太赫兹辐射FET功率探测器的分布式准静态模型

以经典FET准静态模型为基础，提出了FET分布式准静态模型，并推导出栅源耦合NMOS FET太赫兹辐射功率探测器的微分方程及其解析解。应用该模型计算得到的直流电压响应与集总模型和水动力模型的计算结果一致；与集总模型相比，泄漏长度偏差小于3.5%；与水动力模型相比，输入阻抗偏差小于10%，明显优于集总模型，且新的输入阻抗表达式不包含任何拟合系数，形式更加简单实用。该模型将经典FET准静态模型推广到太赫兹频段，并降低太赫兹频段FET电路仿真工具的开发成本。     

基于TST结构600 V VDMOS终端的设计与优化

以沟槽负斜坡终端(Trench and Slope Termination,TST)结构为研究对象,分析了该结构提高终端表面耐压的原理,利用TCAD软件对该结构进行电性能仿真研究,注意到击穿机制在不同沟槽深度下有所不同。针对两种击穿机制,进行负斜坡倾角优化;最后,从生产角度对TST终端进行优化,以提高其工艺容差。仿真结果表明,经过优化设计的600VTST终端结构,其宽度为127μm,仅为相同耐压水平的场限环场板复合结构终端的50%。提出的设计方法可广泛应用于高压VDMOS的终端设计。     

DAM10kW中波发射机故障类型及分类检修技巧

DAM系列中波发射机是目前中波发射台普遍使用的一种发射机机型。DAM中波发射机具有完善的故障保护功能,出现故障时,可以按照故障类型做出相应的故障处理,并给出故障指示,避免故障造成更大的损失,为机务人员提供故障原因和查找方向。基于此,以GZ-GS10 kW发射机为例,对DAM中波发射机的故障分类、故障现象及分类检修方法进行详细论述。