VDMOS均匀掺杂外延区优化设计的简单理论

在高压ＶＤＭＯＳ器件中,保证足够高的漏源击穿电压ＢＶＰＴ和尽可能低的比导通电阻Ｒｏｎ是设计中必须同时考虑的两个相互矛盾的主极方面。对于耐压高的ＶＤＭＯＳ,Ｒｏｎ主要由外延区决定。本文通过外延区为均匀掺杂的ＶＤＭＯＳ穿通击穿条件和外延区比导通电阻Ｒｏｎ的理论分析,首次得到了Ｒｏｎ随外延区参数,击穿电压变化的简捷普适关系。     

RTD/HEMT串联型RTT的设计与研制

依据RTD/HEMT串联型RTT的概念,设计了RTD/HEMT单片集成材料结构,该结构采用分子束外延技术生长.采用湿法化学腐蚀、金属剥离、台面隔离和空气桥互连技术,研制了RTD/HEMT串联型RTT,并对RTT及RTT中RTD和HEMT的直流特性进行了测试.测试结果表明:在室温下,器件具有明显的栅控负阻特性,正接型RTT的最大峰谷电流之比在2.2左右,反接型RTT的最大峰谷电流之比在4.6左右.实验为RTD/HEMT串联型RTT性能的优化和RTD/HEMT单片集成电路的研制奠定了基础.     

单壁碳纳米管场效应晶体管的制备工艺研究

综述了碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)的主要结构和导电沟道的制备工艺,如AFM探针操控、CVD原位生长、交流介电泳和L-B大面积操控排布等方法。在对CNTFET的这些结构和制备工艺进行详细分析的基础上,着重指出目前CNTFET导电沟道制备中存在的诸如金属性单壁碳纳米管(SWCNT)的烧除、接触电阻大、滞后现象以及p型CNTFET转化等问题,并针对这些问题提出了具体可行的解决方案。     

提取光栅耦合的高电子迁移率晶体管中的太赫兹辐射

借助于傅立叶光谱仪,在具有耦合光栅的高电子迁移率晶体管中观察到了波长在400um左右的微弱的太赫兹辐射。同时使用了一种调制探测技术,从而使得太赫兹辐射的绝对功率能够被提取计算出来。并且发现器件的太赫兹辐射功率正比于源漏电流,而黑体辐射功率则与器件电功率有密切关系。此外,太赫兹辐射对于源漏偏置电压及栅压的依赖性,说明太赫兹辐射是由加速电子与光栅的相互作用而引起的。     

磁控溅射AIN介质MIS栅结构的AlGaN/GaN HEMT

报道了一种X波段输出功率密度达10.4 W/mm的SiC衬底AIGaN/GaN MIS-HEMT,器件研制中采用了MIS结构、凹槽栅以及场板,其中MIS结构中采用了磁控溅射的A1N介质作为绝缘层.采用MIS结构后,器件击穿电压由80 V提高到了180 V以上,保证了器件能够实现更高的工作电压.在8 GHz、55 V的工作电压下,研制的1 mm栅宽AlGaN/GaN MIS-HEMT输出功率达到了10.4 W,此时器件的功率增益和功率附加效率分别达到了6.56 dB和39.2%.     

石墨烯的SiC外延生长及应用(续)

正3.3 X射线光电子能谱XPS能谱分析的基本原理:一定能量的X光照射到样品表面和待测物质发生作用,可以使待测物质原子中的电子脱离原子成为自由电子。通过接收并测量这些光电子的能量,得到原子或分子内部各轨道的结合能,从而就可以了解样品中元素的组成。图8所示为样品的XPS能谱图,图中各峰值     

Effects of carrier mobility, energy gap, and excitation size on the performance of single layer organic solar cells

A model of universal single layer organic solar cells in metal-insulator-metal （MIM） representation involving field-depen- dent carrier mobility is set up. The current-voltage characteristics as well as the distribution of electron density, hole density and recombination rate on a set of parameters are simulated. Subsequently, the dependences of the short-circuit current density （Jsc） and open-circuit voltage （Voc） on the electron and hole zero-field mobility, excitation generation rate, energy gap, as well as electron-hole pair distance in an excitation are investigated. It is demonstrated that the enhancement of either the electron mobility or the hole mobility can contribute to the increase of Jsc in the devices. The increase of the hole mobility can lead to the improvement of both Jsc and Voc, and the simultaneous increase of the electron mobility and hole mobility will greatly elevate Jsc but maintain a steady Voc. Additionally, all the increases of the excitation generation rate, energy gap and electron-hole pair distance are beneficial to both the remarkable increases of Jsc and Voc of the devices.     

纳米MOS器件中的超浅结和相关离子掺杂新技术的发展

MOS器件特征尺寸进入纳米领域时如何形成超浅结是一个重要的挑战。文中讨论了纳米 MOS器件对超浅结离子束掺杂技术的特殊要求以及发展超浅结的主要途径 ,介绍了目前超浅结离子掺杂新技术的最新发展 ,并对其前景进行了展望。     

高温正向大电流下TiAl,TiptAu栅GaAsMESFET的栅退化机理 …

针对ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ在微波频率的应用中的射频过驱动导致高栅电流密度现象,设计了ＴｉＡｌ栅和ＴｉＰｔＡｕ栅ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的高温正向大电流试验,通过对试验数据和试验样品的扫描电镜静态电压衬度像以及试验中的失效样品进行分析,确定了栅寄生并联电阻的经是导致器件的跨导ｇｍ、栅反向漏电流Ｉｓ、夹断电压Ｖｐ等特性退化,甚至导致器件烧毁失效的主要原因。     

具有ESD防护及过流保护功能的VDMOS设计

提出了一种芯片集成实现ESD防护及过流保护功能的VDMOS器件设计。在对电流采样原理分析的基础上,提出了一种适用于功率器件的局域电流采样方法及对应的过流保护电路结构,该方案具有结构简单、低功耗的特点。利用反向串联多晶硅二极管实现对VDMOS器件栅氧化层的ESD保护。完成了VDMOS的工艺流程设计,实现了保护电路中各子元件与主功率器件的工艺兼容。二维数值模拟表明:所设计的过流保护电路在室温下能实现38.4 A的限流能力,ESD保护能够达到2 000 V(HBM),能有效提高VDMOS在系统中的稳定性和可靠性。