DS1620实现的X射线采集板温度自动控制

DR是目前非常先进的X射线成像技术，将其X射线采集板工作温度控制在最佳工作范围可采集更好的图像。本系统采用PC和单独控制双模块分别控制温度，利用半导体传感器DS1620进行四路温度采集，通过单片机和PC串口通信，用PC通过半导体制冷芯片来控制X射线采集板的工作温度，在通信故障时也可以通过单独控制模块来控制采集板的温度。     

A1611A/B DFB激光模块的应用设计

1引言 半导体激光模块,是指在一个密封单元内包含了激光器、阻抗匹配、功率监测、热电制冷等电路的功能部件.它被广泛用于HFC网络上的光端机中,桥接光纤与同轴电缆,从而提高宽带电视信号的传输距离,改善传输质量和系统可靠性.模块中的核心单元是半导体激光器,作为线性光纤系统的光源,一般选用高线性、大功率、宽动态范围的DFB(dis-tributed-feedback)激光器.     

入世元年的中国半导体:2OO2启示录

江泽民总书记在16大上指出,适应经济全球化和加入世贸组织的新形势,在更大范围、更广领域和更高层次上参与国际经济技术合作和竞争,充分利用国际国内两个市场。并指出,信息化是我国加快实现工业化和现代化的必然选择。我国加入世贸组织造就了电子信息产业共赢局面,我国电子信息产品生产进一步稳定增长,前三季度电子信息产品出口达634.8亿美元,同比增长39.8%。我们将今年IT业所经历的风风雨雨的某个侧面进行了描述,以企对于业内人士是否有什么启示,并引起深思。     

半导体芯片厂有害气体检测器使用经验之探讨

本文除概略介绍气体检测器的种类处，主要对气体检测器的原理和在实际使用中的局限性作一基本归纳叙述。限于篇幅，本文将论述的重点放在气体检测器的选用与设置规划上，提出个人的一点心得与看法，以作为未来设置气体检测器系统时之参考。     

21世纪最具潜力的新型带隙材料——声子晶体

半导体发展中遇到的极大障碍,使许多研究人员开始研究光子晶体。然而,声子晶体比光子晶体具有更丰富的物理内涵,它是一种新型声学功能带隙材料。研究声子晶体的重要意义在于其广阔的应用前景,而且在研究过程中,还可能发现新现象和新规律,进而促进物理学的发展。一、什么是声子晶体声子晶体的概念诞生于20世纪90年代,是仿照光子晶体的概念而命名的。我们都知道,具有光子禁带的周期性电介质结构功能材料称为光子晶体,光子能量落在光子禁带中的光波将被禁止,不能在光子晶体中传播。通过对光子晶体周期结构及其缺陷进行设计,可以人为地调控光子…     

一类潜热型功能液固两相流体的定压比热研究

应用两相流与热物理理论，严格推导出一类潜热型功能液固两相流体的定压比热计算公式．     

Au-Au2S复合纳米球壳微粒的空腔谐振及参量讨论

Au-Au2S复合纳米球壳微粒（金纳米球壳），是一种新型复合结构的纳米微粒，其结构为纳米级的Au2S介质球外包裹了一层几个纳米厚的黄金球壳。这种复合纳米球壳微粒可以被抽象为球型谐振腔。报道了它的空腔谐振吸收的实验结果，并且运用经典理论结合介观结构特征，讨论了有关Au-Au2S复合纳米球壳微粒空腔谐振吸收的一些重要参量，其中包括谐振吸收波长、品质因数、谐振能量等。另外，还讨论了金球壳的厚度对这些重要参量的影响。     

Growth studies of m-GaN layers on LiAlO2 by MOCVD

This paper reports that the m-plane GaN layer is grown on （200）-plane LiAlO2 substrate by metal-organic chemical wpour deposition （MOCVD） method. Tetragonal-shaped crystallites appear at the smooth surface. Raman measurement illuminates the compressive stress in the layer which is released with increasing the layer＇s thickness. The high transmittance （80%）, sharp band edge and excitonic absorption peak show that the GaN layer has good optical quality. The donor acceptor pair emission peak located at -3.41 eV with full-width at half maximum of 120 meV and no yellow peaks in the photoluminescence spectra partially show that no Li incorporated into GaN layer from the LiAlO2 substrate.     

ZnSe及ZnSe/GaAs异质结构中压力导致的直接禁带向间接禁带的转变

用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层г、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明，同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同，ZnSe的X点导带底具有正的压力系数，但比г点的压力系数小，这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层г、X、L对称点压力系数的影响，表明这种晶格失配造成的应变可以极大地减小ZnSe外延层材料由直接禁带向间接禁带的转变压力。     

Effect of Ag Doping on Optical and Electrical Properties of ZnO Thin Films

ZnO thin films were prepared on p-type Si (100) substrates by the sol-gel process. The influence of Ag doping at a content of 0.002% on the photoluminescence and current-voltage (I - V) characteristics of ZnO thin films has been investigated. It is found that Ag doping leads to a pronounced increase in the intensity of near band edge emission at 3.23eV and a remarkable red shift of the visible broadband at room temperature. The I - V characteristics of ZnO/p-Si heterojunctions are also changed. These results could be explained by Ag substituting for Zn in Ag doped ZnO thin films.