7GHz频段单栅GaAs场效应管微波混频器

本文介绍了单栅G_aA_s MESFET微波混频器的工作原理和设计方法,给出了实际电路和测试结果.在6.7～7.2GHz频带内获得3.8±0.4dB转换增益,单边带噪声系数为7.2±0.3dB.     

调制掺杂场效应管的电容和伏-安特性

本文考虑了费米能级随栅电压的变化,得到调制掺杂场效应管的栅极与沟道的实际距离增大90A左右,从而引起栅极电容和跨导的明显减少;又用热电子模型推导了调制掺杂场效应管的伏-安特性,得到的结果为其它文献所证实。     

PDM发射机脉冲放大前级固态化改造

本文主要介绍PDM调制广播发射机调制前级用场效应管放大电路替代电子管放大电路的一种方案，并简要介绍上机调试及使用情况。     

增强反激式转换器中的同步整流控制

随着每一代新的MOS场效应晶体管(metallic oxide semiconductor field effect transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管,简称MOSFET)的出现,在反激式转换器的二级电路中有越来越多的二极管转变为同步整流(synchronous-rectification,简称SR)MOS场效应管,这一做法几乎不花多少成本代价就实现了性能上的提高。同步整流MOS场效应管的效率可能比二极管更高,它能在较低的操作温度下和较小的热沉一起工作,甚至是根本就没有热沉。不过,它们需要一个控制电路来管理其转换行为,来模拟一个二极管的工作。在今天的商用电源中,常用的同步整流控制方法包括从电流转换器中获取逻辑信号并送给控制器。不过,其实还有更好的办法。     

用现代MOS场效应管开关与碳化硅二极管构成的小型功率模块可获得高频、紧凑的三相正弦输入整流器

本文阐述以小型、低电感的功率模块，获得紧凑的电源系统的优点。为了提高工作频率和达到最高效率，本功率器件集成了现代工艺的超结MOSFET器件和最新SiC（碳化硅）二极管。作为示范，苏黎世ETH电力电子系统实验室开发了一个10KW输出功率，功率密度高达8．5kW／l（85W／cm3），高效率和嵌入功率模块中的一个6-开关维也纳整流器。     

AlGaN/GaN HFET中的陷阱

提出了二维表面态和表面缺陷层构成的AlGaN/GaN HFET中的陷阱模型。自洽求解薛定谔方程和泊松方程得到异质结能带和沟道阱基态、激发态及二维表面态的波函数。发现表面高密度缺陷减薄了势垒层厚度,显著增强了热电子隧穿过程。从缺陷态发射电子和热电子隧穿构成的新陷阱模型出发,解释了HFET的瞬态电流、肖特基势垒的伏安特性和产生-复合噪声。最后讨论了改进材料生长和器件工艺来抑制陷阱效应,改善器件性能的途径。     

超高速0.18μm CMOS复接器集成电路设计

介绍了一种超高速4∶1复接器集成电路。电路采用0.18μm CMOS工艺实现,供电电源1.8 V。电路采用源极耦合场效应管逻辑,与静态CMOS逻辑相比具有更高的速度。为了避免高速时序电路中常见的时钟偏差,在时钟树中放置了缓冲器。在设计中采用有源电感的并联峰化技术有效地提高了电路工作速度。仿真结果表明最高速度可达13.5 Gbit/s,电路功耗约313 mW,复接器芯片面积约0.97×0.88 mm2。