丹拿（Dynaudio）SUB250音箱

PH-32从输入到电压放大及电流驱动都是使用电子管，功率放大为大功率场效应管。电子管采用6N8P，具有良好的驱动力：电子管电路还采用低内阻的并联式稳压电源供电：场效应管采用东芝的J200／K1529名管，低频力度好，音乐饱满，该机还使用了ALPS高级电位器及法国Solen高档电容。音乐信号从输入到输出连接线路力求简短，令音乐损失最小，音乐更具活力。     

用因子分析法建立徽波场效应管S参数的统计模型

本文提出用因子分析法建立微波场效应管S参数的统计模型,给出了建模的算法步骤和模拟结果,并与主成分分析法建立的统计模型进行了比较。从结果可以看出,用因子分析法建立的统计模型具有比较高的精度。     

Trench型N-Channel MOSFET低剂量率效应研究

基于抗辐射100V Trench型N-Channel MOSFET开展了不同剂量率的总剂量辐射实验并进行了分析,创新性提出了器件随低剂量率累积以及不同偏置状态下的变化趋势和机理,给出了器件实验前后的转移曲线和直流参数,进行了二维数值仿真比较,证明了实验和仿真的一致性。研究表明：随高剂量率的剂量增加,器件阈值电压(V_TH)发生了明显负向漂移现象,导通电阻(R_DSON)出现5%左右的降低,击穿电压(BV_DS)保持基本不变;低剂量率下总剂量效应与高剂量率有明显不同,阈值电压漂移量减小,同时出现正向漂移现象;此时导通电阻(R_DSON)和击穿电压(BV_DS)较高剂量率变化量进一步下降。研究认为,低剂量率下器件界面缺陷电荷增加变多,使得阈值电压的漂移方向发生改变,同时低剂量率实验周期是高剂量率的500倍,退火效应也较高剂量率的明显,导致器件参数辐射前后差异性减小。     

功率电子的电路保护新选择

在线性变压器或电源发生故障时，某些元器件会产生过热现象。在开关型充电器发生故障的情况下，一些可能随之发生故障的元器件包括磁性组件或开关场效应管。在线性充电器中，没有场效应管或电子线路进行功率转换，变压器的线圈是最有可能出问题的。     

G＆W新推TW-F100场效应管甲类耳机放大器

多年来，推动低阻抗耳机效果不理想一直是众多耳机放大器存在的一个普遍问题。低阻抗耳机的阻抗一般在16Ω～48Ω左右，有的发烧友也把500～120Ω的耳机也归纳到低阻抗耳机的范围内。宏观上看这些耳机都有一些共同特点，就是阻抗低、     

金属氧化物半导体场效应管

MOS是一种半导体电路的结构形式，它可用于：（1）采用氧化膜把栅极与沟道绝缘的场效应管；（2）极板；（3）有源区是金属一氧化物半导体的夹心层的电路。而FET是输出电流的大小受输入电压控制的一种电场效应晶体管，α-SiTFT和p—SiTFT都是基于场效应管的工作原理。MOSFET是由金属、氧化物（SiO2或SiN）及半导体三种材料制成的器件，可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管。     

新品之窗

3Com智能插座交换机；IDT新款Interprise处理器；IDT推出新款 四/双FIFO器件；安捷伦科技E-pHEMT场效应管；Hualu局域网传真服务器；泰科发布面线新品；思科倾力打造新一代网络产品；D-Link友讯网络—低成本升级千兆以太网；EMC Symmetrix DMx—满足客户未来十年的需求；空中的高速路奥维通OFDM高速传输设备；安德鲁推出9.4米双反射器地球站天线。