MOSFET器件回顾与展望(下)

介绍了新颖的MOS器件结构及鳍状FET器件研究最新进展, 比较了几种主要新颖半导体器件的特性,指出了MOSFET尺寸缩小所面临的巨大挑战及解决办法,展望了器件未来发展趋势.     

激光对面阵CCD器件破坏的一种新机理

 用波长为1 064 nm、脉宽为5 ms的激光辐照SONY ICX055BL可见光硅CCD器件,实验中由图像采集卡采集得到相机的视频输出,同时用示波器检测ICX055BL的输出信号和垂直输出时钟信号。结果表明,在脉冲激光的辐照下,器件比较容易被破坏。研究中将器件作为一个功能整体,破坏机理分析不只局限于CCD的探测、电荷存储、电荷转移的MOS结构部分。结合实验结果和CCD器件的电路特点,初步判断该器件的破坏机理为电路破坏,脉冲激光所产生的信号电荷冲坏了复位的场效应管,使器件整体永久失效。     

ARL9400型X射线荧光光谱仪场效应管损坏故障排除

介绍由于X射线荧光检测器探头的前置放大电路场效应管损坏而导致X射线光管不能打开的故障原因及故障排除方法。     

平面掺杂异质结场效应管的二维电子气浓度和材料结构尺寸之间的关系

本文对场效应管所用材料的隔离层,δ调制掺杂层,势垒耗尽层等材料结构尺寸,异质结界面的二维电子气浓度,场效应管的夹断电压,沟道电流等以及它们之间的关系进行了计算分析,可作为材料和器件结构设计的依据．     

胆碱酯酶场效应管传感器

将乙酰胆碱酯酶和牛血清白蛋白通过戊二醛共交联，固定在氢离子敏场效应管的栅极上，制成胆碱酯酶场应效管传感器。采用差动检测方式，用两只传感器可测出１０＾－７ｍｏｌ／Ｌ的敌敌畏等有机磷农药。线性范围为５×１０＾－７－８×１０＾－６ｍｏｌ／Ｌ，具有强的抗干能力，寿命为２０ｄ以上。     

迟滞比较器在蓄电池备用电源中的应用

介绍迟滞比较器在蓄电池备用电源电路中的应用。由于它的巧妙使用,使得该电源电路结构非常简单,电池寿命延长,而且工作可靠、性能稳定。本文给出一精心设计的应用电路。     

室温工作双敏感膜HSGFET型O3传感器的研究

本文研究室温下工作,具有双敏感膜,检测ppb范围内O₃浓度的复合悬浮栅FET(Hybrid Suspended Gate Field Effect Transistor即HSGFET)型臭氧传感器.文中给出了四种固态HSGFET型臭氧传感器的实验结果,发现具有 结构的传感器对O₃有很好的响应特性;实验结果与由开尔芬(Kelvin)探针得到的结果进行了比较.     

GaAs和InP基HFET工艺中的选择腐蚀技术

综合了 Ga As和 In P基 HFET工艺中的选择腐蚀技术的有关报道 ,重点介绍了应用 ICP设备和气体组合 BCl3+ SF6 进行异质结材料组合的干法腐蚀实验 ,腐蚀后在显微镜和扫描电镜下观察窗口平整干净、作迁移率测试等与湿法腐蚀的片子相比较没有看出差别 ,适宜用于器件工艺。     

半导体量子线场效应管研究现状及趋势

综述了Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体量子线场效应管的研究进展情况,阐述了量子线结构场效应管的制作工艺原理、制备方法、材料结构及器件的电学性能。指出了当前存在的工艺困难,并展望了进一步的发展趋势。     

大电流窄脉冲激光器电源的设计

本文主要介绍了一种为大电流窄脉冲激光器供电的激光电源的设计方法。文章中首先论述了激光电源的发展现状。然后根据工作项目的要求,通过CPLD实现脉冲可调,用VMOS管实现恒流控制,详细的介绍了这种激光电源的工作原理,设计方法,电路调试的过程及结果。最终成功的设计出激光电源,其工作频率可调,脉宽：80ns-200ns可调,脉冲电流高达6A。