600 A重复频率脉冲恒流源研制北大核心CSCD

针对国内脉冲恒流源幅值较小、重复频率较低等问题,设计了基于电流闭环反馈控制的恒流电路,建立了相应的数学模型,并采用Pspice仿真验证了电路的功能,最终研制了1台600 A重复频率工作的脉冲恒流电源。电源采取储能放电配合高速开关的工作模式,使用功率场效应三极管作为线性调整开关,可大范围自动恒流,适用于激光二极管负载。输出的脉冲电流幅值最高600 A,上升时间小于40μs,电压幅值最高320 V,脉宽100~600μs可调,工作重复频率最高200 Hz。电源体积较小,结构紧凑,效率可达90%以上。     

环栅肖特基势垒金属氧化物半导体场效应管漏致势垒降低效应研究

结合环栅肖特基势垒金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)结构, 通过求解圆柱坐标系下的二维泊松方程得到了表面势分布, 并据此建立了适用于低漏电压下的环栅肖特基势垒NMOSFET阈值电压模型.根据计算结果, 分析了漏电压、沟道半径和沟道长度对阈值电压和漏致势垒降低的影响, 对环栅肖特基势垒MOSFET器件以及电路设计具有一定的参考价值. 关键词： 环栅肖特基势垒金属氧化物半导体场效应管 二维泊松方程 阈值电压模型 漏致势垒降低     

一种碳纳米管场效应管的HSPICE模型

为在HSPICE中建立一种计算简单且精度较高的碳纳米管场效应管 (carbon nanotube field effect transistor, CNTFET) 模型, 在CNTFET半经典建模方法的基础上, 分析了自洽电势与载流子密度之间的关系, 提出用线性近似进行拟合, 并推导了自洽电势的显式表达式, 从而避免了积分方程的迭代求解过程. 然后在HSPICE中建立了相应的CNTFET模型, 通过仿真比较, 结果表明该模型具有较高的精度, 用其构建的逻辑门电路能够实现相应逻辑功能, 且运算时间大为减少. 关键词： 碳纳米管场效应管 半经典模型 线性近似拟合 HSPICE仿真     

功率半导体器件直流参数测试系统的研发

背景 介绍功率半导体器件应用非常广泛,是各种电子系统及仪器的基础,通常包括功率二极管、三极管、MOS场效应管、结型场效应管、可控硅等。目前,功率半导体器件应用单位涉及航天、航空、高等院校、电子研究所等诸多部门。其制造工艺及其设计水平较原来普通器件在功率上有了很大的提高,     

单根In掺杂ZnO纳米带场效应管的电学性质

采用化学气相沉积法合成了In掺杂ZnO纳米带,并对其进行了X射线衍射、光致发光及透射电镜表征.基于单根纳米带,采用廉价微栅模板法制备了背栅场效应管,利用半导体参数测试仪测量了场效应管的输出(Ids-Vds)和转移(Ids-Vgs)特性,得出相关电学参数,其中迁移率值为622 cm2·V-1·s-1,该值明显优于包括ZnO在内的大多数材料;讨论了迁移率提高的可能原因.     

苏州纳米所硅纳米线场效应管生物传感器研究取得新进展

生物传感器能够将各种生化反应转换成可测量的电学、光学等信号,属于典型的多学科交叉领域。在生物传感器研究中,器件设计与传感策略一直成为该领域的研究热点,开发具有高灵敏度、时效性兼具可制造性的生物传感器具有重要的科学价值和应     

ETS-200T/FT:Teradyne公司的分立器件成品测试解决方案

ETS-200T/FT(成品测试)是专为分立器件测试而设计的,特别针对在旋转式和其它转位并行式的机械分选机上测试的功率场效应管(Power FET)。ETS-200T/FT是使用Eagle提供的转位并行架构来提供功率场效应管的测试方案,最多支持5个测试站,每个测试站可以测试不同的测试项目,并且能够覆盖直流参数、交流参数、雪崩能量测试     

"模拟电子技术"理实一体化教学改革的创新项目实践

在"模拟电子技术"理实一体化的项目驱动式教学中,本文设计了一个基于结型场效应管等效可变电阻控制衰减的AGC放大器,并验证了其性能.首先梳理了现有的AGC放大器设计方法,分析了它们各自的特点,在此基础上提出了基于结型场效应管等效可变电阻,并同时引入串联和并联控制衰减的AGC放大器设计方案.通过理论计算和实际电路测试,验证了该设计方案的合理性及优越性.     

高工作电压GaAs HFET

通过对结构和性能的分析与优化,设计并研制了不同场板和宽槽条件下的高工作电压GaAs HFET器件。直流和射频测试结果表明:提升场板长度和宽槽宽度可以有效提高器件的工作电压。器件在南京电子器件研究所流片,最终制备出的器件性能为:击穿电压大于84 V,在20 V工作电压下截止频率为9 GHz,3 GHz时功率增益为15.87 dB、功率附加效率为53%。