应用-种组合优化算法提取场效应管模型参数

提出一种将模拟退火法与基于主成份灵敏度分析的空间坐标变换相结合的优化算法，用以精确提取微波场效应管小信号等效电路参数。该法具有快速收敛，能够消去模型坏条件等优点，从而提高了低灵敏度元件Ｒｉ、Ｒｇ、Ｒｄ等的提取精度，使各个模型参数均能得到精确、快速提取。     

T／R组件中的GaAs微波控制器件

在国外ＧａＡｓＴ／Ｒ组件研究基础上，结合我们开展的有关ＧａＡｓＦＥＴ微波控制器件的研究课题，探索了在国内现有ＧａＡｓ生产工艺水平下研制ＧａＡｓＴ／Ｒ组件的可能性，并简单地描述了ＧａＡｓＴ／Ｒ组件的特点。     

微波功率场放研制过程中的几个重要问题

本文就微波功率场放研制过程中的几个重要问题，如基片介电系数的测量，腔体的结构设计，ＦＥＴ偏置保护电路设计，电路的三阶交调等进行了细致的探讨，提出了解决问题的实施方法，在实际工作中加以应用，取得了理想效果。研制成功的微波功率场放已多次应用于工程实践。     

单场效应管开关电容四象限乘法器

本文给出一种新型四象限模拟乘法器(4-QAM)的实现电路。该乘法器利用一只耗尽型场效型管(D-FET)的线性区伏安特性,实现两信号的相乘,从而避免了多个FET的不一致问题,且结构简单。其独到之处还在于,通过调节电路外部时钟脉冲宽度可以完全修正电路内部两电容量不等所带来的误差。     

AlGaN/GaN HFET中的陷阱位置和激活能

自洽求解薛定谔方程和泊松方程求出了异质结能带和沟道阱基态、激发态及二维表面态的波函数.研究了表面陷阱位置及其激活能.发现表面高密度缺陷减薄了势垒层,显著增强了热电子隧穿过程.从缺陷态发射电子和热电子隧穿构成的新陷阱模型出发,解释了HFET的瞬态电流和产生.复合噪声.最后讨论了改进材料生长和器件工艺来抑制陷阱效应,改善器件性能的途径.     

两个电子学名词的解释

有两个小问题请教： 1、经常看到功放评论文章中提到MOS-FET，中文名称是场效应管，说它与电子管特性相似。但它是晶体管啊，为什么这样说呢？它与普通晶体管有什么不同吗？     

ATL结构在宽带VVA设计中的应用

ATL(Artificial Transmission Line)是一种具有和实际传输线特性相似的二端口网络。采用场效应管制作的电压,可变衰减器由于等效电容效应影响较难在宽带范围内实现低的插入损耗指标。在分析场效应管等效模型的基础上,结合ATL结构的特点,设计并制作了一种宽带电压可变衰减器,在DC~20GHz内实现了插入损耗低于3dB、端口驻波小于2.0的较好微波性能,充分体现了ATL结构对降低衰减器插入损耗和改善端口驻波性能所起到的良好作用。     

悬浮栅结构ISFET动态特性的HSPICE仿真

通过对ISFET敏感机理的理论分析，根据表面基模型，建立了悬浮栅结构ISFET器件的HSPICE动态行为模型，对ISFET器件的动态特性进行仿真得到时间响应曲线，并探讨了薄膜等效电阻、薄膜等效电容、互连线寄生电容和寄生电阻等因素与动态特性中延迟时间和迟滞等不理想因素的关系，为ISFET/REFET差分结构集成传感器芯片设计提供理论指导。     

悬浮栅结构ISFET动态特性的HSPICE仿真

通过对ISFET敏感机理的理论分析,根据表面基模型,建立了悬浮栅结构ISFET器件的HSPICE动态行为模型,对ISFET器件的动态特性进行仿真得到时间响应曲线,并探讨了薄膜等效电阻、薄膜等效电容、互连线寄生电容和寄生电阻等因素与动态特性中延迟时间和迟滞等不理想因素的关系,为ISFET/REFET差分结构集成传感器芯片设计提供理论指导。