音箱阵列中的空隙与频率响应

１引言《电声技术》２００２第４期及第５期中，介MeyerSound线阵列理论研究及实际应用方面术。下文将继续就空隙对阵列的影响展开探讨望大家能够更多地了解MeyerSound在如何实系统最佳性能在实用技术方面的最新研究。２问题的提出２０００年，开始测试MeyerSound音箱组成列，探讨空隙引起频响变化的可能性。为了达要的声覆盖图形，采用相邻的音箱箱体张开的实现。一个音箱系统应该提供非常精确的覆盖区，尽可能减少声在墙面和天花上的直达，在系统的设计和安装中，能够提供非常高的可检（并且可以感觉到）的清晰度和可懂度。在一些中，…     

生长温度对碳纳米管阴极场发射性能的影响

碳纳米管(Carbon Nanotubes,CNTs)场发射平面显示器(Field Emission Display,FED)与其他显示器比较显示了其独特优点,被认为是未来理想的平面显示器之一。碳纳米管阴极作为器件的核心部分,其性能的好坏直接影响显示器的性能。针对30~60英寸(76.2~152.4cm)大屏幕显示器所用的厚膜工艺,即采用丝网印刷法制备了碳纳米管阴极阵列,研究了化学气相沉积法在不同温度下生长的CNTs的场发射电流-电压特性,找到了适合FED用碳纳米管的最佳生长温度。结果表明生长温度越高(750℃),CNTs场发射性能越好。并用荧光粉阳极测试这些CNTs的场发射发光显示效果,验证了上述结论。     

基于可编程逻辑阵列的RS232至RS422的串行口扩展电路

介绍了利用可编程逻辑阵列把1路RS232扩展至4路RS422的串行口电路设计方法。该扩展电路不占用PC系统资源，同时具有结构简单，使用方便，通用性和可补性强等特点，可广泛应用于主从式多机通讯系统中。     

利用场发射显微镜研究O2对单壁碳纳米管场发射的影响

利用场发射显微镜和四极质谱计研究了充入高纯O2的四极质谱和O2对单壁碳纳米管场发射的影响.单壁碳纳米管经过约1000℃的热处理得到清洁态场发射像后，充入O2，分别测量了O2吸附和脱附后场发射的I V特性.实验观测到在单壁碳纳米管上O2的吸附使场发射电流减小，说明逸出功增加.在10-4Pa的O2压强下对单壁碳纳米管进行约1000℃的热处理，可以产生氧化刻蚀作用，观测到场发射像的变化，并测量了氧化刻蚀产生的I V特性变化. 关键词： 单壁碳纳米管 场发射显微镜 场发射 四极质谱     

高温超导体Josephson阵列在磁场中的微波响应与磁通涡旋激发

本文从分析相变电阻率 ρP 和磁通蠕动电阻率 ρF 出发 ,指出当T小于某一温度T0 时 ,ρF>ρP,而当T >T0 时 ,ρF 远小于 ρP,并进一步分析了 ρF 与 ρP 随温度的变化率分布图 ,得出磁通蠕动电阻率 ρF 随温度的变化率分布图跟微波响应曲线具有相似的分布特征 ,结果表明 :高温超导体的非平衡微波响应机制可能与磁通涡旋的激发有关 .     

一维ZnO纳米结构的电子场发射研究

在大量制备一维ZnO纳米结构的基础上,研究了这些纳米结构的场发射性能。对于四角状ZnO纳米结构,获得1.0m Ac/m2的电流密度只需要4.5V/μm的电场;对于线状Z nO纳米结构,获得1.0mAc/m 2的电流密度需要6.5V/μm的电场。由于其特殊的结构,四角状ZnO一维纳米结构在真空电子器件方面有很好的应用前景。     

一种多径环境下基于四阶累积量的阵列扩展测向方法

本文分析了基于四阶累积量的测向方法不能正确测量多径信号方向的原因，提出了一种多径环境下的基于四阶累积量的新型测向方法。该方法利用零点领处理方法抑制多径信号，然后采用四阶累积量进行阵列扩展测向。计算机模拟结果表明该方法在多径环境下具有良好的性能并且可能实现对足够多的信号进行测向。     

矩形介质波导阵列的一种新型分析方法

本文将等效介电常数近似分析方法在应用范围和处理方法上进行了一些改进．发展为双等效介电常数近似分析法，然后用它来分析矩形介质波导阵列．推得两个一维周期的耦合特征方程。如果将Macatili方法应用范围扩展用来研究该波导阵列也会得到同样的结果，它们都能在二维平面上较准确地反应出通带和阻带等主要周期特性。