电视发射机功放电源模块的原理及应用

详细地分析了HARRIS公司生产的全固态电视发射机功放电源模块的电路组成,工作原理及其功能,并结合日常维护检修工作对功放电源模块进行举例说明。     

场效应管使用原则

以N沟道为例，它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N＋和漏扩散区N＋，再分别引出源极S和漏极D。源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。当漏接电源正极，源极接电源负极井使VGS=0时，沟道电流（即漏极电流）ID=0。随着VGs逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，[第一段]     

基于碳纳米管场效应管构建的纳电子逻辑电路

展示了由碳纳米管场效应管构成的三种逻辑电路，分别为单个p型碳纳米管场效应管的开关电路、由集成在同一片硅片上的单个p型碳纳米管场效应管和单个n型掺氮碳纳米管场效应管构成的互补型反相器，以及两个独立的p型碳纳米管场效应管构成的或非门. 其中p型碳纳米管场效应管以单壁碳纳米管作为沟道，而n型碳纳米管场效应管则以掺氮的多壁碳纳米管作为沟道，器件的源漏电极均为铂电极. 关键词： 碳纳米管 场效应管 逻辑电路     

基于ADS的C波段低噪声放大器的设计

介绍了一种基于ADS的C波段低噪声放大器的设计,同时分析了射频微波低噪声放大器的整体框图、主要指标以及具体的电路设计方法。低噪声放大器是无线通信接收机中的主要组成部分,低噪声放大器指标的好坏直接影响整个接收机的工作状况。该放大器采用射频场效应管ATF-36077作为主要放大器件,同时利用微带线设计了外围匹配电路,利用ADS强大的射频仿真与优化功能,最终实现了一个性能优良的C波段低噪声放大器。最后设计的放大器在3.7GHz⁴.2GHz增益为11dB,噪声系数为0.6dB,输入输出驻波比小于1.5。     

八达Purer3．8MK

八达的飘韵3．8SE全面升级为Purer3．8MK,整机工艺更精细,音乐更精致。外观设计上,改善五金工艺,外露散热器弧形设计,线条优美。采用特殊的结构,上盖正面看不到螺钉,整体更美观。功率输出管改用场效应管,用多对音响名管J200／K1529并联输出。场效应管是压控器件,     

基于增量式PID控制的数控恒流源

数控恒流源在计量、半导体、传感器等领域得到广泛应用,针对目前市场上大部分恒流源产品精度和智能化水平偏低等问题,提出了一种增量式PID控制的数控恒流源设计方法。该系统通过单片机对恒流源模块的输出进行采样,采用增量式PID控制算法进行数值处理。并通过Matlab仿真与传统PID控制算法进行对比。实验结果表明其具有分辨率高、纹波小、高精度的特性。     

一种基于光纤阵列的高速电光开关系统

提出了一种基于光纤阵列的新型电光开关,设计了高速电光选通电路.经实验测得,高压选通电路可获得电压幅度6 000 V可调,前、后沿小于30 ns,触发晃动小于1 ns,脉冲宽度为100 ns可调的高压矩形脉冲.用小口径电光晶体实现了大的通光口径、快的开关速度的惯性约束核聚变驱动系统光开关.选出了在100 ns标称开关速度内所关心的光信息,满足了惯性约束核聚变驱动系统中大的通光口径和均匀性的要求.     

自旋场效应晶体管中隧道磁阻的势垒相关反转效应

考虑自旋场效应晶体管中Rashba自旋轨道相互作用和自旋输运量子相干性,研究了势垒强度对自旋场效应晶体管的自旋相关量子输运的影响. 研究发现,势垒强度较低时,隧道结电导随Rashba自旋轨道相互作用强度的变化呈现明显的振荡现象,势垒强度较高时,电导表现出明显的势垒相关“电导开关”现象. 当势垒强度逐渐增强时,平行结构电导呈现出单调下降趋势,而反平行结构电导产生波动,这种波动导致该隧道磁阻也随势垒强度的变化表现出振荡现象,且在合适的准一维电子气厚度情况下隧道磁阻值可以产生正负反转,这个效应将会在基于自旋的电子器件信息的存储上获得应用. 关键词： 自旋场效应管 开关效应 量子相干 隧道磁阻     

Experimental clarification of orientation dependence of germanium PMOSFETs with AlzO3/GeOx/Ge gate stack

An extensive and complete experimental investigation with a full layout design of the channel direction was carried out for the first time to clarify the orientation dependence of germanium p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors （PMOSFETs）. By comparison of gate trans-conductance, drive current, and hole mobility, we found that the performance trend with the substrate orientation for Ge PMOSFET is （110）〉（111） ~ （100）, and the best channel direction is （110）/[110]. Moreover, the （110） device performance was found to be easily degraded as the channel direction got off from the [ 110] orientation, while （100） and （111） devices exhibited less channel orientation dependence. This experimental result shows good matching with the simulation reports to give a credible and significant guidance for Ge PMOSFET design.     

一个经典电磁阀驱动电路的改进

本文介绍了一种新型的电磁阀驱动电路,该电路的电流采集由采样电阻改为霍尔电流传感器,增加了光耦隔离模块,用场效应管代替了原电路中的三极管。该电路具有可靠性高、电流采集精度高、响应速度快等优点。