浅析MOSFET的特征频率fT

按与双极型晶体管类比的方法给出ＭＯＳ场效应管特征频率ｆＴ的定义、用ＰＳｐｉｃｅ对其进行测试的方法，并对ｆＴ进行一些浅显分析。     

金刚石半导体器件的研究与展望

介绍了金刚石半导体器件的发展现状与技术,对金刚石肖特基二极管双极器件和金刚石场效应管进行了较详细的分析。同时,讨论了该领域的未来研究趋向     

GaN HFET的综合设计

从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发,研究了负极化电荷在强化沟道阱量子限制和能带剪裁中的作用。优化设计负极化电荷的位置后给出了新的复合势垒设计。提出了新的动态电流崩塌模型和二维异质结构概念,把原位Si3N4钝化和复合势垒结合起来实现二维异质结构。用AlGaN/AlInN复合势垒解决了AlInNHFET中的欧姆接触电阻大和沟道不易夹断两大难题。通过能带剪裁和二维异质结构设计完成了包含钝化、场板电极、挖槽、薄势垒欧姆接触、GaN帽层和AlN插入层等方案优点的新综合设计。     

研诺推出同类中阻抗最低的半桥MOSFET驱动器

研诺逻辑科技最新推出的AAT4910支持电压高达28V，其半桥双金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）驱动器可提供业界同类多相DC—DC转换器中的最低阻抗。     

AAT1185：高压降压控制器

研诺逻辑推出AAT1185，一款单输出、降压控制器，可提供用于低成本12V适配器的高效功率变换。通过采用研诺独创的ModularBCD工艺生产，该款新型控制器可通过同时提供高、低侧管脚来驱动多种外部N通道MOSFET（金属氧化物半导体场效应管），从而实现设计灵活多样性的最大化。     

电子管收音机怀旧(二)

<正> 热播的电视剧《潜伏》中,有两件电子产品道具,让年长的电子爱好者会觉得啼笑皆非:1、放在吊灯罩上面的窃听器,2、盒式磁带录音机。现在不少年轻人也在玩胆("胆"是改革开放后从港台传来的对电子管的新称呼),也许是感到胆管新奇,外型酷、音色暖。至于胆管或晶体管的历史渊源却并不关心。     

Characteristics Analysis of Vertical Double Gate Strained Channel Heterostructure Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor

Since device feature size shrinks continuously, there appears various short-channel effects on the fabrication and performance of devices and integrated circuits. We present a vertical double gate （VDG） strained channel heterostrueture metal-oxide-semiconduetor-field-effect-transistor （MOSFET）. The electrical characteristics of the device with the effective gate length scaled down to 60nm are simulated. The results show that the drive current and transconductance are improved by 57.92% and 54.53% respectively, and grid swing is decreased by 36.83% over their unstrained counterparts. VDG MOSFETs exhibit a stronger capability to restrict short-channel-effects over traditional MOSFETs.     

一种基于光纤阵列的高速电光开关系统

提出了一种基于光纤阵列的新型电光开关,设计了高速电光选通电路.经实验测得,高压选通电路可获得电压幅度6 000 V可调,前、后沿小于30 ns,触发晃动小于1 ns,脉冲宽度为100 ns可调的高压矩形脉冲.用小口径电光晶体实现了大的通光口径、快的开关速度的惯性约束核聚变驱动系统光开关.选出了在100 ns标称开关速度内所关心的光信息,满足了惯性约束核聚变驱动系统中大的通光口径和均匀性的要求.     

JFET可变电阻的分析及应用

用PSpice软件对结型场效应管工作在可变电阻区的等效电阻RDS进行了测量与分析,并给出了可变电阻RDS的两个应用实例。