放大器相位的抖动(随机的)自然会引起能量的变化，尤其在低能段还会影响到束流的品质。2003年采用了中科院电子所首批研制的KL-54速调管进行单波源改进实验，为了减少微波传输中的损耗，引进了3端口大功率环行器，使功率损耗减少了20％，与此同时设计生产了大功率电调功分器和电调移相器，使单一微波源建立起来，达到了满意的结果。     

简述多单元叠加式馈源的加工方法

介绍某系统发射阵列天线的加工工艺。该天线具有多单元、叠加式、配合面多、尺寸精度要求高、超薄片嗽叭加工易变形、加工难度大等特点。通过试验和论证总结出一种可投入批量生产的工艺方法，阐述了该方法的具体工艺实现和加工过程。     

稀疏阵列天线综合的遗传算法优化

通过遗传算法优化选择常规满阵中一定比例的工作单元,使阵列在欠饱和状态下达到窄波束低副瓣的要求。以单元的工作状态和激励幅度为优化参量,波束宽度和副瓣电平为适值函数,通过适值缩放和多种群进化竞争使遗传进化稳定地收敛到全局最优。详细分析了稀疏阵的单元布局、稀疏率及单元激励对优化阵列特性的影响。     

金属包覆平板波导模式特性的有限元法分析

采用有限元法（FEM）分析了具有复数折射率的金属包覆介质波导的模折射率与模场分布情况。计算了具有损耗层的6层介质平板波导模折射率，并与解析解比较，二者有较好的一致性；分析了金属包覆3层平板波导中TM模折射率与波导芯厚度的变化关系，计算了金属包覆5层平板波导中TM模折秧经与金属层厚度的变化关系，并结合对模场分布的分析对模式进行了定性判断，给出了其模式演变过程。     

WCDMA软切换的下行发射分集与功率控制策略

分别介绍了传统软切换分集方式、单基站选择分集传输方式（S-SSDT）、多基站选择分集传输方式（M-SSDT）、基站独立分集传输方式（SIDT）等几种发射分集策略，并探讨了相应的下行功率控制方案。     

面向对注氢硅片中微结构的影响

把不同面向的注氢硅片制成横截面样品,在高分辨率透射电子显微镜下进行观察,发现衬底面向对其中的微结构有明显的影响.首先表现为衬底中主要出现平行于正表面的氢致片状缺陷,即(100)衬底中,主要出现平行于正表面的{100}片状缺陷,而(111)衬底中出现的主要是平行于正表面的{111}片状缺陷.其原因是注入引起垂直正表面的张应变.另外,面向的影响还表现为,(100)衬底中出现的{113}缺陷在(111)衬底中不出现.在(111)衬底中出现的晶格紊乱团和空洞在(100)衬底中不出现.从而推测,{111}片状缺陷的形成不发射自间隙原子,而(100)片状缺陷的形成将发射自间隙原子.