过渡金属表面γ-氨丙基三甲氧基硅烷膜的研究

本文对在过渡金属铁、镍电极表面制备得到的γ-氨丙基三甲氧基硅烷(γ-APS)膜进行了研究。实验中对硅烷膜用X-射线光电子能谱(XPS)、现场表面增强拉曼散射光谱(SERS)和原子力显微镜(AFM)进行了表征。X-射线光电子能谱(XPS)的结果发现存在两个N1s峰,表明γ-APS膜中的氨基有两种存在方式:自由氨基和质子化氨基。实验中还发现现场表面增强拉曼散射光谱(SERS)是研究金属/γ-APS体系中界面层结构非常有效的手段,SERS结果表明硅醇羟基和氨基发生了竞争吸附,且γ-APS分子在外加电位等条件的影响下吸附状态会发生一定变化。原子力显微镜(AFM)的表征结果在微观上显示电极表面的γ-APS膜上形成了一种较规则的微孔结构,这种结构可能与基底的性质有关。     

离子束增强沉积VO2多晶薄膜的温度系数

用改进的离子束增强沉积方法和恰当的退火从V2O5粉末直接制备了VO2多晶薄膜.实验测试表明，薄膜的取向单一、相变特性显著、结构致密、界面结合牢固、工艺性能良好，薄膜的电阻温度系数（TCR）最高可达4.23%/K.从成膜机理出发，较详细地讨论了离子束增强沉积 VO2多晶薄膜的TCR高于VOx薄膜的TCR的原因.分析认为，单一取向的VO2结构使薄膜晶粒具有较高的电导激活能，致密的薄膜结构减少了氧空位和晶界宽度，使离子束增强沉积 VO2多晶薄膜结构比其他方法制备的VOx薄膜更接近于单晶VO2是其具有高TCR的原 关键词： VO2多晶薄膜 离子束增强沉积 热电阻温度系数     

物理竞赛中的分布力与微元分析法

 物理竞赛辅导对物理特长生的发展很有必要。物理竞赛对知识和思维能力的要求特别高,各种物理思维的形成都需要经过一段从感知到内化的过程,而这个过程是要通过一系列的相关“板块”问题的练习来逐步提炼。本文就分布力与微元法的“板块”问题作一序列分析。物体的个别点受到作用力时,称这种力为点分布力。绳通过与物体联结处对物体施力,当联结处可近似为一个点时,所施力属于点分布力。当物体的某线段上所有点均受到作用力时,称这种力为线分布力,如冰刀若足够薄,刀与冰面接触处可近似为一条线段,其间摩擦力属于线分布力。     

Studies on Synthesis and properties of Mg-Al-nitrate Layered Ouble Hydroxides

A positive Mg-Al-nitrate layered double hydroxides(LDHs) has been synthesized using a non-steady coprecipitation method.The shape.size,chemical composition,electrical property and anion exchange property of the positve nanoparticle were studied by SEM,XRD,FTIR,chemical analysis,spectroanalysis and meaxsuring of electrophoretic mobilities.Preliminary results show the positive nanoparticle is a promising precursor of polymer/LDHs nanocomposite.     

智圆行方——黄奕与MOTOROLA U6的时尚哲学

八卦新闻、真假谣传．在对娱乐圈太多的纷纷扰扰审美疲劳之时，如邻家女孩般的黄奕却始终坚持拍自己喜欢的角色，唱自己想要大声唱出的歌．毫不在乎外界的八卦与谣传．不辩解不争论的态度乖巧得时常让人心疼。总是那样柔柔的笑着．总是礼貌而又诚实的回答着问题．正如黄奕笑言的．这样的淡定丛容，其实得益于自己独特的处世哲学．那就是：智虑圆熟，行事方正。[编者按]     

“追踪与保持”器件可以直接捕获超过10GHz的信号

埃派克森微电子日前发布了四款USB鼠标控制器芯片，采用了其独创的无晶振鼠标控制技术和对管免调技术。     

架起运营商与企业用户之间的桥梁-IP VPN

朗讯利技的宽带业务和VPN解决方案通常是通过传输层和服务层两个层次上为用户提供完整的数据业务，并在此基础之上为用户提供VPN业务。     

高功率弯波导TE01-TM11模式变换临界角分析

在模式耦合理论的基础上，采用传统的波导轴线圆弧弯曲的方法，对TE01－TM11模式变换器的临界角进行了全面的优化分析。得出在临界角情况下，若考虑多模因素，则不能使TE01－TM11的能量发生全转换，而真正的最优化能量全转换角在临界角的附近，且转换的效率与弯波导曲率相关。     

种晶法控制金刚石成核的合成工艺研究

本文采用了半金刚石昌规则地排列放置在溶媒表面上的工艺方法进行了控制金刚石成核的合成实验。通过使用不同的种晶放置位置及种晶排列问题，研究了金刚石在种晶上的生长过程和影响合成结果的因素。