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191.
192.
虽然场效应晶体管(FET,以下简称“场管”)面世的时间(1962年)比双极性晶体管(BJT)只是略晚一些,但在音频放大器中的应用始终没有成为主流,尤其是在功放中。场管在功放中的应用,功率MOSFET(金属一氧化物一半导体场效应管,简称绝缘栅场效应管)又是绝对的主流,功率JFET(结型场效应管)的应用则可以用凤毛麟角来形容,在工业应用领域中也是大致相同的情况。日本的DigitalDoMain算是这少之又少中的一个,当然也不是独此一家,见表l。 相似文献
193.
《固体电子学研究与进展》2013,(6)
基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的高质量AlGaN/GaN异质结构材料,采用选择性栅挖槽结合栅介质工艺实现GaN增强型/耗尽型(E/D)HEMT器件的集成,应用直接耦合场效应管逻辑(DCFL)设计并研制GaN E/D HEMT集成逻辑门电路。通过对GaN E/D器件性能以及逻辑门电路性能的分析讨论,研究了GaN E/D器件性能对逻辑门电路性能的影响。同时还对选择性栅挖槽结合栅介质工艺实现GaN E/D器件存在的问题进行了分析讨论。 相似文献
194.
介绍了数字移相器的基本原理及设计方法。在ADS仿真环境下,基于GaAs HJ—FET开关器件,设计仿真了一种X波段五位数字移相器,大大降低了移相器的后期制作成本。利用矢量网络分析仪对制作的实物进行了测试,结果表明:在12—12.5GHz频段内,移相器的最大插损小于9.5dB,均方根相位误差在3°以内。 相似文献
195.
声子散射对碳纳米管场效应管(carbon nanotube field effect transistor, CNTFET)的特性有着不可忽略的影响. 传统研究方法基于弹道输运模型来分析发生声子散射时各参数对器件特性的影响, 进而建立CNTFET声子散射模型.为了降低模型复杂度, 提高仿真计算的速度, 本文深入研究了CNTFET的声子散射影响, 对手性、温度和能量三个参数的变化进行了仿真, 分析了参数对器件特性的影响. 采用线性近似拟合的方式建立了一种新的CNTFET声子散射模型.通过分析散射下电流的变化, 验证了该模型的正确性和有效性.与半经典散射模型相比, 该模型由于不需要进行积分计算, 计算过程较为简单, 降低了运算量.
关键词:
碳纳米管场效应管
声子散射模型
线性近似拟合 相似文献
196.
197.
栅电荷是用于衡量功率MOSFET开关性能的重要参数,通常采用在栅极输入电流阶跃信号的方法来测量。一种新型的栅电荷测试电路被提出,该测试电路使控制信号从MOSFET的源极输入,从而消除了控制信号对栅极输入电流的影响。因为输入电流太小不能直接测量,测试时采用测量电压阶跃信号的方法来衡量电流阶跃信号的性能。与以往的测试电路对比结果表明,该电路可以使MOSFET栅极输入的电流更接近于理想的电流阶跃信号,该信号上升时间小于100 ns,并且上升后稳定,因此提高了栅电荷测量的准确度。 相似文献
198.
199.
200.
Channel hot-electron (HE) energy in short-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOS-FETs) is estimated based on electrical characterization. The HE assisted gate leakage is monitored, and its energy dependent tunnelling probability is calculated, from which the excess energy of HE is estimated. The credibility of the proposed method is supported by the experimental and theoretical results, and its accuracy in ultra-small-feature-size device application is also discussed. 相似文献