基于热释电红外传感器的防盗报警系统优化设计

文章设计了基于热释电红外传感器的防盗报警系统,从硬件电路方面对热释电红外传感器的前置放大电路进行优化设计,提高了热释电红外传感器的感应信号和增益,期待实现提高防盗报警电路的响应速度、灵敏度和抗干扰性,更好地应用于智能建筑系统的防盗报警系统中。     

基于SOI场效应管控制的背栅极碳纳米管场发射结构研究

针对目前碳纳米管场发射电子源存在的问题,以提高碳纳米管场发射阵列的大电流发射能力、电流均匀性和稳定性以及电流调制灵敏度为目标,基于绝缘硅(SOI)技术,提出并制备出一种独立场效应管控制的碳纳米管场发射阵列三极结构,并通过理论分析和实验验证等手段,发现其具有良好的栅极调制效果、优良的发射均匀性和稳定性。     

1mm SiC多指栅微波功率器件

研制了4H-SiC MESFET 1mm多栅器件.通过对SiC关键工艺技术进行研究,设计出初步可行的工艺流程,并且制作出单栅宽100μm,总栅宽1mm,栅长0.8μm的n沟道4H-SiC MESFET,其微波特性测试结果为:在2GHz,Vds=30V时,最大输出功率为1.14W,相应增益为4.58dB,功率附加效率为19%,漏极效率为28.7%.     

1mm SiC多指栅微波功率器件

研制了4H-SiC MESFET 1mm多栅器件. 通过对SiC关键工艺技术进行研究，设计出初步可行的工艺流程，并且制作出单栅宽100μm，总栅宽1mm，栅长0.8μm的n沟道4H-SiC MESFET，其微波特性测试结果为：在2GHz, Vds＝30V时，最大输出功率为1.14W，相应增益为4.58dB，功率附加效率为19%，漏极效率为28.7%.     

新型抑制浪涌电流电路的设计

提出了一种新型抑制浪涌电流电路,给出了实际设计方案.     

ICL7650-CMOS斩波集成运放简介及应用

介绍了ICL7650 CMOS斩波集成运算放大结构和性能,输入级使用MOS场效应管,采用斩波自动稳零结构,附带调制和解调等措施,具有输入偏置电流小,低失调电压和温度漂移以及精密的反馈特性和高的共模抑制比能力。并采用该器件实现了一个积分电路,该电路零位可以调整,抑制干扰,降低噪声,是很好的传感器信号预处理电路。     

接触电极的功函数对基于碳纳米管构建的场效应管的影响

基于碳纳米管构建的场效应管在纳电子器件中占有重要的位置, 如何获得p型和n型的电子输运性能是人们所关注的. 本文分别采用高功函数的Pt金属和低功函数的Al金属作为源漏电极, 获得了p型输运性质和n型输运性质的基于碳纳米管构建的场效应管. 能带结构的分析证明了接触电极的功函数在这种场效应管的输运机理中扮演了重要的角色, 可以仅仅通过改变接触电极的材料, 实现p型场效应管和n型场效应管之间的转换, 这是经典的金属与半导体接触的理论无法解释的. 关键词： 碳纳米管 场效应管 肖特基势垒 功函数     

全固态中波发射机末级场效应管的更换

场效应管在全固态发射机的射频功放中应用越来越广泛,由于末级场效应管价格比较昂贵,当管子损坏需要更换时,对防静电的要求也很高,一旦操作不当就会损坏管子,造成损失。本文介绍了更换末级场效应管的方法和步骤。     

模电教学中BJT与MOS的近似性分析

BJT 与MOS器件及电路是模电重要内容；教学中二者的电路模型与分析方法不一致，学生困惑于两套不同的器件及电路知识。本文在遵循器件及电路工作原理的基础上，首次将二者在小信号模型、电路参数、I-V方程、特性曲线、工作区间、指标计算上进行完整的近似性分析及一致性推导；在二者电路计算中，用三种单管单级放大器实例，阐述近似分析方法的便利性。本文是模电教学的有力补充。     

高精度耳机放大器

高质量的耳机放大器可以说是比比皆是，但这一款高精度耳机放大器拥有一些与众不同的特色，使它成为出类拔萃的耳机放大器。