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101.
主要从光电性能角度总结了近几年硒吩聚合物/寡聚物在有机太阳能电池(OSCs)、场效应晶体管(FETs)、发光二级管(LED)等方面的研究进展。目前,基于聚硒吩并[3,4-b]硒吩-苯并二硒吩(PSeB2)(polyselenopheno[3,4-b]selenophene-co-benzodiselenophene)本体异质结太阳能电池器件的能量转化效率最高,达6.87%;场效应晶体管方面,基于PSeDPP(P28)器件的空穴迁移率最高达1.62cm2.V-1.s-1。基于PFO-DDSTQ(一种硒吩芴基聚合物)的发光二级管,表现出目前基于硒吩化合物的最长波长发光器件,EL光谱峰值约860nm。通过对研究者的研究成果的总结发现,在有机光电器件的应用领域中硒吩聚合物/寡聚物是一种极具应用前景的材料。 相似文献
102.
采用密度泛函理论研究氮功能化对蒄类化合物几何构型、电子结构及载流子传输性质的影响.结果表明,引入杂N原子可以线性降低前线轨道能级,增强电子注入能力与空气稳定性,且邻位掺杂较迫位和均匀掺杂调节效果更为显著.其中,十二氮杂蒄(12ac)具有新颖的"碗状"构型和高的电子亲和势(3.45 eV),是潜在的空气稳定电子传输材料构筑单元.理论预测室温下2,6,10-三对甲氧基苯基-3,4,7,8,11,12-六甲氧基三氮杂蒄(3b)晶体的电子迁移率为0.242 cm2/V s,预计是良好的电子传输材料,值得进一步器件化研究. 相似文献
103.
空气稳定的氮杂蔻电子传输材料分子设计及三氮杂蔻衍生物迁移率计算 总被引:1,自引:0,他引:1
采用密度泛函理论研究氮功能化对蒄类化合物几何构型、电子结构及载流子传输性质的影响. 结果表明, 引入杂N原子可以线性降低前线轨道能级, 增强电子注入能力与空气稳定性, 且邻位掺杂较迫位和均匀掺杂调节效果更为显著. 其中, 十二氮杂蒄(12ac)具有新颖的“碗状”构型和高的电子亲和势(3.45 eV), 是潜在的空气稳定电子传输材料构筑单元. 理论预测室温下2,6,10-三对甲氧基苯基-3,4,7,8,11,12-六甲氧基三氮杂蒄(3b)晶体的电子迁移率为0.242 cm2/V s, 预计是良好的电子传输材料, 值得进一步器件化研究. 相似文献
104.
105.
本文报导了聚4-氨基联苯的电化学合成,测定了它的ESR、IR及紫外可见光谱。聚合物在THF、DMF和DMSO中能全部溶解。界面移动法测得聚4-氨基联苯的DMF饱和溶液中正离子的迁移率为1.48×10~(-8)m~2·S~(-1)·V~(-1)。 相似文献
106.
107.
Qian-Rui LÜ Jing LI Zhi-Peng LIAN Hao-Yan ZHAO Gui-Fang DONG Qiang LI Li-Duo WANG Qing-Feng YAN 《物理化学学报》2017,33(1):249-254
Organic-inorganic hybrid perovskite methylammonium lead iodide (CH3NH3PbI3) generally tends to show n-type semiconductor properties. In this work, a field-effect transistor (FET) device based on a CH3NH3PbI3 single crystal with tantalum pentoxide (Ta2O5) as the top gate dielectric was fabricated. The p-type field-effect transport properties of the device were observed in the dark. The hole mobility of the device extracted from transfer characteristics in the dark was 8.7×10-5 cm2·V-1·s-1, which is one order of magnitude higher than that of polycrystalline FETs with SiO2 as the bottom gate dielectric. In addition, the effect of light illumination on the CH3NH3PbI3 single-crystal FET was studied. Light illumination strongly influenced the field effect of the device because of the intense photoelectric response of the CH3NH3PbI3 single crystal. Different from a CH3NH3PbI3 polycrystalline FET with a bottom gate dielectric, even with the top gate dielectric shielding, light illumination of 5.00 mW·cm-2 caused the hole current to increase by one order of magnitude compared with that in the dark (VGS (gate-source voltage)=VDS (drain-source voltage)=20 V) and the photoresponsivity reached 2.5 A·W-1. The introduction of Ta2O5 as the top gate dielectric selectively enhanced hole transport in the single-crystal FET, indicating that in the absence of external factors, by appropriate device design, CH3NH3PbI3 also has potential for use in ambipolar transistors. 相似文献
108.
109.
分析了PHEMT的增益-温度特性和漏电流-温度特性,发现PHEMT增益和漏电流都是随温度的升高而降低,并发现了一定栅宽的PHEMT在大于某一频率时,其增益受温度变化较小的原因.提出了两种自动温度补偿的方法,并分析了每种方法的温度补偿原理.串联源电阻的温度补偿可使PHEMT的漏电流基本保持不变,在一定程度上能降低温度对增益的影响.而自动栅压温度补偿则是强温度补偿,它可随温度的升高,自动提高栅极电压,提高PHEMT的跨导,从而大大减少温度对增益的影响,达到温度补偿的目的.把这两种自动温度补偿的方法结合应用到宽带低噪声放大器中,发现补偿效果良好.试验发现温度补偿后,温度从-55℃~+85℃时和-55℃~+125℃时,放大器的增益在6GHz时的降差分别减小了60%和51%,较大地改善了放大器的温度-增益性能. 相似文献