基于黑磷纳米材料场效应管的电特性研究

以红磷、锡和四碘化锡为原料制备黑磷,并用黑磷(BP)纳米材料制作场效应管,用X射线衍射谱(XRD)和光学显微镜(OM)分析了BP样品的结构和形貌,并测试其输出特性曲线和转移特性曲线.BP样品厚度为12 nm,通过计算,其电子迁移率μe=248 cm2/Vs,电流开关比为～103.结果表明,基于BP纳米材料场效应管具有较好电子迁移率和开关比,为BP成为未来光电器件备选材料研究奠定基础.     

Ⅲ族氮化物及其二维电子气输运特性的研究进展

Ⅲ族氮化物半导体具有宽禁带和直接带隙 ,导带能谷间距大 ,强场输运特性好。Al Ga N/Ga N异质结产生高密度的二维电子气 ,屏蔽了杂质和缺陷的散射 ,改善了低场输运性能。它弥补了宽禁带半导体输运性能差的缺点 ,已研制成大功率的 HFET。利用强场下的速度过冲有望消除阴极端的速度凹坑 ,显著改进器件性能。电子气的强二维性使输运特征依赖于器件结构和工作状态 ,器件设计变为一个剪裁电子状态和输运特性的复杂工程。文中综述了 族氮化物及其二维电子气的输运特性 ,讨论了从输运特性出发 ,优化 HFET性能的问题。     

大屏幕SM-PDP能量复得维持驱动电路系统设计

针对新型结构的荫罩式等离子平板显示器 ( SM-PDP)提出了一种有效的能量复得维持驱动电路方案。从理论上详细分析了电路的工作原理 ,并且介绍了相关金属氧化物半导体场效应管 ( MOSFET)的栅极驱动方法。电路系统通过实验证明 ,利用电感与屏寄生电容之间的串联谐振可以大大减小 PDP屏寄生电容的位移电流在电路上损耗的功耗。此能量复得电路已经在 3 4in全彩色 SM-PDP( 640× RGB× 480 )中得以应用     

SOI动态阈值MOS器件结构改进

传统SOI DTMOS器件固有的较大体电阻和体电容严重影响电路的速度特性,这也是阻碍SOI DTMOS器件应用于大规模集成电路的最主要原因之一.有人提出通过增大硅膜厚度的方法减小器件体电阻,但随之而来的寄生体电容的增大严重退化了器件特性.为了解决这个问题,提出了一种SOI DTMOS新结构,该器件可以分别优化结深和硅膜的厚度,从而获得较小的寄生电容和体电阻.同时,考虑到沟道宽度对体电阻的影响,将该结构进一步优化,形成侧向栅-体连接的器件结构.ISE-TCAD器件模拟结果表明,较之传统SOI DTMOS器件,该结构的本征延时和电路延时具有明显优势.     

老杨谈胆（10）——屏极之二：最高屏极电压

在电子管所有的参数中,最高屏极电压是唯一的一个可以大幅度超出的指标。 我们知道,晶体管是由硅、锗等半导体固态材料制造的。载流子是在固体晶格里移动,所以它的击穿特性和绝缘体相似。如果是共发射极电路,一旦供电超过其最高耐压,产生击穿后会在C-E之间（场效应管为D—S）形成永久导电通路而报废。     

基于场效应管与阶跃恢复二极管的皮秒级脉冲源设计

针对已有脉冲源无法兼顾脉冲宽度和幅值的现象,提出一种基于场效应管（MOSFET）和阶跃恢复二极管（SRD）相结合的皮秒级脉冲源设计方案。通过研究分析传统的几种脉冲源的设计方案,设计出一种百伏级的高重频皮秒级脉冲发生器,在PSPICE上对设计方案进行仿真并制作出脉冲源PCB板,实测在2 MHz的重频下产生半幅脉宽约为400 ps、幅度110 V以上的极窄脉冲,波形稳定,为高分辨的超宽带探测雷达发射机的设计提供了新的选择方案。     

Status and Trends in Advanced SOI Devices and Materials

提供了一种用于安德鲁反射测量样品制备新方法. 该方法采用聚焦粒子束刻蚀和磁控溅射,可以获得可控的、干净的、无应力的纳米接触用于自旋极化探测. 所制备的样品中,磁性和非磁性材料样品的反射谱都表现出复杂的峰和谷结构,这些结构可能源于与界面相关的零偏压反常以及与激发态相关的准离子相互作用. 对另一个Co40Fe40B20合金样品采用简单的钕针尖压针方法进行了对比性测量,反射谱中没有观察到谷结构,但谱结构出现较明显的热扩展,这种热扩展可能来源于界面处的非弹性输运. 所有的反射谱目前还不能由现有的理论给出令人满意的解释. 利用点接触反射方法获得可靠的自旋极化信息还有赖于接触界面特征的进一步分析. 而一个更切合实际的、更完善的理论成为迫切的需要.     

AIS系统中VHF数传电台接收系统的设计

AIS是一个运行于VHF海上移动频段的自动连续广播系统。文中给出了AIS系统中VHF数据电台的组成和接收系统的硬件设计电路．重点介绍了这种接收机的设计思路、工作原理以及各相关部分的特性。实际使用证明,该接收机工作稳定可靠,并具有自动频率控制和电子调谐等功能。     

应变硅电子迁移率解析模型

提出了一个应变硅沟道电子迁移率解析模型.模型以应变张量为对象研究应变硅沟道电子迁移率,因此与工艺相独立;适用于施加双轴应力及<100>/<110>方向单轴应力,沟道方向为<100>/<110>的器件;易于嵌入常用仿真工具中.     

FET开关特性在手机电路中的应用

无论对现在以TDMA为主流的手机,还是下一代以CDMA为主导技术的3G手机,其内部电路大都是以时隙为时间单元断续地工作,为延长手机待机时问,电路设计是以时隙为时间单元作断续供电.FET是利用电场来控制其导通与截止的器件,具有良好的开关特性,它在手机的收发电路供电控制、电池充电电路控制、发射功率大小控制等部分起着关键性的作用.文中结合FET在手机中的典型应用,对其结构、原理及工作过程作了详细的探讨.