SOI/MOSFET Kink效应的模拟和分析

非全耗尽SOI/MOS晶体管由于存在“Kink效应”而限制了它的应用范围。本文考虑了沟道夹断区的碰撞电离和横向寄生晶体管效应,对浮置衬底SOI/nMOS晶体管的电流—电压特性曲线进行了理论计算,讨论了Kink效应的产生机理。计算结果与实验符合甚好。对器件参数的分析可以定性地指导抑制Kink效应的器件优化设计。     

一种新型通用有源电流模式滤波器的设计

在建立了MOS场效应管小信号模型的基础上,采用信号流图的方法设计了一个三输入一输出的二阶通用有源电流模式滤波器。该滤波器能够通过合理的选择输入电流实现不同的滤波功能,并可通过改变滤波器电路的工作条件来实现不同参数的滤波。推导出这种结构的滤波器具有低灵敏度的特性,总结了这种结构的滤波器的优缺点。     

包含衬底电流的LDD MOSFET输出I-V特性的经验模型分析

采用双曲正切函数的经验描述方法和器件物理分析方法 ,建立了适用于亚微米、深亚微米的 L DD MOSFET输出 I- V特性解析模型 ,模型中重点考虑了衬底电流的作用 .模拟结果与实验有很好的一致性 .该解析模型计算简便 ,对小尺寸器件中的热载流子效应等能够提供较清晰的理论描述 ,因此适用于器件的优化设计及可靠性分析     

超宽禁带半导体Ga2O3微电子学研究进展

半导体材料Ga2O3是继宽禁带半导体材料SiC/GaN之后新兴的直接带隙超宽禁带氧化物半导体,其禁带宽度为4.5~4.9eV,击穿电场强度高达8MV/cm(是SiC及GaN的2倍以上),物理化学稳定性高,在发展下一代电力电子学和固态微波功率电子学领域具有较大的潜力。自2012年第一只Ga2O3场效应晶体管诞生以来,Ga2O3微电子学的研究呈现快速发展态势。本文综述了β-Ga2O3单晶材料和外延生长技术以及β-Ga2O3二极管和β-Ga2O3场效应管等方面的研究进展,介绍了β-Ga2O3材料和器件的新工艺、新器件结构以及性能测试结果,分析了相关技术难点和创新思路,展望了Ga2O3微电子学未来的发展趋势。     

短波发射机固态功率前级电路探索

文章介绍了短波广播发射机固态功率前级运行稳定性的探索和技术改进措施。针对功率场效应晶体管的特性参数，选择对应的器件，并且设置相应的保护电路。     

电力电子器件知识讲座(五) 功率场效应管的驱动电路

电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技术工作者应该熟悉的内容。本刊从今年4月份开始以电力电子器件知识为题开展讲座,以满足广大读者增长知识和用好这些器件的需求。欢迎厂家及用户的工程师们撰稿,并望提出宝贵意见。     

场效应管耳机放大器DIY手记

DIY的精髓在于体验、创新和动手做，并不在乎制作的设备或者系统是否大而全，因为那是设备制造商要做的．大而全的设备市场上也都买得到，自己制作会耗费很多，难度也很大，从者寥寥，爱好者之间交流体验的机会就会大大减少。     

八达PH-32迷你胆功放

八达在早期推出的迷你组合PH-30小功放 音乐小天使音箱，受到了众多迷你音响爱好者的喜爱。PH-32是PH-30的延续，采用铝合金外壳，在面板和机身的中间都是用黑色有机玻璃作衬托的。机身上面的弧形透明罩内安装有三只电子管和变压器。放大电路为前胆后石设计，由三只6N8P电子管作放大加东芝名管J200/K152g场效应管作输出，配合日本ALPS音量电位器、法国Solen电容等音响名品，利用电子管的柔和宽阔与场效应管丰满甜美的特性结合在一起，声场宽、控制力好、低频下沉深浅有序。